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黄贤
作品数:
30
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供职机构:
北京大学
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
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合作作者
王玮
北京大学
杨芳
北京大学
张大成
北京大学
何军
北京大学
李婷
北京大学
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北京大学
作者
30篇
何军
30篇
张大成
30篇
黄贤
30篇
杨芳
30篇
王玮
28篇
罗葵
28篇
李婷
27篇
田大宇
27篇
刘鹏
23篇
赵丹淇
11篇
张立
7篇
姜博岩
6篇
林琛
2篇
李睿
2篇
李丹
2篇
赵前程
1篇
王颖
年份
1篇
2019
1篇
2017
5篇
2016
11篇
2015
3篇
2014
9篇
2013
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基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法
本发明提供一种基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法,其步骤包括:在基片上淀积并制作衬底保护层、下电极和下电极保护层,并化学机械抛光下电极保护层的表面;采用表面牺牲层工艺制作第一层牺牲层和MEMS器件的结构层;在...
赵丹淇
张大成
何军
黄贤
杨芳
田大宇
刘鹏
王玮
李婷
罗葵
文献传递
一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法
本发明公开了一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法,优选采用TSV和CMP工艺来实现。其中硅应变膜的厚度可以利用TSV工艺提前确定,在利用CMP工艺进行硅片减薄时可以自停止在TSV金属填充孔位置,可以大幅提高硅应变膜厚度的...
黄贤
杨芳
张大成
姜博岩
王玮
何军
田大宇
刘鹏
罗葵
李婷
张立
一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法
本发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法。本发明首次提出具有回旋镖结构的硅应变膜,压敏电阻排布于回旋镖结构的应力集中处,提高了压阻式压力传感器的灵敏度和线性度;选择LPCVD的SiO<Sub>2</Sub>/...
关淘淘
杨芳
黄贤
张大成
王玮
姜博岩
何军
张立
付锋善
李丹
李睿
范泽新
赵前程
王玮
文献传递
一种预调阈值的post-CMOS集成化方法
本发明提供一种预调阈值的post-CMOS集成化方法,通过预估MEMS工艺引入的阈值漂移量调整IC工艺中CMOS工艺的掺杂浓度,提高post-CMOS工艺后MOS管的阈值对称性。本发明方法对阈值漂移缺陷进行转化利用,不需...
赵丹淇
张大成
何军
黄贤
杨芳
田大宇
刘鹏
王玮
李婷
罗葵
文献传递
牺牲层腐蚀时间的测试结构及MEMS器件制备方法
本发明公开一种用于实时确定牺牲层腐蚀时间的测试结构,包括自下而上排列的牺牲层、MEMS结构层和金属层;所述金属层中的金属在所述牺牲层腐蚀完成时发生脱落。该测试结构使用双材料梁作为敏感原件,测试单元优选按照阵列方式排列,以...
赵丹淇
张大成
何军
黄贤
杨芳
田大宇
刘鹏
王玮
李婷
罗葵
文献传递
一种基于SOI硅片的MEMS压阻式绝对压力传感器
本发明提供一种MEMS压阻式绝对压力传感器,包括设有四边形槽的基片,以及制作于该槽侧壁的四组压敏电阻,所述四组压敏电阻构成惠斯通电桥,所述四边形槽的两个相对的侧壁沿所述基片的<100>晶向排列,另外两个相对的...
黄贤
张大成
赵丹淇
林琛
何军
杨芳
田大宇
刘鹏
王玮
李婷
罗葵
文献传递
一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法
本发明公开一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法,该方法采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。该组合式锚点优选为阵列形式。可以通过拉伸或者剪切断裂试验确定使组合式锚点结构的键合强度最大的锚点数目,并作为组合式...
何军
张大成
黄贤
赵丹淇
林琛
王玮
杨芳
田大宇
刘鹏
李婷
罗葵
文献传递
无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器及其制作方法
本发明涉及一种无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器,包括制作于基片上并构成惠斯通电桥的四组压敏电阻,其中两组相对的压敏电阻沿<100>晶向排列,另外两组相对的压敏电阻沿<110>晶向排列。其制作...
黄贤
张大成
赵丹淇
林琛
何军
杨芳
田大宇
刘鹏
王玮
李婷
罗葵
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一种自封装的MEMS器件及红外传感器
本发明公开一种基于表面牺牲层工艺制作的自封装的MEMS器件以及采用该器件结构的红外传感器。该MEMS器件包括基片、衬底保护层、下电极、下电极保护层、结构层、金属层以及封装层,所述结构层和所述金属层位于由所述封装层形成的封...
赵丹淇
张大成
何军
黄贤
杨芳
田大宇
刘鹏
王玮
李婷
罗葵
文献传递
一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法
本发明公开一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法,该方法采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。该组合式锚点优选为阵列形式。可以通过拉伸或者剪切断裂试验确定使组合式锚点结构的键合强度最大的锚点数目,并作为组合式...
何军
张大成
黄贤
赵丹淇
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