您的位置： 专家智库 > >

祁增芳

作品数：4 被引量：8H指数：1
供职机构：南开大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 1篇多层结构
  • 1篇氧传感器
  • 1篇敏感膜
  • 1篇晶体管
  • 1篇化学传感器
  • 1篇化学吸附
  • 1篇半导体
  • 1篇O3
  • 1篇PT
  • 1篇AG^+
  • 1篇ISFET
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇传感器特性
  • 1篇传感器研制
  • 1篇O

机构

  • 4篇南开大学

作者

  • 4篇祁增芳
  • 3篇牛文成
  • 1篇余剑平
  • 1篇张玉英
  • 1篇徐春林
  • 1篇俞梅
  • 1篇刘俊华
  • 1篇张福海
  • 1篇张福海

传媒

  • 2篇传感技术学报
  • 1篇传感器技术
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1995
  • 2篇1990
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
Ag^+ -ISFET传感器的研制被引量：1
1990年
Ag^+-ISFET是一种新型器件。本文报道了该器件的主要研制工艺、工作原理、测试方法。给出了典型的测试电路及测试结果。
祁增芳刘俊华牛文成
关键词：传感器化学传感器
PT/LaF_(3)敏感膜MIS型固态氧传感器研制
1995年
研究了可在室温下工作,且具有Pt/LaF_3敏感膜的MIS型固态氧传感器,讨论了它的敏感机理,测试并分析了传感器的响应特性.
牛文成俞梅庾向东祁增芳张福海
关键词：敏感膜氧传感器传感器
多层结构ISFET传感器特性的研究
1990年
本文着重研究了Si_3N_4/SiO_2、Ta_2O_5/SiO_2、Ta_2O_5/Si_3N_4/SiO_2、Ta_2O_5/NAS/Si_3N_4/SiO_2等多层介质结构H^+-ISFET传感器的特性,给出了实验结果,并做了必要的分析讨论。
祁增芳余剑平
关键词：多层结构ISFET传感器场效应晶体管
用In_2O_3薄膜制成的高感度半导体O_3传感器被引量：7
1998年
用In_2O_3作敏感膜研制出小型固态高感度(sensibilty)(10×10^(-9)~1×10^(-6)O_3传感器.研究了膜厚、气体湿度和工作温度等对传感器敏感特性的影响,发现AET(AdsorptionEffect Transistor)型O_3传感器具有灵敏的响应特性.并分析了薄膜表面的化学吸附及其对薄膜电导的影响,以及AET作用对O_3非常敏感的物理机制.
牛文成徐春林张福海祁增芳张玉英赖斌斌
关键词：O3传感器化学吸附
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0