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赵军伟

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：北京市科技新星计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 3篇氮化镓
  • 3篇氮化镓纳米线
  • 2篇等离子增强化...
  • 2篇电源
  • 2篇电源功率
  • 2篇性能研究
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇功率
  • 2篇氨法
  • 2篇氨化
  • 2篇GAN纳米线
  • 2篇场发射
  • 1篇性能表征
  • 1篇纤锌矿
  • 1篇纤锌矿结构
  • 1篇辉光
  • 1篇工艺参

机构

  • 4篇北京工业大学

作者

  • 4篇赵军伟
  • 3篇严辉
  • 3篇宋雪梅
  • 3篇张跃飞
  • 3篇王如志
  • 2篇张铭
  • 2篇王波
  • 2篇朱满康
  • 2篇刘晶冰
  • 2篇汪浩
  • 2篇侯育冬

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法
一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料制备与生长领域。Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉末与炭粉混合，研磨2min以上得到前驱物粉体；在经清洗和氢氟酸处理后烘干的衬底上镀厚度5n...
王如志赵军伟张跃飞严辉张铭王波宋雪梅朱满康侯育冬刘晶冰汪浩
文献传递
GaN纳米线的无氨法制备及其性能研究
GaN作为一种典型的第三代宽禁带直接带隙半导体材料，具有优异的物理化学性能较大的电子迁移率、良好的导电导热性、高的击穿场强、较好的抗辐射性和耐高温及抗化学腐蚀性等诸多特性，被认为是发展高频、高功率、高温、抗辐射、抗腐蚀的...
赵军伟
关键词：氮化镓纳米线工艺参数性能表征
一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法
一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料制备与生长领域。Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉末与炭粉混合，研磨2min以上得到前驱物粉体；在经清洗和氢氟酸处理后烘干的衬底上镀厚度5n...
王如志赵军伟张跃飞严辉张铭王波宋雪梅朱满康侯育冬刘晶冰汪浩
文献传递
无氨法制备GaN纳米线及其光电性能研究被引量：2
2014年
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,在无氨与1050℃的条件下通过气液固(V-L-S)机理成功制备出六方纤锌矿结构单晶GaN纳米线其拉曼测试结果表明,所制备的纳米线存在较大的表面无序度并表现出明显的小尺寸效应样品光致发光表明其具有典型的纳米线光谱特征,另外,无氨法制备的纳米线也具有较好的场发射特性.
赵军伟张跃飞宋雪梅严辉王如志
关键词：GAN纳米线场发射光致发光
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