胡慧芳
- 作品数：22 被引量：67H指数：5
- 供职机构：湖南大学信息科学与工程学院（软件学院）微纳光电器件及应用教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程更多>>
- 氮掺杂对单壁碳纳米管的非平衡电子输运特性的影响
- 2007年
- 利用结合了非平衡格林函数的第一性原理的局域密度泛函理论,研究了氮原子取代掺杂单壁碳纳米管的输运特性.计算结果表明,不同构形和不同数目的氮原子掺杂对(8,0)单壁碳管的输运性能有复杂的影响.研究发现,氮原子的掺杂提高了半导体型碳管的输运性能,电流-电压曲线呈非线性变化.对于浓度相同的氮掺杂,原胞内最近邻氮原子间距极大地影响了碳管的输运性能.因此,基于掺杂管的分子器件的设计中很有必要考虑这些因素.
- 韦建卫胡慧芳曾晖王志勇王磊张丽娟
- 关键词：单壁碳纳米管氮掺杂输运特性
- 硼、氮掺杂手性碳纳米管的电子学和输运特性
- 应用基于第一性原理的密度泛函理论和非平衡格林函数方法，对硼原子和氮原子取代掺杂的手性单壁碳纳米管的电子学和输运特性进行了研究。分析表明，不同构形的硼原子和氮原子掺杂对（6，3）单壁碳纳米管的电子学和输运性能有很复杂的影响...
- 魏燕胡慧芳王志勇贾金凤
- 关键词：电子学
- 文献传递网络资源链接
- 含有2个五边形七边形缺陷对的单壁碳纳米管的电学性能被引量：1
- 2003年
- 在紧束缚近似基础上,应用扩展的Su Schriffer Heeger(SSH)模型,在实空间研究了1根完整"之之"碳管管壁中沿周长方向并排引入2个五边形 七边形拓扑缺陷对所形成的同质结的电学性能;计算了(9,0)-(9,0)和(8,0)-(8,0)系统的电子态密度,对五边形 七边形缺陷对在碳管中沿轴向依次排列和沿周长方向并排放置时的电子态密度进行了比较.研究结果表明:五边形 七边形(5/7)拓扑缺陷对决定费米能级附近的电学行为;拓扑缺陷不同的分布与排列方式对碳管电学性能的影响有明显差异.
- 张丽芳胡慧芳汪小知梁君武
- 关键词：碳纳米管拓扑缺陷电子态密度同质结
- 氧吸附对单壁碳纳米管的电子结构和光学性能的影响被引量：13
- 2005年
- 用密度泛函理论计算了氧分子物理吸附在半导体型单壁碳纳米管的束缚能,能带结构和吸收光谱.计算结果指出氧分子吸附在碳纳米管表面的优先位置,研究发现氧吸附对碳管的电子输运特性和吸收光谱有着重要的影响,并对光致氧分子解吸附的现象进行了理论分析.
- 梁君武胡慧芳韦建卫彭平
- 关键词：单壁碳纳米管吸收光谱
- 有机分子二苯乙烯系列衍生物第一超极化率的理论研究被引量：6
- 2008年
- 采用耦合-微扰Hartree-Fock方法(CPHF),计算了二苯乙烯系列衍生物的静态第一超极化率.研究发现,具有离域的共轭体系和电子推拉对结构的分子,有利于发生分子内电荷转移,因而具有大的第一超极化率.进一步研究体系中取代基的位置,给体与受体的数量和得失电子的能力,分子的共面性和对称性对分子第一超极化率的影响,结果表明,有机分子拥有更多数量与更强得失电子能力的给体和受体,最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占据分子轨道(LUMO)空间分布的不对称,具有较高的原子共面性和较低的分子中心对称性,都能显著增加分子第一超极化率.研究结果有利于寻找分子结构与非线性光学性质的关系,为非线性光学分子设计,合成提供理论依据.
- 王磊胡慧芳韦建卫曾晖于滢潆王志勇张丽娟
- 关键词：二苯乙烯非线性光学第一超极化率
- 锰掺杂锯齿型石墨烯纳米带电磁学特性研究被引量：4
- 2014年
- 基于密度泛函理论的第一性原理,计算了锰原子单空位掺杂锯齿型石墨烯纳米带6种不同位置时的电磁学特性。结果表明:锰原子掺杂石墨烯纳米带的能带结构对掺杂位置十分敏感。随着锰掺杂位置的变化,掺杂石墨烯纳米带分别表现出半导体性和金属性特征。锰原子掺杂石墨烯纳米带改变了原本的磁性特征,掺杂位置不同,结构磁性特点也不相同,掺杂位置在4号位置时,纳米带实现了由反铁磁态的锯齿型石墨烯纳米带向铁磁性的转化。锰原子掺杂锯齿型石墨烯纳米带可以调制其磁性和能带特性,为石墨烯纳米带在电磁学领域应用提供一定的理论依据。
- 王晓伟胡慧芳
- 关键词：掺杂
- 拓扑缺陷对碳纳米管电学性能的影响被引量：1
- 2005年
- 在紧束缚近似基础上,利用扩展的SuSchrifferHeeger(SSH)模型,在实空间中计算了理想的“zigzag”碳纳米管中分别引入5/7,5/6/7,5/6/6/7拓扑缺陷所构成的(9,0)(8,0),(9,0)(7,0)和(9,0)(6,0)三种系统的能带结构和电荷密度,并对这三种系统的计算结果进行了比较.结果表明,拓扑缺陷五边形和七边形在碳管中沿轴向的不同分布对碳管电学性能的影响明显不同.因此,可以研制出基于这些异质结的不同电子器件基元.
- 张丽芳胡慧芳
- 关键词：碳纳米管异质结拓扑缺陷电荷密度
- 花状硫化铜级次纳米结构的制备及可见光催化活性
- 胡慧芳赵娟
- 含氮SW缺陷对单壁碳纳米管电子结构和光学性质的影响被引量：3
- 2011年
- 应用第一性原理密度泛函理论研究了单壁碳纳米管中Stone-Wales(SW)缺陷和氮掺杂情况下的电子结构和光学性质.研究发现,含氮SW缺陷单壁碳纳米管体系的总能降低,结合更稳定,且在费米能级附近出现一条半满的杂质带,并且随着氮掺杂位置的不同,掺杂能态出现显著差异.碳管的吸收和反射明显减弱且吸收峰和反射峰在低能区发生红移现象,在能量小于11eV附近均出现杂质特征峰.本文对计算结果进行了分析研究,可望为含氮SW缺陷碳管在光电材料中的应用提供理论依据.
- 张丽娟胡慧芳王志勇陈南庭谢能林冰冰
- 关键词：单壁碳纳米管氮掺杂光学性质
- 补偿型共掺杂ZnS电子特性的第一性原理计算被引量：1
- 2018年
- 基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对ZnS(Cu,Cl、Br、I)共掺杂体系的晶格结构和电子性质进行了研究。结果表明,相对于单掺杂ZnS体系,补偿型的共掺ZnS体系形成能更低,更有利于提高可见光的催化效率,且由于p-d电子排斥效应使价带向高能方向展宽,而Cu的3p态与非金属原子的杂质态使导带底下移,从而使共掺杂ZnS体系的能带带隙变窄,尤其是CuZnBrS-ZnS带隙值减少了30%,从而延伸吸收边界到可见光区域。且CuZnBrS-ZnS中m*e/m*h相对较大,降低了电子-空穴对重组率,提高了量子效率。最后对补偿型共掺ZnS电子结构进行了讨论。
- 王晓伟乔士柱李淑青胡慧芳
- 关键词：电子性质第一性原理
