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肖立娟

作品数:11 被引量:84H指数:2
供职机构:吉首大学物理与机电工程学院更多>>
发文基金:湖南省研究生科研创新项目湖南省自然科学基金湖南省高等学校科学研究项目更多>>
相关领域:理学文化科学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇理学
  • 2篇文化科学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇光电
  • 4篇缓冲层
  • 4篇掺杂
  • 4篇ZNO薄膜
  • 3篇光电性
  • 3篇光电性能
  • 3篇P型
  • 3篇AZO薄膜
  • 2篇透明导电
  • 2篇溅射
  • 2篇教学
  • 2篇P型掺杂
  • 2篇CU掺杂
  • 2篇磁控
  • 1篇大学物理
  • 1篇大学物理实验
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇导体
  • 1篇电池
  • 1篇电器件

机构

  • 11篇吉首大学

作者

  • 11篇肖立娟
  • 6篇李长山
  • 6篇赵鹤平
  • 5篇郝嘉伟
  • 1篇叶伏秋
  • 1篇郝佳伟
  • 1篇徐忠平
  • 1篇陈耀星
  • 1篇周媛

传媒

  • 2篇真空
  • 2篇新材料产业
  • 1篇磁性材料及器...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇吉首大学学报...
  • 1篇大学物理实验
  • 1篇实验科学与技...
  • 1篇科技视界

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ZnO:Al透明导电薄膜的制备及性能研究
氧化锌(ZnO)薄膜是一种新型的直接宽禁带(3.37eV)半导体材料,由于其具有独特的电学和光学性能,被广泛的应用于各种光电器件上。Al掺杂的ZnO薄膜更因其低电阻率与高可见光区透射率而有望替代ITO(In2O3:Sn)...
肖立娟
关键词:导电薄膜性能分析磁控溅射法
文献传递
缓冲层对AZO薄膜的性能影响被引量:2
2013年
采用射频磁控溅射法分别在ZnO缓冲层和Al2O3缓冲层上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计、霍尔测试仪等仪器对薄膜的光电特性进行表征.XRD分析结果表明,加入缓冲层的薄膜具有更好的c轴择优取向,薄膜的表面平整,结晶质量有所改善,薄膜在可见光范围内的平均透过率超过80%.引入ZnO缓冲层制备的AZO薄膜的最低电阻率为5.8×10-4Ω·cm,导电性能得到明显提高.
李长山赵鹤平肖立娟郝嘉伟
关键词:AZO薄膜缓冲层透过率光电特性
不同缓冲层对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响被引量:4
2012年
本文采用射频反应磁控溅射法在玻璃基底上分别以Al2O3和AZO为缓冲层制备ZnO:Al(AZO)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计等方法对薄膜的结构和光电性能进行表征。XRD和SEM的分析结果表明,在Al2O3和AZO缓冲层上生长的AZO薄膜均具有较好的C轴择优取向,薄膜表面光滑平整,薄膜的结晶质量得到改善;透射光谱表明所有样品在可见光范围内的透过率均超过80%;薄膜的导电性能得到提高。
肖立娟李长山郝嘉伟赵鹤平
关键词:AZO薄膜缓冲层晶体结构光电性能
大学物理实验教学的现状与教学改革的探究被引量:71
2015年
大学物理实验教学过程中存在着不足,基于对目前大学物理实验教学的现状分析,提出对大学物理实验教学改革的几点设想。为了提高大学物理实验教学质量以及增强学生对实验的兴趣,教学模式、实验考核机制和必要的实验竞赛都需要相应的改革。
肖立娟
关键词:大学物理实验教学模式改革
ZnO薄膜p型掺杂的研究进展
2015年
作为第3代新型宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物短波长半导体材料的氧化锌(ZnO),具有3.37eV的禁带宽度和较小的波尔半径(1.8nm)以及高达60meV的激子束缚能,可以使ZnO在室温下实现有效的激子发射,在制备蓝光或紫外光等光电器件上比氮化镓(GaN)更有优势,展现出更广阔的应用前景。ZnO具有极高的C轴择优取向,本征ZnO具有极的高电阻,使它具有良好的压电常数与机电耦合系数,可应用于压电、声光等器件。
肖立娟
关键词:ZNO薄膜P型掺杂机电耦合系数光电器件压电常数禁带宽度
共溅射法制备Cu掺杂ZnO薄膜结构及性能的研究被引量:1
2014年
采用直流与射频双靶共溅射的方法在玻璃衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜,并研究了Cu的溅射功率以及氧分压对薄膜结构和光电性能的影响,利用X射线衍射仪(XRD)、紫外可见光分光光度计(UV-VIS)以及霍尔测试仪(HALL8800)分别对样品的结构、光学特性以及电学特性进行表征,结果表明,薄膜的结晶质量随Cu溅射功率的增大有所提高,超过一定范围开始降低,而透过率则一直减小,增大氧分压可以改善样品的透过率。Cu的掺入使薄膜发生了由n型向p型的转变,且富氧条件下有利于这种转变。
郝嘉伟叶伏秋肖立娟李长山赵鹤平
关键词:ZNO薄膜CU掺杂光电性能P型
微课在材料实验教学中的应用研究被引量:2
2018年
微课是一种新兴的优质教学资源,在实验教学中有广泛的应用。本文基于目前材料实验教学中存在的几大突出问题,提出微课在材料实验教学中的具体应用,并为促进微课更好适应材料实验教学的发展,提出几点可行性建议。
肖立娟
p型掺杂ZnO薄膜的研究进展被引量:2
2012年
近年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电领域应用的开发研究,制备可靠稳定的低阻p型ZnO薄膜成为研究热点之一。本文论述了p型ZnO薄膜制备的难点及其解决方法,综述了其最新研究进展,并对p型ZnO的研究进行了展望。
肖立娟赵鹤平李长山郝佳伟
关键词:ZNO薄膜光电性质P型掺杂
缓冲层和退火气氛对Cu掺杂ZnO薄膜稀磁性的影响
2014年
采用直流与射频双靶共溅射的方法在石英衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔测试仪(HALL8800)以及超导量子干涉仪(SQUID)分别对样品的结构、表面形貌、电学特性和磁性进行表征,研究了AZO缓冲层以及不同气氛下退火处理对薄膜磁性的影响。结果表明,加入缓冲层的样品结晶质量有所改善,但不利于磁性的产生;空气退火使样品中氧空位大量减少,同时磁性减弱;真空退火使样品中氧空位得以保留,磁性增强,氧空位缺陷对磁性的产生有很大贡献。样品中载流子浓度不高,电阻率较大,载流子浓度对样品磁性的影响不明显。
郝嘉伟赵鹤平肖立娟李长山
关键词:稀磁半导体ZNO薄膜CU掺杂缓冲层退火
磁控溅射功率对掺铝氧化锌薄膜特性的影响被引量:2
2012年
透明导电氧化物(TCO)薄膜因具有在可见光区透明和电阻率低等优异的光电性能,所以被广泛应用于各种光电器件中,例如平面液晶显示器(LCD)、太阳能电池、节能视窗等[1-2]。目前应用和研究最多的是掺锡(Sn)、
肖立娟李长山郝嘉伟赵鹤平
关键词:掺铝氧化锌溅射功率透明导电氧化物磁控太阳能电池光电性能
共2页<12>
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