葛水兵
- 作品数：37 被引量：92H指数：5
- 供职机构：苏州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省青年科技基金苏州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信文化科学更多>>
- 可控高密度等离子体制备装置和石墨烯薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种可控高密度等离子体制备装置，包括真空室、位于真空室中的上极板、正对上极板下方的下极板、电感线圈、真空抽气系统，上极板和下极板平行设置且间距可调，电感线圈位于上极板和下极板之间且其轴中心沿水平方向设置，上极板...
- 葛水兵杨勇
- 文献传递
- 一种电性能测试装置
- 本实用新型公开了一种电性能测试装置，包括：测试盒，由金属制成，包括设有空腔的壳体、盖合于所述壳体上的盖体，所述壳体的侧壁设有连通外界与空腔的通气接口；样品台，设于所述壳体的空腔内，用于置放待测试样品；加热台，设于所述壳体...
- 汤如俊葛水兵陈靓王忠彦吉从政
- Pb_(1-x)La_xTiO_3薄膜的制备及介电性质的研究被引量：5
- 2001年
- 在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上用溶胶-凝胶法制备了Pb1-xLaxTiO3薄膜,对膜进行XRD、SEM、介电、铁电性能测试,研究了退火温度、掺La量对薄膜性能的影响,结果发现在600℃下退火1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构,具有(100)面择优取向。在摩尔比x≤0.2的范围内,薄膜的矫顽场、剩余极化强度都随着掺La量的增加而降低,而其相对介电常数和介质损耗却随着掺La量的增加而增加。
- 朱卫东葛水兵沈明荣宁兆元
- 关键词：溶胶-凝胶介电性质
- 基于光的偏振教学思考与探索
- 2022年
- 基于光的偏振教学,探究了一种分析偏振态的普适性解题思路,变浅层学习为深度学习,培养学生的高阶思维能力.
- 葛水兵
- 关键词：波片偏振光偏振态
- 对电子束蒸发沉积的ZnO:Al膜电学性能的研究被引量：2
- 1998年
- 使用电子束蒸发法沉积了铝掺杂的氧化锌透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及XRD、SEM测试分析,详细研究了沉积时的基片温度对膜的电学性能的影响。结果表明:基片温度影响膜的载流子浓度、迁移率以及膜的结晶程度,在基片温度为200℃附近沉积的膜具有较低的电阻率和较高的透光率。
- 葛水兵程珊华宁兆元
- 关键词：氧化锌铝电学性能
- 高K栅介质材料的研究现状与前景被引量：2
- 2010年
- 论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性以及电学特性,但与此同时也存在如何优化掺杂量、沟道载流子迁移率下降以及中间层引起的界面退化等难题。针对这些挑战,探讨了新型"堆垛结构"和引起载流子迁移率下降的物理机制,展望了高K材料在未来先进COMS器件中的应用。
- 余涛吴雪梅诸葛兰剑葛水兵
- 关键词：高K栅介质HFO2MOSFET器件
- 氧气氛低温退火Pt/Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3Pt引起的低频介电弛豫效应被引量：6
- 2002年
- 研究了在不同温度区间氧气氛和氮气氛退火后处理对Pt Ba0 .8Sr0 .2 TiO3 Pt介电特性的影响 .经过高温 5 5 0℃氮气退火处理后 ,再放入 35 0℃的氧气中退火 ,发现样品的介电特性出现了非常明显的低频弛豫现象 ,并且这种低频弛豫现象在 35 0℃的氮气中退火后将会消失 .通过在出现低频弛豫现象的样品的上下电极加一偏压 ,可以发现低频弛豫现象更加明显 ,并且在撤消偏压后这种增强将会逐渐减弱 。
- 董正高沈明荣徐闰甘肇强葛水兵
- 关键词：低温退火脉冲激光沉积动态随机存储器钛酸锶钡薄膜
- 石墨烯薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种石墨烯薄膜的制备方法，采用双频驱动的容性耦合等离子体源对氢气放电产生氢等离子体，利用所述氢等离子体在温度20‑80℃下还原氧化石墨烯薄膜表面的含氧官能团，得到石墨烯薄膜，氧化石墨烯薄膜的厚度为1‑30μm，...
- 葛水兵杨勇
- Pb_(1-x) La_xTiO_3薄膜的制备及特性研究被引量：1
- 2001年
- 用溶胶－凝胶法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｔＯ２／Ｓｉ（１００）基底上制备Ｐｂ１－ｘＬａｘＴｉＯ３（ＰＬＴ，ｘ≤０．２）薄膜，研究薄膜的结构及其介电、电性质铁电性能。在６００℃ 下退火１ｈ的ＰＬＴ薄膜表现出单一的钙钛矿结构，（１００）择优取向明显。在室温下ＰＬＴ薄膜有典型的电滞回线。在ｘ≤０．２（摩尔比）的范围内，ＰＬＴ薄膜的矫顽场、剩余极化强度和随着Ｌａ的增加而降低，相对介电常数则随着Ｌａ的增加而增加。
- 郑分刚朱卫东沈明荣甘肇强葛水兵
- 关键词：溶胶-凝胶铁电薄膜
- 掺杂比对脉冲激光沉积的ZnO:Al膜性能的影响被引量：6
- 2000年
- 用脉冲激光法制备了ZnO :Al透明导电膜。通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。掺杂比从 0 .75 %增至 1 .5 % ,膜的载流子浓度、透光率 (波长大于 5 0 0nm)和光隙能相应增大。在掺杂比为 1 .5 %左右时沉积的膜的电阻率达到最小 ,其值为7.1× 1 0 -4 Ωcm ,且在可见光区其透光率超过了 90 %。
- 葛水兵程珊华宁兆元沈明荣甘肇强周咏东褚君浩
- 关键词：脉冲激光沉积透明导电膜
