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赵阳

作品数：33 被引量：6H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金河北省自然科学基金博士科研启动基金更多>>
相关领域：理学电子电信经济管理农业科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 9篇学位论文
  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇经济管理
  • 1篇天文地球
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇语言文字
  • 1篇历史地理

主题

  • 6篇栅压
  • 6篇隧穿
  • 6篇半导体
  • 5篇晶体管
  • 5篇沟道
  • 4篇导体
  • 4篇等势
  • 4篇电极
  • 4篇电流
  • 4篇异质结
  • 4篇直接隧穿
  • 4篇金属
  • 4篇半导体异质结
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇定理
  • 3篇源区
  • 3篇中心极限定理
  • 3篇极限定理
  • 3篇功函数

机构

  • 32篇北京大学
  • 1篇四川大学

作者

  • 32篇赵阳
  • 18篇黄如
  • 15篇黄芊芊
  • 8篇陈诚
  • 8篇王慧敏
  • 7篇吴春蕾
  • 4篇陈亮
  • 4篇王佳鑫
  • 4篇朱昊
  • 3篇林猛
  • 3篇安霞
  • 3篇张兴
  • 3篇黎明
  • 2篇林文翰
  • 1篇刘朋强
  • 1篇李翠香
  • 1篇王超

传媒

  • 1篇数学进展
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇2014年中...
  • 1篇2014年中...

年份

  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 3篇2018
  • 6篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2002
  • 3篇2001
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明的隧穿场效应晶体管包括：衬底、源区内层、源区外层、栅叠层、漏区和沟道区内层和沟道区外层；本发明的超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管通过器件结构...
黄如赵阳吴春蕾黄芊芊
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一种锗基CMOS的制备方法
本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度，并在注入后通过牺牲氧化的方法改善由于离子注入、淀积掩蔽层与场区氧化物带来的锗基衬底表面的粗糙度的退化。本发明...
黄如林猛黎明安霞赵阳张冰馨刘朋强夏宇轩张兴
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阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管及其制备方法
一种阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管，包括一个底栅电极、一个底栅介质层、一个双层石墨烯有源区、一个金属源电极、一个金属漏电极、一个阶梯顶栅介质层和一个顶栅电极；所述底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介...
黄如王佳鑫黄芊芊吴春蕾朱昊赵阳
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P2P文件共享系统Maze的社会网络服务部署、分析及应用
随着Internet的广泛应用，应用范围也从电子邮件、网页浏览扩展到了文件共享和下载，而文件下载和共享应用首选的网络结构是P2P结构。随着Internet应用的深化，社会网络的概念日益重要，通过部署社会网络服务，可以将人...
赵阳
关键词：P2P文件共享系统社会网络
珠江三角洲臭氧对植被的影响和超临界水平区划
珠江三角洲是我国发展非常迅速的地区之一，土地肥沃，河流纵横，是全国重要的粮食基地和蔬菜基地。由于快速的经济发展和能源消耗，珠江三角洲(珠三角)的区域臭氧污染非常严重，并对农业生产有着潜在的威胁。近地面臭氧可以引起作物的不...
赵阳
关键词：珠江三角洲
一种二维材料/半导体异质结隧穿晶体管及制备方法
本发明公开了一种基于二维材料/半导体异质结的隧穿场效应晶体管及其制备方法。通过能带设计使得关态时该器件形成交错式能带结构，即二维材料和半导体材料之间不存在隧穿窗口，能够获得极低的关态电流。施加栅压能够调控二维材料/半导体...
黄如贾润东黄芊芊赵阳王慧敏陈诚
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一种二维材料/半导体异质结垂直隧穿晶体管及制备方法
本发明公开了一种二维材料/半导体异质结垂直隧穿场效应晶体管及制备方法，通过能带设计使得关态时该器件形成交错式能带结构，即二维材料和半导体材料之间不存在隧穿窗口，能获得极低的关态电流。施加栅压能够调控二维材料/半导体异质结...
黄如贾润东黄芊芊赵阳王慧敏陈诚
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IT项目风险管理理论及实践
赵阳
关键词：IT项目项目管理风险管理风险分析
一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法
本发明公开了一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法，在器件源区和沟道区之间插入由两种不同电子亲和势的纳米厚度的二维半导体材料重复堆垛形成的超晶格结构，构成能量窗口。当器件处于关态时，高于能量窗口的载流子被截断，无...
黄如贾润东黄芊芊王慧敏陈亮陈诚赵阳
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一种锗基CMOS的制备方法
本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用不同的钝化方法处理CMOS中的NMOSFETs与PMOSFETs，即PMOSFETs中使用有利于空穴迁移率提高的GeOx(其中0<x≤2)钝化层...
黎明林猛黄如安霞张冰馨赵阳郝培霖张兴
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