高婷婷
- 作品数：3 被引量：14H指数：2
- 供职机构：重庆大学物理学院更多>>
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- Cu、Ag和Au掺杂AlN的电磁性质的第一性原理研究被引量：6
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,研究了Cu、Ag、Au掺杂AlN的晶格常数、磁矩、能带结构和态密度.电子结构表明,Cu、Ag、Au的掺杂使在带隙中引入了由杂质原子的d态与近邻N原子的2p态杂化而戌的杂质带,都为p型掺杂,增强了体系的导电性.Cu掺杂AlN具有半金属铁磁性,半金属能隙为0.442 eV,理论上可实现100%的自旋载流子注入;Ag掺杂AlN具有很弱的半金属铁磁性;而Au掺杂AlN不具有半金属铁磁性.因此,与Ag、Au相比,Cu更适合用来制作AlN基稀磁半导体.
- 聂招秀王新强高婷婷鲁莉娅程志梅刘高斌
- 关键词：ALN铁磁性稀磁半导体第一性原理
- III族氮化物三元混晶的电子结构及光学性质的第一性原理计算
- III-Ⅴ族化合物半导体材料因其在高速晶体管以及光电子器件领域潜在的应用价值而受到广泛的研究。III 族氮化物是一种宽禁带半导体材料，它具有优良的热学和机械性能。其混晶的禁带宽度、晶格常数和介电常数等物理性质，可通过改变...
- 高婷婷
- 关键词：晶格结构电子结构光学性质第一性原理
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- 纤锌矿结构AlInN电子及光学性质的第一性原理研究被引量：8
- 2011年
- 本文通过基于密度泛函理论的第一性原理,研究了纤锌矿结构Al_(1-x)In_xN在不同In浓度下的稳固结构,以及电子和光学性质的变化规律.研究表明,AlInN不同In浓度的晶格结构都很稳定,说明AlInN的兼容性很好.晶格常数随In浓度的增大不断增大,而混晶的带隙则不断减小.并且随In浓度的增大,混晶在紫外光区的吸收系数、反射系数及折射率增大,吸收边、吸收峰和反射峰红移,且这两个峰的峰值减小.AlInN的吸收、反射和折射率曲线在Eg处出现峰值行为,此Eg处的峰值大小随In浓度的增加而增大.当In浓度达到87.5%时,混晶AlInN在紫外光区的吸收、反射和折射能力均达到最强,表明此时的掺杂效果最好.
- 高婷婷王新强邝向军何阿玲
- 关键词：ALINN电子结构光学性质
