陈鹏
- 作品数：10 被引量：40H指数：4
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- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 直流反应磁控溅射WO_3薄膜气敏特性研究被引量：8
- 2007年
- 用直流反应磁控溅射法制成纳米结构的WO3薄膜气敏传感器,通过XRD,SEM和XPS对该薄膜的晶体结构和化学成分进行分析,研究了不同基片上制备的WO3薄膜的氨敏特性与薄膜厚度、退火温度的关系.实验得到的薄膜粒径大小约30-50nm,结果表明:在未抛光的三氧化二铝基片上沉积厚度为40nm的WO3薄膜,经过400℃退火,在体积分数为5×10-5NH3中的灵敏度达到300,而且气体选择性好,响应-恢复时间短,可以作为理想的氨敏元件.
- 尹英哲胡明冯有才陈鹏
- 关键词：WO3薄膜直流反应磁控溅射
- 三氧化钨纳米薄膜制备与气敏性能的研究被引量：4
- 2007年
- 讨论一种对二氧化氮具有高灵敏性的WO3纳米薄膜的制备方法.当基片温度为室温,溅射混合气体(O2/Ar)的比例为1:1时,用直流反应磁控溅射法制备的薄膜,经过两步热处理(300℃/600℃),得到纳米结构WO3气敏元件.通过XRD、XPS和SEM对该薄膜的晶体结构和化学成分进行分析,用静态配气法测试NO2气敏特性.在Si3N4基片上制备的这种薄膜对空气中较低浓度的NO2(体积分数为0.1×10-5～3×10-5)具有优异的敏感特性和响应特性,最佳工作温度为150℃,在此温度下对其他一些气体(如CO,C2H5OH,NH3)的敏感性很差,显示出良好的选择性.
- 尹英哲胡明冯有才陈鹏
- 关键词：灵敏度直流反应磁控溅射
- 直流反应磁控溅射法制备WO_3薄膜及其氢敏特性研究被引量：8
- 2008年
- 采用直流反应磁控溅射法,在未抛光的A l2O3基片上制备WO3薄膜,在干燥空气中经过热处理;利用SEM观察薄膜表面形貌;通过XRD测量,对薄膜的晶体结构进行分析;薄膜氢敏特性测试采用静态配气法。经过400℃热处理,当工作温度在270℃时,对体积分数为3×10-4氢气的灵敏度达到了77,稳定性较高,选择性好,响应时间很快,在15 s以内,是一种较理想的氢敏材料。
- 胡明冯有才尹英哲陈鹏
- 关键词：磁控溅射WO3氢传感器灵敏度
- Pt-WO3薄膜气敏传感器的气敏性能研究被引量：2
- 2008年
- 用直流反应磁控溅射法制备了Pt-WO3气敏薄膜，进行了薄膜晶体结构和表面形貌的分析，研究了添加Pt对WO3电学和气敏特性的影响。实验证明：当Pt膜厚为4nm时，WO3薄膜对气体的敏感特性得到改善，对φ（NO2）=5×10^-6和φ（NH3）=10×10^-6的工作温度均降低了50℃，灵敏度分别达到11．5和900，是纯WO3薄膜的2～3倍，且响应时间缩短。
- 李昌青胡明尹英哲马晋毅冯有才陈鹏
- 关键词：直流反应磁控溅射灵敏度
- 磁控溅射法制备WO3薄膜及其氢敏特性研究
- 采用直流反应磁控溅射法,在未抛光的 AlO基片上制备 WO薄膜,在干燥空气中经过热处理;利用 SEM 观察薄膜表面形貌;通过 XRD 测量,对薄膜的晶体结构进行分析;薄膜氢敏特性测试采用静态配气法。经过400℃热处理,当...
- 胡明冯有才尹英哲陈鹏
- 关键词：磁控溅射WO3氢敏传感器
- 文献传递
- 磁控溅射法制备WO_3薄膜及其氢敏特性研究被引量：1
- 2007年
- 采用直流反应磁控溅射法,在未抛光的Al2O3基片上制备WO3薄膜,在干燥空气中经过热处理;利用SEM观察薄膜表面形貌;通过XRD测量,对薄膜的晶体结构进行分析;薄膜氢敏特性测试采用静态配气法。经过400℃热处理,当工作温度在270℃时,对体积分数为3×10-4%H2的灵敏度达到了77,稳定性较高、选择性好、响应时间在15s以内。WO3薄膜是一种较理想的氢敏材料,在氢敏传感器的设计中必定会得到足够的重视和广泛应用。
- 胡明冯有才尹英哲陈鹏
- 关键词：磁控溅射WO3氢敏传感器
- 多孔硅的I-V特性及NO_2气敏特性研究被引量：8
- 2009年
- 采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向I-V特性及低浓度NO2气敏特性的影响。结果表明,多孔硅的横向I-V特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加。当腐蚀电流密度为90 mA/cm2,腐蚀时间为30 min时,所得多孔硅气敏元件对体积分数为200×10-9的NO2的灵敏度可达到5.25,响应时间与恢复时间约分别为14 min与10 min。
- 孙凤云胡明孙鹏陈鹏刘博
- 关键词：多孔硅孔隙率Ⅰ-Ⅴ特性
- 双层结构TiO2-WO3气敏薄膜特性的研究被引量：3
- 2008年
- 用直流反应磁控溅射法制备了TiO2—WO3双层结构的气敏薄膜，进行了薄膜微结构和化学成分分析，研究了TiO2表面层对WO3气敏特性的影响。实验证明：当TiO2膜厚为30nm时，WO3薄膜对NO2敏感特性得到改善，TiO2—WO3结构的薄膜对空气中较低浓度的NO2（体积分数为（1～3）×10。）具有优异的敏感特性和响应特性。最适宜的工作温度为120℃，在一些气体（如CO、H2S、C2H5OH、H2）中对NO2的选择性也大大提高。
- 尹英哲胡明冯有才陈鹏刘志刚
- 关键词：直流反应磁控溅射反应速率气敏
- 两步热处理法对WO_3薄膜结构及其气敏性能的影响被引量：3
- 2008年
- 利用对靶磁控溅射的方法,在Al2O3基片上面生长WO3薄膜,并在200、300、400、600℃的空气环境中对薄膜进行了热处理,利用AFM、SEM及XRD方法观察了薄膜的表面形貌特征,分析了薄膜的性质和微观结构。根据SEM图观察可知,薄膜在退火温度为300℃时具有均匀的纳米颗粒,当再次退火温度>600℃时,观察薄膜表面形貌和颗粒结构没有任何改变,实验结果表明,当工作温度为250℃时,经过两步热处理方法制备的WO3薄膜对浓度为3×10-5的乙醇气体显示了优异的性能,通过两步热处理的方法能制备出稳定的WO3纳米薄膜结构。
- 李东海胡明尹英哲冯有才陈鹏
- 关键词：三氧化钨
- 多孔硅气体传感器的制备及其气敏性能的研究被引量：9
- 2009年
- 以P＋型硅片为基底,利用双槽电化学腐蚀方法制备不同孔隙率的多孔硅（Porous Silicon）,介绍多孔硅气体传感器的原理和优点,通过SEM和AFM对PS薄膜的表面形貌进行分析,研究不同孔隙率条件下PS薄膜的气敏灵敏特性。结果表明：随着孔隙率的增加,PS薄膜的响应/恢复时间不断减小,薄膜对空气中较低浓度的NO2（体积分数为0.1×10^-5 - 6×10^-5）具有优异的敏感特性和响应特性。
- 李东海胡明孙凤云陈鹏孙鹏
- 关键词：NO2气体传感器多孔硅灵敏度孔隙率
