陈跃
- 作品数：12 被引量：40H指数：3
- 供职机构：福州大学电子科学与应用物理系更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>
- MIM结构薄膜应变栅的工艺研究被引量：1
- 2000年
- 阐述了采用直接沉积法制作MIM结构薄膜应变栅的工艺方法 ,对制备过程中所遇到的难点进行了分析并提出相应的解决方法 ,对所制作的薄膜应变栅式称重传感器进行了性能测试。
- 于映陈跃
- 关键词：传感器
- 氮化硅介质薄膜内应力的实验研究被引量：22
- 2001年
- 研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅介质薄膜的内应力。采用钠光平面干涉测量了氮化硅薄膜内应力 ,通过改变薄膜沉积时的工艺参数 ,考察了反应气体流量比、沉积温度、射频功率密度等因素对氮化硅薄膜内应力的影响。在此基础上 ,对氮化硅介质薄膜本征应力的形成机制进行了分析讨论。
- 于映陈跃
- 关键词：内应力氮化硅薄膜化学气相沉积介质薄膜等离子体
- 磁控溅射ITO透明导电薄膜的研究被引量：10
- 1999年
- 采用直流磁控反应溅射法制备锡掺杂氧化铟 （ Ｉ Ｔ Ｏ） 薄膜， 研究了不同的基片温度、氧分压等工艺参数对 Ｉ Ｔ Ｏ 薄膜电学、光学性能的影响， 制备出方块电阻为２０ － ５０ Ω、可见光透射率高于８６ ％ 的 Ｉ Ｔ Ｏ
- 陈跃
- 关键词：磁控溅射ITO导电薄膜掺杂
- 薄膜应变栅称重传感器的研制
- 1998年
- 运用薄膜沉积技术，制作了薄膜应变栅式称重传感器。性能测试表明，由于克服了粘接胶所带来的弊病，该类传感器与贴片式传感器相比具有滞后和蠕变小，稳定性和可靠性高的特点。
- 于映陈跃陈抗生
- 关键词：称重传感器蠕变
- MIM结构力敏薄膜应变栅的高温稳定性
- 2000年
- 运用薄膜技术在镍基弹性体上制备金属 -绝缘层 -金属 (MIM)结构的薄膜应变栅 ,测试了应变栅在 2 0 0～ 30 0℃的高温区内的稳定性 ,并分析了应变栅薄膜的结构、薄膜的应力以及热处理工艺等因素对力敏薄膜在高温下的稳定性的影响。
- 于映陈跃林吉申
- 关键词：稳定性
- 基体/介质/金属双层薄膜内应力的研究被引量：3
- 2001年
- 采用PECVD法和磁控溅射法在 40Cr钢基片上分别沉积氮化硅薄膜和NiCr合金膜 ,用钠光平面干涉法测量双层薄膜的内应力 ,并具体分析该双层薄膜的内应力与薄膜厚度及系统之间的关系 .
- 于映陈跃
- 关键词：内应力氮化硅薄膜薄膜厚度
- NiCr溅射薄膜厚度分布的Monte Carlo模拟被引量：2
- 1998年
- 本文采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ（ＭＣ）方法对Ｓ－枪溅射ＮｉＣｒ薄膜过程进行了计算模拟，得到了沉积粒子在基片上的厚度分布，讨论了不同沉积参数对薄膜厚度分布的影响。
- 于映陈跃陈抗生
- NiCr溅射薄膜内应力的研究被引量：3
- 2000年
- 本文采用磁控溅射法在 0 .5mm厚的 40 Cr钢基片上沉积 1～ 1 2μm的 Ni Cr合金薄膜 ,运用钠光平面干涉法测量 Ni Cr溅射薄膜的内应力 ,研究表明影响 Ni Cr薄膜内应力的主要因素是工作气压和基片温度 ,并运用 Klokolm理论对该影响作用进行了分析。
- 于映陈跃
- 关键词：内应力磁控溅射
- S-枪溅射NiCr薄膜的Monte Carlo模拟
- 1998年
- 对Ｓ－枪溅射ＮｉＣｒ合金薄膜过程采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法进行了计算模拟．用靶刻蚀图形作为粒子发射频度函数，采用Ｔｈｏｍｐｓｏｎ能量分布，并考虑了环境气体的热运动，得到沉积粒子的能量、入射角度的分布随溅射工艺参数的变化规律．
- 于映陈跃
- 关键词：溅射镍铬合金蒙特卡罗模拟
- 氮化硅薄膜的PECVD沉积工艺与绝缘耐压性能被引量：2
- 2000年
- 用PECVD法制备氮化硅介质薄膜 ,分析了沉积温度、本底真空度及气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜绝缘耐压性能的影响 ,制备出 0 .4
- 于映陈跃
- 关键词：氮化硅PECVD绝缘性耐压性能
