鄢波
- 作品数：7 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 锗量子点超晶格的光学特性被引量：1
- 2005年
- 对自组装生长的Ge量子点超晶格样品进行了光荧光谱 (PL谱 )和拉曼散射谱 (Raman谱 )实验测量研究 .对Si的TO发光峰和Ge的发光峰特征进行了深入讨论 ,通过对变温PL谱的拟合及分析提出了对Ge量子点尺寸和其电子有效质量一种新的测评方法 ;首次在非共振Raman模式下观测到低频声子模 ,研究了样品的结构组份、应变及声子限制效应间的关联性 .
- 施毅杨铮濮林鄢波王军转刘建林张荣郑有
- 关键词：PL谱RAMAN谱
- AlN/S i(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱被引量：2
- 2005年
- 本工作用化学气相淀积方法在A lN/S i(100)复合衬底上生长S iC薄膜。外延生长过程中,采用C4H4和S iH4作为反应气源,H2作为载气。样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的S iC薄膜。俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的A l和N元素。样品的光致发光测量显示,所有的样品均可在室温下观察到位于3.03 eV和3.17 eV处的发光峰,这分别相应于4H-S iC能带中电子从导带到A l受主能级之间的辐射跃迁和电子从N施主能级到价带之间的辐射跃迁,从而表明所得的外延薄膜的多形体为4H-S iC。
- 秦臻韩平韩甜甜鄢波李志兵谢自力朱顺明符凯刘成祥王荣华李云菲S.XuN.Jiang顾书林张荣郑有炓
- 关键词：CVD光致发光
- 金属Ni诱导横向晶化Ge纳米点/Si多层异质薄膜的特性
- 2006年
- 研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生长了高密度Ge/aSi量子点多层结构,然后在较低温度下(低于550℃),利用金属Ni诱导多层结构中的aSi层横向结晶制备出高质量的Ge/Si量子点超晶格结构.通过光学显微镜、电子显微镜和显微喇曼光谱等手段测量研究表明,与单一aSi系统的金属Ni诱导相似,该多层结构中的各αSi层退火后也具有(110)择优取向,同时晶粒的直径较大,约在4～5μm左右.Ge点中的应力状态的变化揭示出诱导结晶后形成高质量的晶态Si与Ge纳米点界面.
- 鄢波张匡吉施毅濮林韩平张荣郑有炓
- 关键词：金属诱导横向结晶
- Ge纳米点/非晶Si多层异质薄膜的金属Ni横向诱导晶化
- 利用LPCVD方法在SiO/Si(100)衬底上生长了高密度Ge/a-Si量子点多层结构。然后在低温下(低于550℃),利用金属Ni 诱导结构中的非晶Si 横向结晶(MILC)。通过对薄膜的光学显微镜,透射电镜(TEM)...
- 鄢波施毅张匡吉濮林韩平张荣郑有炓
- 文献传递
- Ge纳米点/Si多层异质薄膜制备特性研究
- Ge／Si量子点体系在单电子器件、光电子器件以及热电器件等方面具有极为广阔的应用前景,尽管有关研究工作已经取得了很大的发展,但在高质量材料制备方面依然面临着很多的难题。本文报道了一种结合低压化学气相沉积(LPCVD)和金...
- 施毅鄢波张匡吉张轶群叶敏华濮林张荣郑有炓
- 文献传递
- 锗/硅量子点结构薄膜制备与特性研究
- 半导体量子点结构中载流子(如电子、空穴和激子)强量子限制作用使得其电学和光学性质发生了很大的变化，有望在单电子器件、光电子器件以及热电器件等方面得到广阔的应用。由于与大规模集成电路工艺的兼容性，Ge量子点/Si体系一直是...
- 鄢波
- 关键词：半导体薄膜锗量子点硅量子点微结构金属诱导结晶
- 文献传递
- 基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法
- 基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法，在硅晶片、二氧化硅、氮化硅，玻璃或石英基片构成的绝缘衬底上；采用化学气相沉积(CVD)自组织方法生长多层Ge量子点/a－Si膜，所述的化学气相沉积包括在约450－5...
- 施毅鄢波濮林张匡吉韩平张荣郑有炓
- 文献传递
