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罗乐

作品数:208 被引量:127H指数:6
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺机械工程更多>>

文献类型

  • 142篇专利
  • 44篇期刊文章
  • 18篇科技成果
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 40篇电子电信
  • 22篇自动化与计算...
  • 6篇金属学及工艺
  • 6篇机械工程
  • 5篇化学工程
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇天文地球

主题

  • 101篇封装
  • 45篇圆片
  • 37篇芯片
  • 31篇圆片级
  • 28篇传感
  • 27篇键合
  • 27篇感器
  • 27篇传感器
  • 22篇电镀
  • 18篇基板
  • 17篇子层
  • 16篇晶圆
  • 15篇凸点
  • 15篇封装结构
  • 14篇互连
  • 13篇多芯片
  • 13篇湿法腐蚀
  • 13篇刻蚀
  • 13篇硅基
  • 12篇光刻

机构

  • 205篇中国科学院
  • 3篇中国科学院大...
  • 2篇华东师范大学
  • 2篇中国科学院研...
  • 1篇江南计算技术...
  • 1篇南京理工大学
  • 1篇上海大学
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作者

  • 207篇罗乐
  • 120篇徐高卫
  • 32篇陈骁
  • 25篇汤佳杰
  • 19篇王双福
  • 19篇朱春生
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  • 8篇郑涛
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传媒

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  • 2篇电子学报
  • 2篇科技开发动态
  • 2篇电子与封装
  • 2篇传感器与微系...
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  • 1篇半导体技术
  • 1篇机械强度
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  • 1篇机械设计与研...
  • 1篇腐蚀科学与防...
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇电子设计工程
  • 1篇第八届敏感元...
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年份

  • 2篇2021
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  • 22篇2014
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  • 10篇2011
  • 12篇2010
  • 7篇2009
  • 10篇2008
  • 7篇2007
  • 7篇2006
  • 13篇2005
  • 17篇2004
  • 5篇2003
  • 5篇2002
208 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种量程可达2万M/S2的微机械加速度传感器
李欣欣王跃林张锟陆德仁熊斌罗乐
该成果涉及一种量程可达20万m/s2的微机械加速度传感器。其特征在于它是由芯片和厚度比它稍厚的矩形框架构成,芯片封装在框架中,并用玻璃盖板上下与其键合而成。芯片采用薄板一岛的结构,主要有锚区、支撑质量块的悬空薄板、质量块...
关键词:
关键词:微机械加速度传感器
一种制作锥形穿硅通孔时采用的刻蚀方法
本发明涉及一种制作锥形穿硅通孔(Through Silicon Via,TSV)所使用的刻蚀方法,其特征在于首先在硅片正面沉积一层SiO<Sub>2</Sub>,然后光刻去除图形中的SiO<Sub>2</Sub>,露出下...
陈骁罗乐徐高卫
文献传递
一种增强BCB和Au之间粘附性的方法
本发明涉及一种在圆片级射频封装中增强介质层BCB和金属层Au之间粘附性的方法。其特征在于,不需用添加其它粘附材料,只通过工艺参数的选择及优化,增强了BCB和金属层Au的粘附性。其主要步骤为:首先,对介质层BCB进行表面预...
王天喜罗乐徐高卫汤佳杰
文献传递
一种硅埋置型微波多芯片组件封装的电性能
2009年
研究了一种基于体硅工艺和BCB厚膜布线技术的微波多芯片组件新封装结构,将特定组件中多个微波芯片埋置在接地金属化的硅腔体中,通过热压焊金凸点将芯片垂直引出,并于其上布置多层BCB/Au微波传输线,层间互连则连采用电镀金凸点为通柱。对封装中各微波信号通路的电学性能、封装环境对芯片电学功能的影响和可集成于封装中的Ku波段带通滤波器进行了模拟与优化研究。
戚龙松罗乐
关键词:多芯片组件
高性能微机械高冲击加速度传感器技术研究(中科院)
李昕欣王跃林张鲲熊斌陆德仁罗乐
该成果是通过技术发明研制微机械高冲击加速度传感器技术。根据国家重要工程和汽车工业等应用对该核心器件的大量需求,通过科技创新,研发了拥有系列专利技术的传感器。作为课题重要组成部分,得到863项目支持并验收通过。传感器芯片尺...
关键词:
关键词:微电子机械系统微机械传感器
铝阳极氧化基板制备过程对埋置型Ta-N薄膜电阻的影响
2008年
在铝阳极氧化多层基板内用RF反应溅射制备了埋置型Ta-N薄膜电阻,研究了铝阳极氧化过程对Ta-N薄膜电阻和显微结构的影响.实验结果表明:Ta-N薄膜受上层多孔氧化铝膜影响在表层形成了由Ta2O5和Ta-O-N组成的氧化物凸起绝缘层,氧化物凸起层厚度与氧化电压有关.底层Ta-N薄膜电阻率和电阻温度系数基本保持不变,表层氧化凸起使电阻稳定性增加.
朱大鹏罗乐
关键词:阳极氧化电学性能显微结构
制作TSV时采用的二次湿法腐蚀支撑晶圆分离的工艺
本发明涉及一种制作穿硅通孔(Through Silicon Via,TSV)时采用的二次湿法腐蚀晶圆的分离工艺,其特点在于首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到一定厚度后,通过溅射TiW和Au层,与TSV晶圆进行Au...
陈骁罗乐汤佳杰徐高卫
文献传递
可实现玻璃浆料在MEMS圆片级气密封装的双腐蚀槽及方法
本发明涉及一种MEMS圆片级气密封装的双腐蚀槽结构及方法,其特征在于在硅盖板上,在玻璃浆料密封环落入的区域两侧有两条环状的腐蚀槽。所述的两条环状腐蚀槽内边缘的间距为玻璃浆料密封环宽度的1.0-1.2倍。所述腐蚀槽的深度为...
陈骁罗乐
文献传递
Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺研究被引量:3
2004年
研究了Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及Sn层厚度等因素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化。实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合质量的重要因素,在功率500W、时间200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较小的压力(0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度能够缩短键合时间。在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美军标规定的6.25MPa的强度要求(对于2mm×2mm芯片)。
杜茂华蒋玉齐罗乐
关键词:芯片键合等温凝固微结构
双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法
本发明涉及一种双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法,其特征在于结构上由双层底充胶填充,第一层在芯片端,在圆片上采用旋涂工艺制作;第二层在基板端,在倒装焊完成以后通过毛细效应进行填充;第一层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量...
朱春生宁文果李桁徐高卫罗乐
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