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苗萌

作品数：76 被引量：9H指数：2
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 73篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 32篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 45篇触发
  • 42篇可控硅
  • 27篇可控硅器件
  • 27篇硅器件
  • 18篇电源
  • 18篇电源线
  • 16篇双极型
  • 16篇互补型
  • 15篇微米工艺
  • 13篇电路
  • 13篇鲁棒
  • 13篇击穿电压
  • 12篇电极
  • 12篇金属
  • 12篇金属电极
  • 11篇多晶
  • 11篇多晶硅
  • 11篇多晶硅栅
  • 11篇晶体管
  • 11篇静电放电

机构

  • 76篇浙江大学

作者

  • 76篇苗萌
  • 74篇董树荣
  • 70篇马飞
  • 61篇韩雁
  • 45篇吴健
  • 39篇宋波
  • 39篇李明亮
  • 37篇郑剑锋
  • 22篇曾杰
  • 10篇黄大海
  • 4篇范鸿燕
  • 4篇黄丽
  • 4篇王洁
  • 2篇韩成功
  • 2篇隋文泉
  • 1篇吴健

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 8篇2014
  • 4篇2013
  • 24篇2012
  • 26篇2011
  • 14篇2010
共 76 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种可控硅器件
本发明公开了一种可控硅器件，包括P型衬底，在P型衬底上设置连接阳极的第一N阱与电位浮空的第二N阱，在所述的两个N阱与P型衬底之间跨接了一个第三N+注入区。利用第一N阱与P型衬底之间跨接第三N+注入区，实现了触发电压值降低...
苗萌董树荣李明亮吴健韩雁马飞宋波郑剑锋
一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件
本发明公开了一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件，包括P-衬底层；P-衬底层上设有并排相连的N-阱和P-阱，N-阱与P-阱的接合处上设有第三N+有源注入区；N-阱上并排设有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P-阱上并排...
董树荣吴健黄丽苗萌曾杰马飞郑剑锋
文献传递
一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件
本发明公开了一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件，通过优化可控硅与二极管的连接和布局，利用二极管串形成的寄生可控硅路径来实现二极管辅助触发的可控硅的二次导通，提高可控硅钳位电压时钳位点的电流值来避免闩锁效应的...
苗萌董树荣吴健曾杰韩雁马飞郑剑锋
一种基于齐纳二极管的瞬态电压抑制器
本发明公开了一种基于齐纳二极管的瞬态电压抑制器，包括N衬底层，N衬底层上从左到右依次设有第一P+外延区、第二P+外延区、N+埋层、第四P+外延区、第五P+外延区；第二P+外延区和第四P+外延区上分别设有第一P-阱和第三P...
董树荣吴健苗萌马飞
一种用于静电防护的反向二极管触发可控硅
本发明公开了一种用于静电防护的反向二极管触发可控硅，由在P衬底上设置的N阱电阻、P阱及P衬底电阻、反向二极管、第一双极型晶体管PNP和第二双极型晶体管NPN构成，所述的反向二极管由N+有源注入区和P阱构成，所述的第一双极...
董树荣吴健苗萌范鸿燕
一种PNPNP型双向可控硅
本发明公开了一种PNPNP型双向可控硅，包括P型衬底，所述的P型衬底内设有N型埋层，N型埋层上注有P阱，P阱侧面和P型衬底之间注有与P阱结深相同的环形的N阱，P阱内注有第一N型漂移区和第二N型漂移区，第一N型漂移区内设有...
李明亮董树荣韩雁宋波苗萌马飞
文献传递
NPN双极型晶体管辅助触发的互补型SCR结构
本发明公开了一种NPN双极型晶体管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之...
李明亮董树荣韩雁宋波苗萌马飞
一种基于互补型SCR的静电放电防护电路
本发明公开了一种基于互补型SCR的静电放电防护电路，用于防护核心电路输入/输出端、正电源线、负电源线三者之间的静电放电，包括两端分别连接正电源线和负电源线的电源箝位单元、两个连接端子分别连接正电源线和核心电路的输入/输出...
李明亮董树荣韩雁宋波苗萌马飞
一种基于DTSCR的瞬态电压抑制器
本发明公开了一种基于DTSCR的瞬态电压抑制器，包括P+衬底层，P+衬底层上从左到右依次设有第一N阱、第二N阱、第二P阱和第一P阱，第二N阱与第二P阱相连；P+衬底层上相对于第一N阱的前侧设有第三N阱，相对于第一P阱的前...
董树荣吴健苗萌马飞
文献传递
一种低触发电压低寄生电容的可控硅结构
本发明公开了一种低触发电压低寄生电容的可控硅结构，包括P型衬底，P型衬底上依次设置有紧密相连的第一P阱、第一N阱、第二P阱和第二N阱，由第一P阱指向第二N阱的方向上，在第一P阱、第一N阱、第二P阱和第二N阱上依次设有：位...
马飞韩雁董树荣郑剑锋苗萌吴健王洁
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