邢益荣
- 作品数：19 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 分子束外延生长GaAs中δ掺杂研究被引量：1
- 1996年
- 利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现，外延生长Siδ掺杂GaAs时，随着生长温度的升高，Si掺杂分布SIMS峰非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Si原子的扩散。另外，Si施主电激活效率随着生长温度的提高而增大。
- 钟战天吴冰清曹作萍朱文珍张广泽张广泽陈新王佑祥陈新邢益荣
- 关键词：分子束外延Δ掺杂砷化镓
- Si高指数表面上的纳米台阶被引量：1
- 1999年
- 实验表明：Ｓｉ（１１２）晶面不稳定，导致形成（１１１）－７×７和（３３７）小平面构成的台阶结构，其线度为纳米量级：Ｓｉ（５，５，１２）是比Ｓｉ（３３７）更为稳定的晶面，它的２×１再构的表面原子的周期起太也为纳米量级。Ｓｉ（１１２）和Ｓｉ（５，５，１２）都有望用来作为制备量子线结构材料的衬底。
- 邢益荣
- 关键词：硅
- Si(5,5,12)——一个大元胞的稳定表面
- 1998年
- 利用常规的ＬＥＥＤ和高分辨率的ＳＰＡ－ＬＥＥＤ技术研究了标称（３３７）的Ｓｉ表面原子结构．经过反复的离子轰击（７００ｅＶＡｒ＋）和１３００Ｋ退火之后的这种表面形成稳定的（５，５，１２）晶面，即结构周期为（３３７）＋（２２５）＋（３３７）的有序的原子排列．这一事实说明：Ｓｉ（５，５，１２）是比Ｓｉ（３３７）更为稳定的晶面．ＬＥＥＤ和ＳＰＡ－ＬＥＥＤ图像证实，稳定的Ｓｉ（５，５，１２）表面为（２×１）原子再构，即沿［１１０］方向的周期是体内结构周期的两倍，而沿［６６５］方向的周期与体内结构周期相同．Ｓｉ（５，５，１２）－２×１表面的元胞面积为０．７６８×５．３４８ｎｍ２，这是至今所观察到的最大表面元胞之一．结合其它的实验结果，提出了一个Ｓｉ（５，５。
- 邢益荣W.朗克胡晓明
- 关键词：硅LEEDSPA-LEED
- 迁移增强外延GaAs／Al／GaAs材料生长及其俄歇分析
- 1996年
- 在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明，用ＭＥＥ方法生长的材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的互扩散大大减小，在５００℃热处理后也没有引起多大的互扩散。我们还发现在高指数ＧａＡ５（１１３）Ｂ面上用ＭＥＥ方法生长ＧａＡｓ薄膜效果更好。
- 钟战天崔玉德曹作萍张广泽孙学浩张立宝肖君朱勤生邢益荣
- 关键词：俄歇分析砷化镓
- Si(112)高密勒指数面的理论研究
- 1993年
- 本文用Si_(39)H_(32)、Si_(35)H_(30)、Si_(91)H_(64)和Si_(58)H_(46)原子集团模型模拟Si(112)高密勒指数面,探讨了模拟Si(112)表面模型的选取,计算了诸原子集团中的电荷分布。发现,Si(112)表面元胞所处的环境对表面元胞中电荷分布性质有根本影响,大规模原子集团模型Si_(91)H_(64)较好地模拟了Si(112)表面的性质。不同的模型下都得到一个共同的电子结构特性,即表面原子在悬键方向存在电荷的趋向集居,且这种性质对台面原子尤为明显。这个结果说明,表面电荷的趋向集居是由表面原子的结构特点决定的。
- 张瑞勤吴汲安邢益荣
- 关键词：硅电荷分布
- H原子吸附对Si（113）表面的影响
- 1995年
- 本文采用半经验分子轨道理论方法ＡＭＩ研究用Ｓｉ１６Ｈ２１模拟的Ｓｉ（１１３）高指数表面及其吸附Ｈ原子的体系，得到生成热和表面原子上受力随吸附的变化．从生成热分析得知，Ｓｉ（１１３）表面上形成Ｓｉ─Ｈ２吸附比Ｓｉ─Ｈ容易，且为放热吸附；受力分析指出了表面原子再构发生的趋向，而吸附则引起趋向改变．
- 张瑞勤吴汲安邢益荣
- 关键词：氢原子半导体
- Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究
- 1992年
- 利用低能电子衍射(LEED)研究了离子轰击加退火处理的和淀积外延的两种Si(113)表面的原子结构。发现对于经750—800℃退火后的两种Si(113)表面,当其温度高于600℃时存在1×1非再构表面相。随着样品温度缓慢地冷却至室温,Si(113)-1×1表面经过3×1(约600—400℃)最后转变为3×2再构。当退火温度为600℃时,则只出现3×1再构,室温下的3×2和3×1表面都是很稳定的。讨论了表面杂质对Si(113)表面原子结构的影响。在衬底温度为580℃的Si(113)表面上进行淀积生长,当外延层厚度约为20个原子单层时,未经退火处理的表面仍显示为清晰的3×1结构。从而证明,利用Si(113)作为衬底进行外延,可获得很完整的表面。
- 邢益荣吴汲安张敬平刘赤子王昌衡
- 关键词：硅电子衍射原子结构低能
- Al_xGa_（1－x）As外延层中Si平面掺杂的SIMS研究
- 1995年
- 利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）系统地研究了生长温度，Ａｌ组份ｘ值和Ａｓ＿４压强对Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ的ＳＩＭＳ深度剖面，Ｓｉ原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现，在外延生长Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ时，随着生长温度的提高或Ａｌ组份Ｘ值增加，Ｓｉ掺杂分布ＳＩＭＳ峰都非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Ｓｉ原子的扩散，因此ＳＩＭＳ剖面的展宽与扩散无关。另外，我们还发现Ａｓ＿４压强高于１．５×１０￣（－５）ｍｂａｒ时，Ａｓ＿４压强对δ掺杂空间分布影响不大，而Ａｓ＿４压强低于此压强时，Ｓｉ掺杂分布峰宽度增加很快，这主要由杂质扩散作用引起。生长温度对掺杂分布峰影响最大，其次是Ａｌ组份影响，而较小Ａｓ＿４压强的影响不可忽视。这些研究结果对外延生长Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ材料是有价值的。
- 钟战天吴冰清曹作萍张广泽王佑祥陈新朱文珍张立宝肖君朱勤生邢益荣
- 关键词：ALGAAS分子束外延二次离子质谱
- Si(113)表面电子结构的研究
- 1989年
- 采用Si_(16)H_(21)和Si_(31)H_(39)原子集团分别模拟Si(113)和Si(111)表面;通过半经验自洽CNDO法计算了两个体系的电子结构.结果表明,Si(113)具有与Si(111)不同的表面态特征.Si(113)表面台阶和台面原子上电荷重新分布,与悬键相关的表面电子态都强烈地定域在表面Si原子上,尤其局域在悬键方向上,并且具有比(111)面上更高的悬健态密度.理论计算结果能解释以前的光电子谱实验.
- 张瑞勤王家俭戴国才吴汲安张敬平邢益荣
- 关键词：硅电子结构
- (113)B-GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱结构的光致发光谱研究
- 1997年
- 光致发光（PL）实验表明；与（001）衬底比较，（113）B－GaAs／Al0.3Ga0.7As单量子阱结构（SQW’s）具有增强的光跃迁几率，它被归因于（113）B－GaAs阱中较大的重空穴有效质量mhh结果给出：这个数值比以前所报道的都高．
- 陈定钦邢益荣李国华朱勤生曹作萍张广泽肖君吴汲安钟战天
- 关键词：超晶格光致发光谱
