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可溶性四烷基酞菁化合物及其制备方法: 本发明涉及可溶性四烷基酞菁化合物及其制备方法。该可溶性四烷基酞菁化合物符合如下结构通式：结构通式中，Rn代表直链或支化链的烷烃，n代表直链或支化链的烷烃的数目，M代表二价或二价以上的中心配体，L代表轴向配体，X代表L的数...; 耿延候田洪坤董少强; 文献传递

酞菁化合物及有机薄膜晶体管: 本发明实施例公开了一种酞菁化合物及有机薄膜晶体管，本发明向酞菁核周边的四个苯环上各引入一个烷基起到改善溶解性的作用；并且，四个烷基位于非外围位置，可以将烷基对酞菁核在薄膜中的排列方式的影响降到最低，以实现高的场效应迁移率...; 耿延候田洪坤董少强; 文献传递

Fe/MgO催化裂解甲烷制备碳纳米带: 2013年; 采用溶胶-凝胶法制备了Fe/MgO催化剂(E)。以甲烷为碳源,通过催化化学气相沉积法在E上生长出了碳纳米带(F),其结构和形貌经SEM和TEM表征。在最佳制备条件[E中Fe负载量为50%,甲烷流速70mL·min-1,于870℃反应1 h]下制备的F宽度约135 nm,厚约89 nm,长度在几十微米量级。; 唐小淋瞿美臻张静娴姜锦锦董少强; 关键词：催化裂解甲烷 FE MGO

二辛基酞菁氧钒的合成、表征和半导体性质被引量：1: 2016年; 设计与合成了2,3-二辛基酞菁氧钒(2,3-C8OVPc),2,16(17)-二辛基酞菁氧钒(dp-C8OVPc),1,15-二辛基酞菁氧钒(1,15-C8OVPc)和1,18-二辛基酞菁氧钒(1,18-C8OVPc)4种可溶性酞菁氧钒衍生物,研究了辛基位置对该类化合物的物理化学性质、固态薄膜形貌和有机薄膜晶体管(OTFT)器件性能的影响.在溶液状态下,辛基的位置对共轭分子的吸收光谱和前线轨道能级影响很小,它们的最大吸收峰均在700 nm左右,最高被占分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)能级分别约为-5.20和-3.80 eV.在薄膜状态下,吸收光谱显著红移,且红移幅度与辛基的位置有关.4个化合物在薄膜中均以edge-on的方式排列,由它们制备的底栅-顶接触型OTFT器件的迁移率均大于0.1 cm^2/(Vs),其中2,3-C8OVPc的迁移率最高,达到0.19 cm^2/(Vs).; 董少强田洪坤耿延候王佛松; 关键词：有机半导体酞菁有机薄膜晶体管迁移率

可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物在制备有机薄膜晶体管中的应用: 本发明涉及可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物在制备有机薄膜晶体管中的应用。采用可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物作为有机薄膜晶体管源/漏电极间的半导体层(5)；所述的可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物的中心配体为三价或三价以上的原子...; 田洪坤董少强耿延候; 文献传递

可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物在制备有机薄膜晶体管中的应用: 本发明涉及可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物在制备有机薄膜晶体管中的应用。采用可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物作为有机薄膜晶体管源/漏电极间的半导体层(5)；所述的可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物的中心配体为三价或三价以上的原子...; 田洪坤董少强耿延候; 文献传递

一种可溶性酞菁化合物、其制备方法及一种有机薄膜晶体管: 本发明提供了一种可溶性酞菁化合物，具有式（I）结构或式（II）结构，R为烷基、烷氧基或烷硫基；M为二价金属或含配体的三价以上金属。本发明向酞菁核的2、3、16和17位上各引入一个相同的取代基，并保留酞菁核中的两个苯环不被...; 耿延候田洪坤董少强; 文献传递

多孔镍钴铝三元正极材料的制备研究被引量：3: 2015年; LiNi0.8Co0.15Al0.05O2作为一种锂离子电池正极材料,因容量高、循环性能好等优点而备受关注,但较低的倍率性能限制了其大规模应用。利用共沉淀法,在制备镍钴铝前驱体的过程中加入了一定量的碳纳米管分散液,在混锂高温焙烧过程中将碳纳米管部分除去,通过对材料进行扫描电镜(SEM)、算比表面积(BET)和能量散射光谱(EDS)等测试发现,碳纳米管的烧除在材料颗粒中留下了一定量的孔洞,同时在颗粒的内部还残留了一定量的碳纳米管。充放电测试显示,在5C下的放电比容量提升了14.73%。; 董少强谢正伟李想汪沣瞿美臻; 关键词：正极材料多孔碳纳米管

一种可溶性酞菁化合物、其制备方法及一种有机薄膜晶体管: 本发明提供了一种可溶性酞菁化合物，具有式（I）结构或式（II）结构，R为烷基、烷氧基或烷硫基；M为二价金属或含配体的三价以上金属。本发明向酞菁核的2、3、16和17位上各引入一个相同的取代基，并保留酞菁核中的两个苯环不被...; 耿延候田洪坤董少强; 文献传递

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董少强