霍承松
- 作品数：24 被引量：79H指数：5
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省科技计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学一般工业技术更多>>
- 红外用CVD ZnS多晶材料的研制被引量：12
- 2008年
- 论述了制备红外用CVD ZnS多晶材料的化学气相沉积工艺和热等静压处理工艺。针对CVD ZnS多晶材料具备优良的光学和力学性能,采用化学气相沉积工艺和热等静压处理技术成功研制出大尺寸多晶材料,其最大尺寸达到250 mm×15 mm。测试了CVD ZnS样品的各项光学、力学性能指标。样品的全波段透过率均接近ZnS材料的本征水平,折射指数均匀性优于2×10-5,在1.06μm的吸收系数为2×10-3cm-1,抗弯强度达到104 MPa。
- 杨海霍承松余怀之付利刚石红春鲁泥藕黄万才孙加滢郑冉苏小平
- 关键词：CVDZNS化学气相沉积热等静压处理
- 大功率激光窗口ZnSe的制备原理及方法被引量：7
- 2004年
- 比较了四种适用于作CO2激光器窗口的材料,Ge、KCl、GaAs和ZnSe,指出ZnSe是大功率激光器最理想的窗口材料,并列举了3种ZnSe的制备原理及方法,阐述了CVD方法制备多晶ZnSe的过程.
- 鲁泥藕余怀之霍承松汪飞琴石红春
- 关键词：透过率ZNSE化学气相沉积
- 高纯锗晶体的研究进展被引量：5
- 2020年
- 高纯锗晶体是制备工艺复杂难度较大的高端光电材料。高纯锗晶体可用于制作高纯锗探测器,在核物理、粒子物理、天体物理、核安全、微量元素分析、安检及国防等领域具有广泛应用。随着国内外核电和暗物质探测实验的快速发展,对高纯锗探测器的需求逐渐扩大,因而高纯锗晶体具有广阔的市场前景。高纯锗晶体的制备研究受到持续关注,欧美国家已经实现高纯锗晶体的商业化生产,国内目前正在开展高纯锗晶体的研制工作,但尚未制备出探测器级高纯锗晶体。高纯锗晶体的制备过程主要包括多晶制备和单晶生长两方面,其中多晶制备是高纯锗晶体制备的关键步骤。简要介绍了高纯锗晶体的发展历史和研究现状,详细论述了高纯锗晶体的制备方法,着重对高纯锗晶体的制备工艺、性能表征、基本特性和应用进展进行总结,最后指出了高纯锗晶体研究中亟待解决的问题和发展趋势。
- 朱显超林泉马远飞霍承松冯德伸郑安生
- 关键词：单晶生长高纯锗探测器
- 热等静压处理(HIP)对CVDZnS物相结构的影响
- 采用X射线衍射(XRD)和红外光谱仪(FTIR)对化学气相沉积ZnS和热等静压处理的多光谱ZnS在物相结构和透过率等方面的变化进行了比较分析。结果表明,原生ZnS中除了立方结构的主相外,还存在具有双折射现象的六方结构杂相...
- 黄万才石红春张福昌鲁泥藕霍承松杨海
- 关键词：热等静压
- 文献传递
- 热等静压(HIP)对CVDZnS光学性能的影响被引量：2
- 2003年
- 对化学气相沉积 (CVD)ZnS经热等静压 (HIP)处理前后在光学透过率等方面的改变进行了比较分析。针对温度、原生样品厚度等因素对样品性能的影响做了详细阐述。实验表明 ,热等静压对原生CVDZnS光学性能有促进作用 ,随处理温度的升高 ,透过率在 10 10～ 10 5 0℃之间出现峰值 ;原生样品厚度的影响不容忽视 ,导热均匀的薄样品晶粒均匀且尺寸较大 ,光学及力学性能要好于厚样品。
- 付利刚苏小平余怀之霍承松宋睿丰石红春鲁泥藕
- 关键词：透过率
- 大口径多光谱ZnS头罩的研制被引量：7
- 2008年
- 多光谱ZnS是一种综合性能优异的红外光学材料,在长波红外及多波段红外探测成像系统中被广泛应用。化学气相沉积和热等静压后处理是制备多光谱ZnS材料的关键技术。介绍了化学气相沉积工艺和热等静压处理工艺制备多光谱ZnS的工艺原理及沉积大口径头罩的结构设计;报道了研制成功的270mm大口径多光谱ZnS头罩。经测试分析,头罩的全波段透过率均已接近理论水平、吸收系数≤0.01cm-1、折射指数均匀性达到2.2×10-5、硬度160kg/mm2、抗弯强度70MPa、断裂韧性1.0MPa·m1/2。与美国Rohm&Haas公司的多光谱ZnS产品相比,该头罩的主要性能指标与其处于同一水平。
- 霍承松杨海付利刚石红春鲁泥藕赵永田魏乃光孙加滢余怀之苏小平
- 关键词：大口径
- 原生CVDZnSe、CVDZnS晶体内Zn-H络合物含量不同的机理分析被引量：5
- 2005年
- 化学气相沉积ZnSe与ZnS晶体结构及物理性能近似,但原生ZnS在6.2μm处存在由Zn-H络合物引起的明显的吸收峰,其中的H来源于未分解的含H反应气体,而原生ZnSe则无此现象。比较分析它们的沉积条件(温度、压力)以及反应气性质后认为:ZnSe相对较高的沉积温度和反应气之一的H_2Se低的分解温度是主要的原因,同时高温可减弱含H缺陷对ZnS光学性能的影响;其次,ZnSe沉积中压力低使反应物浓度降低且有利于未参与反应的H2Se气体返回主气流减少了ZnSe晶体中Zn-H络合物的含量。
- 付利刚霍承松鲁泥藕
- 关键词：化学气相沉积ZNSEZNS
- CVDZnS微观缺陷分析
- 微缺陷对化学气相沉积硫化锌(CVDZnS)的光学及力学性能有显著影响.本文对沉积工艺进行了介绍.通过SEM、TEM及金相对CVDZnS中的微缺陷如:异常大晶粒、柱状晶、微裂纹、微孔及杂质的结构形态进行了观测,并对形成原因...
- 付利刚霍承松张福昌魏乃光王学武吕反修
- 关键词：化学气相沉积硫化锌
- CVD复制技术制备ZnS头罩
- 2007年
- 为减轻生产、加工难度和减少材料浪费,提出了CVD复制技术制备ZnS头罩的方法。着重阐述了衬底和CVD过程对复制ZnS头罩的影响,并列举了复制ZnS头罩时衬底材料的要求。
- 鲁泥藕霍承松付利刚石红春孙加滢杨海
- 关键词：衬底
- 工艺参数对化学气相沉积硫化锌起拱的影响被引量：1
- 2010年
- 本文系统研究了沉积温度、压力、Zn/H2S、以及衬底表面粗糙度对起拱的影响。实验表明,适当的提高沉积温度(650℃)和降低沉积压力(1.5×104Pa)有利于抑制沉积起拱;当Zn/H2S<1时起拱减弱,但透过率下降,可在沉积的初期采用低的Zn/H2S抑制起拱;由于表面阴影和钉扎效应,相对粗糙的衬底表面有更好的抑制起拱效果。
- 付利刚霍承松张福昌魏乃光王学武吕反修
- 关键词：起拱沉积温度
