陈长乐
- 作品数：182 被引量：475H指数：10
- 供职机构：西北工业大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金西北工业大学基础研究基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺电子电信一般工业技术更多>>
- 层状钙钛矿LaSr_2Mn_(2-x)Cu_xO_7的结构、磁性及电特性被引量：3
- 2008年
- 利用固相反应烧结法制备了层状钙钛矿锰氧化物LaSr_2Mn_(2-x)Cu_xO_7多晶样品.通过X射线衍射仪、超导量子干涉仪、直流四探针法对其结构和磁性、电特性进行了研究.结果表明,样品均为Sr_3Ti_2O_7型单相多晶,属四方晶系,空间群为I4/mmm.10%Cu的替代,破坏了LaSr_2Mn_2O_7的电荷有序态,从而呈现出一种典型的自旋玻璃特性,在T=225K发生自旋冻结.电性测量表明,Cu的替代,破坏了LaSr_2Mn_2O_7的导电特性,使此材料在整个观察的温区呈现绝缘体特性,进一步影响了其输运性性.
- 韩立安陈长乐高国棉
- 关键词：层状钙钛矿磁性电特性
- Pr_(0.5)Ca_(0.5)MnO_3/Si异质结输运特性和整流特性研究被引量：1
- 2010年
- 利用固相反应法制备Pr0.5Ca0.5MnO3(PCMO)靶材,并采用脉冲激光沉积法(PLD)在n型Si(111)基片上沉积PCMO外延薄膜,研究了薄膜的输运特性及薄膜与Si衬底形成异质结的整流特性.结果表明:在80—300K温度范围内,PCMO薄膜的阻温关系符合变程跳跃模型,随着温度的升高表现出从一维到二维再到三维的转变,分析认为可能源于轨道自由度对电子输运特性的影响.PCMO/Si异质结在磁场作用下整流特性得到改善,且在正向电流方向出现从正磁电阻到负磁电阻的过渡.
- 万冀豫金克新谭兴毅陈长乐
- 关键词：整流
- 高压下钼的声子色散的改进分析型嵌入原子法研究
- 2016年
- 应用改进分析型嵌入原子法模型计算了不同高压下金属钼的原子力常数和动力学矩阵,重现了压强下金属钼沿[00ζ]、[0ζζ]和[ζζζ]3个高对称方向上声子色散的实验结果,预测了钼在压强分别为60、80和100 GPa时的声子色散曲线。结果表明:压强分别为0.1 MPa、17 GPa和37 GPa时金属钼的声子色散曲线的模拟结果和实验值符合较好,特别在低频附近二者几乎一致,而在布里渊区的边界点附近,两者在数值上略有差异;在压强分别为60、80和100 GPa时所预测的声子色散曲线和常压下声子色散曲线的形状都非常相似;高压下所有振动支的振动频率均高于常压下的振动频率,且振动频率随压强的增大而增大。
- 张晓军王安祥高宾陈长乐
- 关键词：数值模拟改进分析型嵌入原子法
- 短脉冲XeCl激光动力学模型及辉光抽运设计被引量：5
- 2004年
- 以薄膜沉积、外延生长及后续的光刻、激光与物质的相互作用、等离子体研究为目的 ,研究了XeCl动力学模型及辉光实现。采用辉光脉冲放电方法 ,实现了激光输出 ,根据动力学方程、XeCl激光四能级模型 ,计算了Xe Cl反应速率及密度。结果表明 ,辉光放电稳定 ,激光脉宽短 ,功率高 ,辉光放电体积大 ,激光脉宽 18ns,单脉冲能量4 5 0mJ ,矩形光斑 2cm× 1cm ,束散角 3mrad。动力学分析和系统模型成立 。
- 任韧陈长乐朱世华徐进金克新王永仓袁孝宋宙模
- 关键词：XECL准分子激光纳秒放电辉光放电
- XeCl准分子激光器激励电路设计与优化被引量：1
- 2005年
- XeCl准分子激光器激励电路性能对激光器的输出特性有很大的影响,我实验室自制的XeCl准分子激光器创新性的采用了火花开关控制电路,对瞬时大电流进行控制,取得了满意的效果。针对激光器在实验过程中出现的问题,采用了过流保护、光耦合器隔离,电磁屏蔽等措施,优化了激光器的性能。实测数据表明采用的设计及改进措施使激光器激励电路工作稳定,激光器输出达到设计要求。
- 李潭陈长乐
- 关键词：准分子激光器XECL开关控制电路电路性能激励电路
- 旋转磁场作用下Pb-Sn合金的凝固行为被引量：9
- 2006年
- 采用永磁体旋转装置实现了Pb-50wt%Sn亚共晶、Pb-61.9wt%Sn共晶合金旋转磁场条件下的凝固,并对其凝固规律进行了研究。发现与常规条件下相比,旋转磁场导致的合金熔体内部强迫对流加快了合金熔体的冷却速率,提高熔体初始形核温度,促发熔体提前形核并能使凝固时间缩短。Pb-61.9wt%Sn共晶合金的宏观偏析被有效抑制,在整个样品中得到了二元共晶组织,共晶层片粗化,局域地区出现了不规则共晶组织。对于Pb-50wt%Sn亚共晶,初生相(Pb)的生长方式由粗大枝晶转变为细小的球状颗粒,且晶粒显著细化。
- 王建元陈长乐孟小华
- 关键词：旋转磁场
- Bi_4Ti_3O_(12)/BaTiO_3铁电复合薄膜的制备被引量：3
- 2014年
- 利用脉冲激光分子束外延技术(MBE)在LaAlO3(100)基片上依次沉积了La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)、BaTiO3(BTO)和Bi4Ti3O12(BIT)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、压电力显微镜(PFM)和铁电仪研究了复合薄膜的晶体结构、表面形貌、畴结构、单点压电响应信号以及电滞回线。结果表明所制BIT/BTO铁电复合薄膜沿c轴择优取向生长,其PFM相位曲线的畴翻转特征加之明显的振幅-电压蝴蝶曲线证实了该复合薄膜具有良好的铁电性;在外加8 V电压下BIT/BTO复合薄膜的剩余极化强度(2Pr)为(2.6±0.1)×10–6 C/cm2,而单层BIT和BTO铁电薄膜的2Pr仅为(1.1±0.1)×10–6 C/cm2和(0.3±0.1)×10–6 C/cm2,该现象与复合薄膜的界面效应以及晶体结构畸变有关。
- 张云婕陈长乐郭兵王晶
- 关键词：BIT分子束外延矫顽场
- 衬底温度对PLD法生长的Mg_(0·05)Zn_(0·95)O薄膜结构和发光特性的影响被引量：11
- 2008年
- 用脉冲激光沉积(PLD)法在不同温度的Si(111)衬底上成功制备了c轴择优取向的Mg0·05Zn0·95O薄膜.通过X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)研究了衬底温度对Mg0·05Zn0·95O薄膜结构和发光特性的影响,探讨了薄膜的结晶质量与发光特性之间的关系.结果表明,在衬底温度为450℃时生长的Mg0·05Zn0·95O薄膜具有很好的c轴取向和较强的光致发光峰.室温下分别用激发波长为240,300和325nm的氙灯作为激发光源得到不同样品的PL谱,分析表明紫外发光峰和紫峰来源于自由激子的复合辐射且发光强度与薄膜的结晶质量密切相关,蓝绿发光峰与氧空位有关.此外,探讨了衬底温度影响紫外光致发光峰红移和蓝移的可能机理.
- 吴小丽陈长乐韩立安罗炳成高国棉朱建华
- 关键词：PLD衬底温度光致发光
- 相场参数对强制流动下枝晶生长影响的模拟研究被引量：11
- 2009年
- 基于相场方法对强制流动下的纯物质凝固过程进行数值模拟,研究流速、过冷度、耦合参数、各向异性参数对枝晶生长的影响。结果表明:强制流动下的晶核生长为非对称的枝晶,迎流方向的枝晶臂尖端生长得到促进、逆流方向的受到抑制、垂直流方向则影响很小;随着过冷度、耦合参数、各向异性值的增大,3个方向的枝晶臂生长速度均增加。
- 陈志陈长乐郝丽梅
- 关键词：相场法枝晶生长过冷度各向异性
- 镧掺杂BaSnO_3薄膜的电学和光学特性被引量：1
- 2015年
- 利用射频磁控溅射法在(LaAlO_3)_(0.3)(SrAl_(0.5)Ta_(o.5)O_3)_(0.7)(001)单晶基底上生长了镧掺杂BaSnO_3外延薄膜.通过Hall效应和热电势测量证实了镧掺杂BaSnO_3薄膜具有n型简并半导体特征,并且基于载流子浓度和Seebeck系数计算出电子的有效质量为0.31m_0(m_0为自由电子质量).镧掺杂BaSnO_3薄膜在可见波段具有良好的透明性(透过率大于73%).基于介电模型对薄膜的透过率曲线进行拟合,从拟合结果中不仅得到了薄膜的厚度为781.2 nm,能带宽度为3.43 eV、带尾宽度为0.27 eV和复光学介电常数随波长的变化规律,而且也强力地支持了基于电学参数计算电子有效质量的正确性.
- 费潇罗炳成金克新陈长乐
- 关键词：光学性质
