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甘肇强

作品数:25 被引量:112H指数:6
供职机构:苏州大学物理科学与技术学院(能源学院)江苏省薄膜材料重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省青年科技基金江苏省重点实验室开放基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 25篇中文期刊文章

领域

  • 17篇理学
  • 8篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇光学
  • 4篇碳膜
  • 4篇脉冲激光
  • 4篇脉冲激光沉积
  • 3篇溶胶
  • 3篇铁电
  • 3篇铁电薄膜
  • 3篇光学性
  • 3篇非晶
  • 2篇带隙
  • 2篇氮化
  • 2篇等离子体
  • 2篇电性质
  • 2篇溶胶-凝胶法...
  • 2篇铁电性
  • 2篇凝胶法制备
  • 2篇紫外
  • 2篇紫外可见
  • 2篇紫外可见光谱
  • 2篇钛酸

机构

  • 25篇苏州大学
  • 2篇同济大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇天津理工学院
  • 1篇中国科学院等...

作者

  • 25篇甘肇强
  • 12篇宁兆元
  • 10篇沈明荣
  • 7篇程珊华
  • 6篇叶超
  • 5篇辛煜
  • 4篇葛水兵
  • 3篇方亮
  • 2篇黄松
  • 2篇黄峰
  • 2篇吴雪梅
  • 2篇张月蘅
  • 2篇杨慎东
  • 2篇范叔平
  • 2篇汪浩
  • 2篇陆新华
  • 2篇徐政
  • 2篇褚君浩
  • 1篇杨礼富
  • 1篇康健

传媒

  • 9篇功能材料
  • 5篇物理学报
  • 4篇苏州大学学报...
  • 2篇材料科学与工...
  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇同济大学学报...
  • 1篇光学学报
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2006
  • 4篇2004
  • 4篇2002
  • 4篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1990
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
溶胶-凝胶法制备钛酸锶铅薄膜和多层膜及其介电性质被引量:5
2006年
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它们的介电性质。发现均匀薄膜在x=0.55(PST55)时有最大的介电常数,10kHz下为879,损耗为0.029。在与均匀薄膜相同的条件下分别制备了PST45/PST55,PST50/PST60,PST55/PST65 3种多层膜。发现PST50/PST60多层膜的介电常数得到了明显的增强,在频率为10kHz时相对于同厚度的PST55均匀薄膜从879增加到1008,而损耗依然保持较低(0.027)。研究同时表明,PST多层膜在电容-电压可调谐性和介电击穿等性质方面也较均匀薄膜有不同程度提高。与其它两种多层膜比较后发现,在PST50/PST60多层膜中处于PST55左右组分的界面层对介电性质有比较大的影响。
王季魁沈明荣方亮甘肇强
关键词:溶胶-凝胶法多层膜介电性质
氟化非晶碳膜的光学带隙和伏安特性被引量:1
2002年
用苯 (C6H6)和三氟甲烷 (CHF3 )混合气体作源气体 ,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWECR CVD)技术 ,制备了氟化非晶碳膜 (a C∶F)。光学带隙的结果表明它与膜中的C、F元素含量和键结构都有关系 ;伏安特性的测量表明a C∶F薄膜的电导在低电场下呈欧姆特性 。
黄峰康健杨慎东叶超程珊华宁兆元甘肇强
关键词:光学带隙伏安特性超大规模集成电路
磁控溅射法制备非晶碳膜及其光学特性被引量:2
1999年
利用射频磁控溅射法成功制备了类金刚石薄膜,研究了溅射功率和基片温度对所沉积的薄膜的性能的影响.对所制备的类金刚石薄膜用拉曼光谱、紫外光谱进行了表征,所沉积的类金刚石碳薄膜是簇状分布的SP2 碳键和网状分布的SP3 碳键互相随机交织在一起的非晶结构.还研究了非晶碳膜的光学性质和电学性质,探索了制备各种不同光学带隙的非晶碳膜的工艺条件。
张月蘅徐政黄志强甘肇强
关键词:磁控溅射光学特性
电化学法预处理硅基片提高金刚石成核密度的研究被引量:2
1997年
通过用电化学法预先沉积一层碳膜的方法,利用热丝化学汽相沉积法使金刚石在光滑硅片上的成核密度达到107cm-2左右,与未镀碳膜相比提高了近3个数量级。文中还分析了可能的原因。
沈明荣汪浩宁兆元叶超甘肇强甘肇强
关键词:金刚石膜碳膜电化学法硅基片
Pb_(1-x) La_xTiO_3薄膜的制备及特性研究被引量:1
2001年
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/StO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x≤0.2)薄膜,研究薄膜的结构及其介电、电性质铁电性能。在600℃ 下退火1h的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,(100)择优取向明显。在室温下PLT薄膜有典型的电滞回线。在x≤0.2(摩尔比)的范围内,PLT薄膜的矫顽场、剩余极化强度和随着La的增加而降低,相对介电常数则随着La的增加而增加。
郑分刚朱卫东沈明荣甘肇强葛水兵
关键词:溶胶-凝胶铁电薄膜
微波等离子体化学汽相沉积法沉积CN_x膜的研究被引量:2
1998年
对用微波等离子体化学汽相沉积法沉积在Si基片上的CNx膜分别进行Raman散射、X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术的分析与测试.Raman散射的研究结果表明在CH4与N2的流量比低于1∶8时,CNx膜的散射谱中以非晶石墨峰的形式出现.当流量比为1∶8时,则表现为较尖锐的C≡N键(2190cm-1)的特征峰;从X射线光电子能谱的分析结果可以看出C,N成键的方式主要是C≡N键和C—N键,但X射线衍射谱中并没有对应于βC3N4相的衍射峰出现;气压对膜的沉积速率有影响.
辛煜范叔平狄国庆沈明荣甘肇强
关键词:MWPCVD微波等离子体CVD
掺杂比对脉冲激光沉积的ZnO:Al膜性能的影响被引量:6
2000年
用脉冲激光法制备了ZnO :Al透明导电膜。通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。掺杂比从 0 .75 %增至 1 .5 % ,膜的载流子浓度、透光率 (波长大于 5 0 0nm)和光隙能相应增大。在掺杂比为 1 .5 %左右时沉积的膜的电阻率达到最小 ,其值为7.1× 1 0 -4 Ωcm ,且在可见光区其透光率超过了 90 %。
葛水兵程珊华宁兆元沈明荣甘肇强周咏东褚君浩
关键词:脉冲激光沉积透明导电膜
微波电子回旋共振-化学气相沉积SiN_x薄膜的光学性能研究被引量:7
1997年
研究了微波电子回旋共振-化学气相沉积SiNx薄膜的光学性能,这种SiNx薄膜具有透光谱宽、透光率高的特点,总结了透光谱、折射率、光隙能随微波功率。
叶超宁兆元项苏留沈明荣汪浩汪浩
关键词:氮化硅光学性能化学气相沉积
钛酸镧铅薄膜的介电、铁电性能研究被引量:9
2002年
采用溶胶 凝胶法在Si衬底上制备了钛酸镧铅薄膜。通过对膜进行XRD、SEM、介电和铁电性能测试 ,研究了退火条件和掺镧量对薄膜性能的影响 ,结果发现在 60 0℃下退火 1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构 ;常温下 ,薄膜的矫顽场和剩余极化强度都随着掺镧量的增加而降低 。
甘肇强
关键词:铁电薄膜铁电性能
双离子束溅射法制备铁氮薄膜被引量:2
2001年
使用双离子束溅射法制得了铁氮薄膜 ,随着基片温度的变化 ,薄膜的成分是ε Fe2~ 3N、γ′ Fe4 N或是二相的混合物 ,薄膜的晶粒尺寸随基片温度的升高而增大。以振动样品磁强计(VSM)测定了薄膜的磁性能。另外 ,研究了在基片温度为 16 0℃时 ,改变主源中通入N2
甘肇强罗经国诸葛兰剑吴雪梅姚伟国
关键词:磁性能
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