陈龙
- 作品数：3 被引量：33H指数：2
- 供职机构：东南大学电子科学与工程学院微电子机械系统教育部重点实验室更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- VDMOS等效电路的SPICE模型被引量：1
- 2007年
- 分析了VDMOS器件中存在的各种寄生效应以及这些寄生效应对器件性能的影响,在此基础上建立了VDMOS等效电路的SPICE模型.通过MEDICI数值分析软件,模拟VDMOS在不同偏置条件下的电压、电流、电容特性,从而提取出VDMOS等效电路模型参数.并用SPICE软件对等效电路仿真,进行了直流分析和瞬态分析,得到等效电路的电学特性曲线图.仿真的结果与MEDICI器件模拟工具模拟结果相互比较,具有较好的一致性.
- 刘冠男陈龙沈克强
- 关键词：VDMOS等效电路SPICE电路仿真
- VDMOS的导通电阻模型被引量：12
- 2008年
- 导通电阻是衡量VDMOS器件性能的重要参数之一,是高开关效率,低功耗VDMOS器件的主要设计指标。从VD-MOS器件物理结构出发,利用半导体基本物理方程,如泊松方程,提出了一种建立精确导通电阻模型的方法。采用弧形边界对颈区电阻进行建模;通过考察载流子运动规律,求解泊松方程,结合器件结构与边界条件建立外延层模型。该方法物理概念清晰,规避了经验参数,考虑了器件结构参数对导通电阻的影响。该模型与MEDICI模拟结果相比较有良好的一致性。
- 姜艳陈龙沈克强
- 关键词：导通电阻VDMOSMEDICI
- VDMOS场效应晶体管的研究与进展被引量：23
- 2006年
- 介绍了新一代电力电子器件VDMOS的发展概况及工作原理,分析了其技术特点与优势,重点阐述了近年来国际上VDMOS在高压大电流及低压大电流方面所取得的理论及技术突破,通过不断改进的沟槽技术以及封装工艺提高了器件的整体性能,而Superjunction新结构、SiC新材料的采用突破了Si的高压应用理论极限。最后对未来的研究方向作了展望。
- 陈龙沈克强
- 关键词：VDMOS特征导通电阻
