闫君
- 作品数：4 被引量：12H指数：3
- 供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：内蒙古自治区自然科学基金内蒙古自治区高等学校科学研究项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 稀土Dy掺杂纳米SnO_2薄膜的结构与气敏特性被引量：5
- 2009年
- 采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备稀土Dy掺杂Sn薄膜,对薄膜进行合适的氧化、热处理后获得Dy掺杂SnO2薄膜。用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、静态配气法对薄膜性能进行测试,研究不同掺Dy含量和热处理条件对SnO2薄膜的影响。结果显示,制备的SnO2薄膜呈金红石结构为n型;在相同热处理条件下,Dy掺杂可明显缩短薄膜氧化、热处理的时间;适当掺入稀土Dy可明显改善SnO2薄膜的结构、气敏特性。掺Dy 3at%后可大大提高SnO2薄膜对丙酮气体的灵敏度。
- 闫君李健汪良
- 关键词：SNO2薄膜气敏特性
- Zn掺杂SnS薄膜的制备及表征
- 真空单源共蒸法在玻璃衬底上制备Zn掺杂SnS薄膜，对薄膜进行不同条件热处理（氮气保护）.用X射线衍射仪、原子力显微镜、手动轮廓仪、光电子能谱仪、紫外-可见分光光度计、台式繁用表等方法对薄膜物相结构、表面形貌、光、电性能等...
- 闫君
- 文献传递
- Zn掺杂SnS薄膜的表征及光学特性被引量：3
- 2012年
- 真空共蒸发制备掺Zn(2%,4%(质量比))的SnS薄膜。研究热处理对Zn掺杂SnS薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出2%掺Zn薄膜经300℃,40 min热处理后,得到正交晶系的SnS多晶薄膜。掺Zn可一定程度抑制薄膜中S的损失,使薄膜体内Sn∶S元素化学计量得到改善,从未掺Zn的Sn∶S比为1.90∶1降到1.38∶1(2%)及1.36∶1(4%)。掺Zn后SnS薄膜的吸收边都发生红移,光吸收系数高达105cm-1。未掺Zn薄膜的直接光学带隙1.95 eV,掺Zn是1.375 eV(2%)和1.379 eV(4%)。Sn和S在薄膜中分别呈+2和-2价态,Zn以间隙和替位两种状态存在。
- 徐志虎李健闫君
- 关键词：光学特性
- 用Zn掺杂和热处理改善SnS薄膜的电学特性被引量：5
- 2013年
- 用质量比为1%∶0.2%(质量分数)的Sn、S混合粉末在玻璃衬底上热蒸发沉积SnS薄膜,氮气保护下对薄膜进行350℃、40min热处理后,得到简单正交晶系SnS多晶薄膜,薄膜的电阻率为103Ω.cm,选择2%和4%(质量分数)的Zn掺杂来改善SnS薄膜的导电性。研究表明,SnS∶Zn薄膜最有效的热处理条件为300℃、40min,掺Zn后薄膜的物相结构转为简单正交和面心正交晶系混合相,SnS∶Zn薄膜(2%和4%(质量分数))的电阻率在1.8528×10-3～4.944×10-4Ω.cm之间,导电类型为N型。薄膜中Sn和S分别呈+2和-2价,Zn显示+2价,以间隙和替位两种状态存在于SnS中,对薄膜导电性起改善作用的是间隙态的Zn离子。
- 贾影李健闫君
- 关键词：热蒸发电学特性
