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黄昕

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:浙江大学高分子科学与工程学系更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇导电高聚物
  • 1篇谱性质
  • 1篇炔基
  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函理论
  • 1篇密度泛函理论...
  • 1篇寡聚物
  • 1篇硅基
  • 1篇泛函
  • 1篇泛函理论
  • 1篇高聚物

机构

  • 1篇浙江大学

作者

  • 1篇黄昕
  • 1篇张培斌
  • 1篇李歆
  • 1篇滕启义

传媒

  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2011
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
寡聚(亚硅基-炔基蒽)电子结构和光谱性质的密度泛函理论研究
2011年
聚(亚硅基二炔基蒽)(PSDEA)经实验测定具有空穴传输的能力.为了模拟此高聚物的性质,设计了一系列亚硅基二炔基蒽(SDEA)的寡聚物,利用密度泛函理论方法在B3LYP/6—31G(d)水平上对其构型进行优化.寡聚物的能隙随着链长的增加而减少,同时蒽环上吸电基团的存在也使能隙减少.在B3LYP/6—31G水平上计算寡聚物的13C化学位移以及蒽环中心位置的核独立化学位移.寡聚物中与硝基相连的碳原子的化学位移与未连硝基的寡聚物中相同碳原子的化学位移相比向高场移动.蒽环中心的芳香性在吸电子基团存在时减弱,但随着亚硅基数目的增加而增强.用于核独立化学位移计算的最敏感区域是蒽环上方0.1nm处.
张培斌黄昕李歆滕启义
关键词:导电高聚物密度泛函理论
共1页<1>
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