您的位置： 专家智库 > >

胡盛东

作品数：68 被引量：8H指数：1
供职机构：重庆大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金重庆市自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 59篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 25篇半导体
  • 23篇功率器件
  • 19篇半导体功率器...
  • 11篇导通
  • 10篇导通电阻
  • 10篇电阻
  • 10篇漂移区
  • 10篇SOI
  • 8篇多晶
  • 8篇多晶硅
  • 8篇高压器件
  • 7篇电场
  • 7篇电荷
  • 7篇电路
  • 7篇面电荷
  • 7篇界面电荷
  • 7篇击穿电压
  • 7篇功率MOSF...
  • 7篇二极管
  • 6篇载流子

机构

  • 53篇重庆大学
  • 9篇电子科技大学
  • 8篇中国电子科技...
  • 2篇成都信息工程...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 68篇胡盛东
  • 29篇周喜川
  • 21篇唐枋
  • 12篇甘平
  • 10篇袁琦
  • 10篇谭跃
  • 9篇周建林
  • 8篇张波
  • 8篇李肇基
  • 8篇罗俊
  • 7篇张玲
  • 7篇金晶晶
  • 7篇郭经纬
  • 6篇李世平
  • 6篇陈卓
  • 6篇王忠杰
  • 6篇王健安
  • 6篇李明东
  • 6篇黄莎琳
  • 6篇殷鹏

传媒

  • 3篇微电子学
  • 2篇电力电子技术
  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 10篇2020
  • 8篇2019
  • 7篇2018
  • 6篇2017
  • 7篇2016
  • 4篇2015
  • 6篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 68 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种低抖动分频时钟电路
本发明提供一种低抖动分频时钟电路，包括：钟控信号产生电路，用于生成相位不同的时钟信号；低电平窄脉宽钟控信号产生电路，用于生成低电平窄脉宽钟控信号；高电平窄脉宽钟控信号产生电路，用于生成高电平窄脉宽钟控信号；分频时钟合成电...
刘涛王健安王育新陈光炳付东兵李儒章胡盛东张正平罗俊徐代果邓民明王妍
文献传递
一种非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件
本发明属于半导体功率器件领域，涉及一种非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件，包括依次线性布置的漏极金属、N型衬底层、N型漂移区、N型载流子扩散区、P型沟道层、源极金属；还包括与源极金属连通的槽型栅电极、槽型源电极以及...
胡盛东安俊杰
文献传递
基于SOC的北斗导航系统接收机抗攻击系统及其抗攻击方法
一种基于SOC的北斗导航系统接收机抗攻击系统，包括射频模块，该射频模块设置有用于接收卫星信号的天线，射频模块将天线接收到的信号降频和AD采样后将数字低频信号发送至基带处理模块；基带处理模块，该基带处理模块包括：用于将数字...
周喜川余磊严超李胜力胡盛东张玲谭晓衡
文献传递
半导体器件老炼筛选试验设计被引量：4
2014年
老炼筛选试验是有效剔除内含固有工艺缺陷的半导体器件,以及保证半导体器件使用可靠性的重要途径。本文阐述了半导体器件早期失效的基本概念,并给出了半导体器件早期失效率的预计方法。在此基础上提出了半导体器件老炼筛选试验设计方法,以期最大限度地保证半导体器件出厂后的使用可靠性。
罗俊陈世钗胡盛东刘凡赵胜雷陈浩然晏开华王媛
关键词：半导体器件
一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P‑衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
胡盛东金晶晶陈银晖朱志武星河李少红阮祯臻丁文春
文献传递
一种集成JFET结构的碳化硅MOSFET器件
本发明涉及一种集成JFET结构的碳化硅MOSFET器件，属于半导体技术领域。该器件包括衬底N+硅层、有源顶层硅、集成JFET和分裂栅槽形结构；所述衬底N+硅层下方设置有漏电极；所述有源顶层硅设置有N‑漂移区、电流扩展层、...
马荣耀 于毅仁王若愚刘涛 陶梦玲 王智宇胡盛东黄智勇
一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管
本发明公开了一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域，通过将现有体硅超结横向绝缘栅双极型晶体管的轻掺杂的衬底换成重掺杂的衬底实现快速关断，通过合理设置超结耐压层中各漂移区的杂质总数保证器件的击穿电压...
林智袁琦韩姝胡盛东周建林唐枋周喜川
文献传递
单片集成式半桥功率器件模块
本发明涉及一种单片集成式半桥功率器件模块，属于半导体技术领域。该模块包括隔离环、被隔离环包围的低侧功率器件和位于隔离环之外的高侧功率器件；低侧功率器件的外围与隔离环的一侧直接接触，高侧功率器件的外围一侧与隔离环的一侧直接...
林智王志皓韩姝李平胡盛东
文献传递
一种具有集成隧穿二极管的IGBT
本发明涉及一种具有集成隧穿二极管的IGBT器件，属于半导体功率器件领域。该IGBT器件包括：集电极金属、P型集电区、N型场终止层、N型漂移区、P型埋层、N型载流子存储层、P型体区、P+源区、N+源区、发射极金属、介质隔离...
李平郭经纬林智胡盛东唐枋
文献传递
一种基于变容二极管的双陷波可调的超宽带天线
本发明公开了一种基于变容二极管的双陷波可调的超宽带天线，属于天线设计技术领域。该天线包括介质基板、辐射贴片、微带馈线、寄生条带结构、“U”形金属条带、金属带线及焊盘、接地板和同轴电缆；所述“U”形金属条带用于产生高频陷波...
唐明春王浩熊汉陈世勇于彦涛曾浩张新征李明玉胡盛东王韬曹海林
文献传递
全选 清除 导出
共7页<1234567>
聚类工具0