郑世棋
- 作品数：87 被引量：65H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程机械工程更多>>
- 微波功率器件结温显微红外检测技术研究
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- 1、项目所属科学技术领域该项目属于“计量科学技术”研究领域，研究的仪器对象为“用于微波功率器件结温的显微红外热像仪”，简称显微红外热像仪，主要研究利用显微红外热像仪对微波功率器件进行准确的结温检测，属于质量检测技术研究范...
- 关键词：
- 关键词：微波功率器件机械结构设计
- 微电子器件红外测温中的发射率测量方法研究被引量：3
- 2015年
- 为了使红外热像仪能够准确测量微电子器件中微米级发热结构的温度,并克服由热胀冷缩引起的器件形变问题,提出了一种单温度发射率测量方法。分析了在用传统的双温度发射率测量方法对微电子器件进行红外检测时热胀冷缩对检测结果的影响。在温度变换过程中,器件的形变效应会严重影响温度测量结果。提出了一种针对微电子器件显微红外测试的单温度发射率测量方法。该方法只需将被测件保持在一个固定温度下即可对发射率进行测量。理论分析结果表明,该方法与双温度法在最终的测量结果上是等效的。单温度发射率测量方法可以有效避免微电子器件的形变影响,因而可保证温度测量结果的准确性和可靠性。
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- 关键词：微电子发射率
- 1MΩ～100GΩ高值电阻器高精度的校准方法被引量：1
- 2015年
- 高阻计、数字源表等仪器在半导体行业有着广泛的应用. 但目前市场上1MΩ-100GΩ高值电阻器准确度（±1. 0x10-3 -±1. 0x10-2）无法满足高阻计、数字源表等仪器电阻参数的溯源需求. 本文提出了一种高精度的高值电阻器的校准方法,该方法由两个多功能校准源和指零仪组成的比较电桥实现. 根据校准方法组建了1MΩ-100GΩ测量系统,测量结果的不确定度为3. 0x10-5 -8. 0x10-4,可满足市场上绝大部分高阻测量仪器的校准需求.
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- 关键词：校准方法高阻计
- 脉冲法结温测量中校温曲线随电流变化现象的研究被引量：2
- 2020年
- 以功率二极管为实验对象,研究了大电流条件下脉冲法结温测量中校温曲线随电流变化的现象。通过搭建脉冲法校温曲线测量装置,在不同电流条件下开展了校温数据测试工作。测试结果显示,校温曲线随测试电流大小变化显著。测试电流增大过程中,校温曲线斜率由负转正并不断增大,曲线线性程度减弱。理论分析表明,器件内部串联电阻是导致校温曲线变化的主要原因。对校温曲线随电流变化规律进行分析,可为测试电流选取及校温曲线模型建立提供指导,减小大电流情况下脉冲法测量结温的误差。
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- 关键词：脉冲法结温测量功率二极管串联电阻
- 可溯源的在片高值电阻测量系统及其溯源方法
- 本发明公开了一种可溯源的在片高值电阻测量系统，属于测试和测量技术领域。可溯源的在片高值电阻测量系统包括高值电阻测量仪器、探针系统，高值电阻测量仪器和探针系统通过线缆连接，探针系统包括探针一组和探针二组，所述高值电阻测量仪...
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- 一种像素畸变的校正方法、校正装置及终端
- 本发明适用于校正技术领域，提供了一种像素畸变的校正方法、校正装置、终端及计算机可读存储介质，所述校正方法包括：获取被测目标的多帧图像，分别获取每帧图像上对应于指定像素位置的像素点的像素值，得到多个像素值，确定所述多个像素...
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- 一种皮纳安级直流电流源高精度校准系统
- 本发明公开了一种皮纳安级直流电流源高精度校准系统，涉及半导体器件直流电流特性测量技术领域。包括数字多用表、高值电阻/短路器、线性稳压电源和有源校准适配器，所述有源校准适配器的电阻信号输入端与所述高值电阻/短路器连接，所述...
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- 文献传递
- 无源器件噪声标准值的计算方法
- 本发明公开了一种无源器件噪声标准值的计算方法，涉及噪声测量技术领域。该方法包括以下步骤：建立无源器件的散射参数‑噪声模型；根据所述无源器件的散射参数‑噪声模型得出所述无源器件的噪声相关矩阵；所述无源器件的噪声相关矩阵中包...
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- 文献传递
- 电学法热阻测试仪校准方法研究被引量：3
- 2015年
- 论文分析了电学法热阻测试仪的工作原理及测量过程,明确了测量过程中各个电、热参数对热阻测试结果的作用和意义。由热阻的基本定义出发,推导出了各种电热参数与热阻之间的测量模型,选择K系数测量电流的短期稳定性,电压测量值,加热电流和加热电压,加热平台温度,参考位置温度为主要校准参数。从整体校准的角度,给出了校准方法,分析了各种影响量引入的测量不确定度,给出了最终测量不确定度评定过程。为实现电学法热阻测试仪的整体校准奠定了基础。
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- 关键词：电学法校准测量不确定度
- 用于校准在片高值电阻测量系统的标准件及其制备方法
- 本发明公开了一种用于校准在片高值电阻测量系统的标准件及其制备方法，涉及计量技术领域。本发明的标准件包括衬底，在衬底上注入硼离子，在注入硼离子的衬底上设有若干对金属电极，每一对金属电极构成一个独立单元，在同一个衬底上的所有...
- 刘岩乔玉娥郑世棋梁法国吴爱华翟玉卫丁晨程晓辉李盈慧
- 文献传递
