赵红
- 作品数：109 被引量：25H指数：3
- 供职机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程核科学技术更多>>
- m面非极性GaN材料MOCVD生长和特性被引量：1
- 2007年
- 用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出m面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化m面GaN单晶薄膜.
- 谢自力张荣韩平刘成祥修向前刘斌李亮赵红朱顺明江若琏周圣明施毅郑有炓
- 关键词：MOCVDGAN
- 黏附层以及退火气氛对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响研究被引量：1
- 2015年
- 采用真空蒸镀方法在Si衬底上制备了Si/Au、Si/Ni/Au和Si/Ti/Au结构多层膜,进行多种条件下的退火实验,研究了不同黏附层对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响。实验结果表明,黏附层对硅的扩散起到阻挡作用,Ti层与Ni层作为阻挡层在较低温度下发生失效,退火气氛对阻挡层的失效具有显著影响。这表明Au/Si体系中扩散阻挡层失效的机制并不是直接的固相反应。文章提出势垒模型来解释扩散阻挡层的失效机制。
- 佟路戴姜平谢自力修向前赵红陈鹏张荣施毅韩平郑有炓
- 关键词：共晶扩散阻挡层
- 利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
- 2009年
- 采用金属有机物化学气相沉积技术在r面蓝宝石衬底上制备了a面GaN薄膜,用熔融的KOH在400℃对样品分别腐蚀1.0,1.5和2.0min.用扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射谱和阴极射线荧光对腐蚀前后的表面形貌进行分析.研究表明,400℃下腐蚀1.5min后出现了长平行四边形的条纹状,这是由于无极化的a面GaN表面极性各向异性,c向与m向上N原子悬挂键密度不同,同时稳定性不同,对OH-离子的吸附能力不同造成的,其中沿c方向易于腐蚀.同时,a面GaN腐蚀后出现了六角突起.我们认为这与穿透位错有关,而其形貌则与GaN薄膜的位错局部极性有关.
- 崔影超谢自力赵红梅琴李弋刘斌宋黎红张荣郑有炓
- 关键词：堆垛层错
- 一种宽光谱白光LED结构及生长方法
- 宽光谱白光LED结构，蓝宝石衬底或硅衬底上具有GaN缓冲层、厚度在50-2000nm以上的GaN支撑层，厚度为20-1000nm的N型GaN，浓度为5*10<Sup>18</Sup>cm<Sup>-1</Sup>；在N型...
- 张荣谢自力刘斌修向前华雪梅赵红傅德颐陈鹏韩平施毅郑有炓
- 文献传递
- 一种非极性面InN材料的生长方法
- 一种非极性面InN材料的生长方法，利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，在铝酸锂LiAlO<Sub>2</Sub>(100)衬底上合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN材料，所述m面是非极性面的一种，...
- 谢自力张荣刘斌修向前华雪梅赵红傅德颐韩平施毅郑有炓
- 文献传递
- MOCVD生长InGaN/GaN量子阱特性研究
- 本文研究了采用MOCVD在c面蓝宝石上保持垒层温度固定阱层生长温度不同时生长InGaN/GaN多量子阱结构。通过高分辨XRD对样品进行w-2theta扫描并对扫描结果进行拟合,得到量了阱结构每一层厚度和In组分:采用AF...
- 谢自力张荣刘斌修向前韩平赵红华雪梅施毅郑有炓
- 关键词：MOCVDINGAN/GAN多量子阱晶体生长
- In_(0.2)Ga_(0.8)N化合物肖特基太阳电池
- 2008年
- 制备了一个Au/Pt/In0.2Ga0.8N肖特基原型太阳电池。采用热电子发射(TE)模型和热电子场发射(TFE)模型拟合了肖特基的正向I-V曲线,结果显示两种模型计算所得到的肖特基势垒高度和理想因子非常相近,表明所制备的In0.2Ga0.8N肖特基的电流输运机制主要体现为热电子发射。当采用功率密度为300mW/cm2的氙灯照射时,In0.2Ga0.8N肖特基太阳电池呈现出的开路电压为0.91V,短路电流密度为7mA/cm2,填充因子为0.45,功率转换效率为0.95%。
- 薛俊俊赵红陈敦军谢自力张荣郑有炓
- 关键词：氮化铟镓化合物半导体肖特基太阳电池
- 化学气相淀积材料生长设备的反应源进气分配方法与装置
- CVD材料生长设备的反应源进气分配的方法，让分解温度相差较大的反应气源经各自的输运通道单独地进入反应腔体，并对分解温度较高的源气体进行加热预分解后再让其与分解温度较低的反应源气体充分混合后，在合适的温度下进行反应以外延生...
- 韩平吴军王荣华王琦于乐俞斐赵红华雪梅谢自力修向前张荣郑有炓
- 文献传递
- 表面电荷对GaN基HEMT器件输运特性影响的研究
- 2021年
- 使用ATLAS(silvaco)仿真软件研究了不同表面电荷对GaN HEMT器件输运性能的影响。通过改变表面正电荷浓度大小从10^(12)cm^(-2)增加至3×1013cm^(-2),器件击穿电压先快速减小,后趋于平缓。随表面负电荷浓度大小从10^(12)cm^(-2)增加至3×1013cm^(-2),其击穿电压先快速增加,后趋于不变。在同样设定的表面电荷状态下,随表面正电荷浓度增加,其漏极饱和电流先快速增加,后趋于不变,相较于无表面电荷时,漏极饱和电流最大增加了7.3%。随表面负电荷浓度增加,其漏极饱和电流先快速减小,后趋于不变,相较于无表面电荷时,漏极饱和电流最大减小了88.7%。结果表明,当表面为负电荷时,对器件输出特性影响较大。当表面电荷浓度达到-1013cm^(-2),能够使漏极饱和电流大大降低,为基于GaN HEMT的探测器/传感器设计提供了理论支撑。
- 潘传真陈鹏徐儒丰建波赵红施毅张荣郑有炓
- 关键词：表面电荷二维电子气击穿特性
- 全色型Micro-LED器件及其制备方法
- 本发明公开了一种基于III‑氮化物/有机半导体混合杂化结构的全色型Micro‑LED阵列显示及白光器件，其混合了无机与有机发光二极管器件来获得高效率、超高分辨率且主动式的Micro‑LED显示和照明光源。在具有p‑n结构...
- 刘斌王丹蓓赵红陶涛谢自力修向前陈敦军周玉刚张荣郑有炓
- 文献传递
