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盛赟

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体纳米线
  • 2篇电极
  • 2篇选择性刻蚀
  • 2篇十八烷基
  • 2篇探测器
  • 2篇位相
  • 2篇刻蚀
  • 2篇激光
  • 2篇激光刻蚀
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 2篇光刻
  • 2篇分子
  • 2篇分子膜
  • 1篇电极结构
  • 1篇电极制备

机构

  • 4篇南京大学
  • 1篇东南大学

作者

  • 4篇盛赟
  • 3篇孙华斌
  • 2篇潘力佳
  • 2篇王剑宇
  • 2篇王欣然
  • 2篇张荣
  • 2篇高凡
  • 2篇郑有炓
  • 2篇施毅
  • 2篇濮林
  • 2篇王军转

传媒

  • 1篇第二届全国纳...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
氧化锌半导体纳米线横向电极结构与光电探测器的应用
纳米线为例的纳米材料开创了不同于传统微加工的自下而上的工艺概念，并且紧跟摩尔定律的历史发展趋势。高质量的半导体纳米线提供了一种装配高集成度光电子器件的新颖而有潜力的途径。本文介绍了氧化锌半导体纳米线横向电极结构与光电探测...
盛赟孙华斌潘力嘉濮林徐春祥施毅郑有炓
关键词：氧化锌半导体纳米线电极结构光电探测器
文献传递
离散纳米材料的选择性排列方法
一种离散纳米材料<B>选择性排列</B>的方法，1）将清洗干净的衬底，典型的为硅衬底进行氧化，表面得到一层硅氧化物；2）将氧化后的硅片放入十八烷基三氯硅烷的C6-C8烃的溶液中，硅氧化物上生长一层非极性的OTS自组装单分...
施毅高凡盛赟孙华斌潘力佳王剑宇王军转濮林王欣然张荣郑有炓
半导体纳米线光电子器件制备与特性研究
基于半导体纳米线的光电子器件,因其构造基元、制备、结构、功能的独特性,吸引了广泛的关注。光电探测器、太阳能电池、发光二极管、激光器等原型器件被陆续研制。纳米线基元的生长及其衍生“自上而下”和“自底而上”结合的器件制备,突...
盛赟
关键词：半导体纳米线光电探测器电极制备光学共振
文献传递
离散纳米材料的选择性排列方法
一种离散纳米材料选择性排列的方法，1）将清洗干净的衬底，典型的为硅衬底进行氧化，表面得到一层硅氧化物；2）将氧化后的硅片放入十八烷基三氯硅烷的C6-C8烃的溶液中，硅氧化物上生长一层非极性的OTS自组装单分子膜；3）利用...
施毅高凡盛赟孙华斌潘力佳王剑宇王军转濮林王欣然张荣郑有炓
文献传递
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