邓书康
- 作品数：78 被引量：59H指数：5
- 供职机构：云南师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省科技攻关计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 离子束溅射制备Si/Ge多层膜的结晶研究被引量：7
- 2005年
- 采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征。结果表明,所制备的Si/Ge多层膜中,当Ge子层的厚度为6. 2nm时, Si子层的结晶质量较好,表明适量的Ge含量有诱导Si结晶的作用。
- 邓书康陈刚高立刚陈亮俞帆刘焕林杨宇
- 关键词：离子束溅射拉曼光谱
- 铜锌锡硫薄膜太阳电池及其研究进展被引量：7
- 2014年
- 近些年,人们越来越关注太阳辐射的光伏利用。光伏发电技术在迅猛发展,薄膜太阳电池从占有主导地位的硅晶片技术中抢占了一定的市场份额。其中铜锌锡硫薄膜太阳电池因具有低成本、高的光电转化效率和吸收系数、合适的禁带宽度和环境友好等优点成为近年来薄膜太阳电池研究的热点。本文阐述了铜锌锡硫薄膜太阳电池的器件结构和性能特点,介绍了铜锌锡硫薄膜太阳电池的制备方法和研究进展,并对今后主要的发展方向进行了展望。
- 缪彦美刘颖郝瑞亭邓书康郭杰刘焕林
- 关键词：薄膜太阳电池光伏
- Ge覆盖层诱导晶化多晶Si薄膜的晶化特性研究被引量：1
- 2015年
- 采用电子束蒸发技术在衬底温度为180℃条件下生长具有Ge覆盖层的非晶Si薄膜,并于500℃、600℃、700℃真空退火5 h。采用Raman散射、X射线衍射(XRD)、全自动数字式显微镜等对所制备薄膜的晶化特性进行研究。结果表明,Ge覆盖层具有诱导非晶Si薄膜晶化的作用,且随着退火温度的升高a-Si薄膜晶化越显著。具有Ge覆盖层非晶薄膜经500℃退火5 h沿Si(400)方向开始晶化,对应晶粒尺寸约为4.9 nm。将退火温度升高到700℃时,非晶硅薄膜几乎全部晶化,晶化多晶Si薄膜在Si(400)方向表现出很强的择优取向特性,晶粒尺寸高达23.3μm。与相同条件下制备的无Ge覆盖层的非晶Si薄膜相比,晶化温度降低了300℃。
- 邓书康董国俊杨晓坤刘虹霞侯德东李明
- 关键词：多晶硅薄膜电子束蒸发非晶硅
- 一种基于光纤的压力探测装置
- 本发明涉及压力探测领域，具体涉及一种基于光纤的压力探测装置，本发明提供了一种基于光纤的压力探测装置。本发明包括光纤纤芯、光纤包层、受力部、光弹性材料部、衬底部。应用时，受力部压缩光弹性材料部，改变光弹性材料部的折射率，即...
- 杨雯杨培志邓书康葛文王琴周启航
- 文献传递
- 基于第一性原理的Ⅷ型Ba_(8)Ga_(16-x)Al_(x)Sn_(30)(x=0,6,16)笼合物结构稳定性及电子结构性质被引量：4
- 2021年
- 基于密度泛函的第一性原理从理论上探索Ba_(8)Ga_(16-x)Al_(x)Sn_(30)(x=0,6,16)笼合物的电子能带结构和结构稳定性。结果表明,Al置换Ga后笼合物的晶格常数增加,当Al部分置换Ga时笼合物结构稳定性增强;Ba_(8)Ga_(10)Al_(6)Sn_(30)笼合物由于费米能级附近能带较密集会表现出较好的电传输特性;在费米能级附近,Ba_(8)Al_(16)Sn_(30)具有较高的态密度,且态密度线更陡峭,这有利于提高材料的Seebeck系数,然而也可能引起材料结构的稳定性下降。这些结果为进一步研究Ba8Ga16Sn30笼合物提供较好的理论指导。
- 申兰先李德聪申开远郑杰刘祖明葛文邓书康
- 关键词：第一性原理热电材料电子结构
- 一种具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池
- 本发明涉及一种具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池，属太阳电池技术领域。本发明的具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池为：采用垂直的ZnO，TiO<Sub>2</Sub>和SiO<Sub>2</Sub>纳米棒阵列作为光耦合...
- 杨培志刘黎明郝瑞亭杨雯莫镜辉邓书康
- 文献传递
- Ga填充n型方钴矿化合物的结构及热电性能被引量：2
- 2008年
- 用熔融退火结合放电等离子烧结(SPS)技术制备了具有不同Ga填充含量的GaxCo4Sb12方钴矿化合物,研究了不同Ga含量对其热电传输特性的影响规律.Rietveld结构解析表明,Ga占据晶体学2a空洞位置,Ga填充上限约为0.22,当Ga的名义组成x≤0.25时,样品的电导率、室温载流子浓度Np随Ga含量的增加而增加,Seebeck系数随Ga含量的增加而减小.室温下霍尔测试表明,每一个Ga授予框架0.9个电子,比Ga的氧化价态Ga3+小得多.由于Ga离子半径相对较小,致使Ga填充方钴矿化合物的热导率κ及晶格热导率κL较其他元素填充的方钴矿化合物低.当x=0.22时对应的样品在300 K时的热导率和晶格热导率分别为3.05 Wm-1.K-1和2.86 Wm-1.K-1.在600 K下Ga0.22Co4.0Sb12.0样品晶格热导率达到最小,为1.83 Wm-1.K-1,最大热电优值Z,在560 K处达1.31×10-3K-1.
- 苏贤礼唐新峰李涵邓书康
- 关键词：热电性能
- 一种基于弹光效应的压力探测装置
- 本发明涉及压力探测领域，具体提供了一种基于弹光效应的压力探测装置，包括基底层、第一透光部、第二透光部、第一半透膜、第二半透膜、弹光材料部、受力部，第一透光部、第二透光部设置在基底层上，第一透光部和第二透光部相对设置，第一...
- 杨雯杨培志邓书康周启航葛文王琴
- 文献传递
- 一种砷化镓/锑化镓太阳电池的制作方法
- 本发明公开了一种砷化镓/锑化镓太阳电池的制作方法，包括以下步骤：以砷化镓单晶片为衬底，利用分子束外延(MBE)生长技术，在砷化镓衬底上生长子电池吸收层，具体过程包括：A)580℃条件下在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；...
- 郝瑞亭杨培志申兰先邓书康涂洁磊廖华
- MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜被引量：3
- 2010年
- 利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(HallEffect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性能和光学质量进行了研究。发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高。引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通位错,对应的PL谱强度增强,材料的光学质量变好。
- 郝瑞亭申兰先邓书康杨培志涂洁磊廖华徐应强牛智川
- 关键词：GASBGAAS
