黄呈橙
- 作品数：8 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 高质量半绝缘GaN生长研究
- AlGaN/GaN异质结构和AlInN/GaN异质结构是发展GaN基高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构。而半绝缘GaN层的电阻和结晶质量对AlGaN/GaN和AlInN/GaN异质界面二维电子气的浓度和迁...
- 许正昱许福军黄呈橙王嘉铭张霞沈波
- 关键词：半导体材料氮化镓
- 文献传递
- 应力调控的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生长研究
- 高铝组分AlxGa1-xN/GaN (x＞O.3)多量子阱结构由于在紫外LED、3-5lμm大气窗口波段的光电探测和1.3μm及1.55U m的光通信波段器件上具有巨大的应用前景，目前正成为国际上的研究热点。然而高Al组...
- 黄呈橙许福军许正昱王嘉铭张霞王新强沈波
- 关键词：化合物半导体材料多量子阱结构
- 文献传递
- AlGaN/GaN多量子阱的分子束外延生长及其子带间跃迁性质的研究
- 我们利用分子束外延(MBE)的方法在蓝宝石衬底上得到了高晶体质量表面平整的AlN和全组分AlGaN 薄膜。通过从生长动力学以及应力的角度对AlN厚膜的MBE生长进行物性研究，并分析得到了AlN分子束外延生长区间图。
- 陈广王新强黄呈橙潘建海刘世韬沈波
- 关键词：分子束外延多量子阱
- 与GaN晶格匹配的InAlN材料中In组分的均匀性研究
- 通过变温光致荧光谱和阴极荧光谱等实验手段对于与GaN晶格匹配的InxAl1-xN (x=17.3％)厚膜材料中In组分空间均匀性进行了研究,同时将实验结果与类似组分的InGaN材料进行了比较.发现两者虽然同为含In体系,...
- 王嘉铭沈波许福军黄呈橙许正昱张霞王彦葛惟昆王新强杨志坚
- InAlN材料表面态性质研究被引量：2
- 2013年
- 运用电流-电压(I-V),变频电容-电压(C-V)和原子力显微镜(AFM)技术研究In组分分别为15%,17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质(表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置).I-V和变频C-V方法测量得到的实验结果表明,随着In组分增加,肖特基势垒高度逐渐降低,表面态密度依次增加.变频C-V特性还表明,随着测试频率降低,C-V曲线有序地朝正电压方向移动,该趋势随着In组分的增加而变得更加明显,这可能归结于InAlN表面态的空穴发射.AFM表面形貌研究揭示InAlN表面粗糙度增加可能是表面态密度增加的主要原因.
- 杨彦楠王新强卢励吾黄呈橙许福军沈波
- 关键词：表面态电流电压特性电压特性
- 基于3—5μm波段子带间跃迁的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生长研究
- @@半导体多量子阱结构的子带间跃迁(ISBT)是电子吸收光子从量子阱导带中的基态子带到激发态子带之间的跃迁，其在光探测器，电光调制器和光开关等光电器件方面有巨大的应用前景。
- 黄呈橙许福军闫晓东宋杰苗振林岑龙斌潘建海王新强沈波
- 文献传递
- AlGaN/GaN多量子阱子带间跃迁结构的MOCVD外延生长与光电性质研究
- 近年来，随着GaN基低维量子结构外延技术的不断进步，AlGaN/GaN多量子阱结构子带间跃迁(ISBT)材料与光电器件逐渐成为Ⅲ族氮化物半导体领域的前沿研究方向之一。由于AlGaN/GaN多量子阱结构具有大的导带偏移，超...
- 黄呈橙
- 关键词：多量子阱金属有机化合物化学气相沉积光电性质
- 面向3-5μm大气窗口的GaN基多量子阱红外探测器
- 本文阐述了GaN基多量子阱红外探测器件的最新进展。通过设计不同阱宽结构的多量子阱器件，成功地实现了3-5μm波段大气窗口以及280nm日盲区波段的双色吸收，并通过理论计算以及XRD倒空间的mapping定量地得到了极化电...
- 陈广王新强黄呈橙荣新沈波
- 关键词：红外探测器件设计模式
- 文献传递
