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丁桂英: 作品数：69 被引量：129H指数：7; 供职机构：吉林师范大学更多>>; 发文基金：吉林省科技发展计划基金吉林省教育厅科研项目国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

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基于磷光材料的有机电致白光器件的研究进展被引量：1: 2006年; 有机电致白光器件是近年来国际上的一个研究热点,它不仅可以作为液晶显示的背光源,也是未来照明技术的有效光源。有机磷光电致发光可以同时利用单重态和三重态的激子,理论上可使器件的内量子效率达到100%,而在近几年倍受关注。文章介绍了磷光材料的有机电致白光器件的研究进展,按多发射层、多重掺杂单发射层、单重掺杂单发射层以及基于激发二聚体和激基复合物发射4种结构进行了分析和阐述。; 丁桂英姜文龙王静汪津王立忠韩强王红梅赵晓红; 关键词：磷光材料掺杂敏化剂

基于3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole(TAZ)制备的薄膜电阻的磁效应: 2013年; 讨论了采用热蒸镀方法制备的结构为ITO/β-NPB(55-xnm)/Alq3(45nm)/TAZ(xnm)/LiF(0.5nm)/Al的器件的磁效应。在室温下研究了x分别取0、5、10、15nm时器件的电阻率与磁场之间的变化关系。结果表明,x=0nm时,在10V电压下,电阻率变化率Δρ/ρ随磁场强度的增大而增大;当磁场强度B=110mT时,Δρ/ρ达到最大,仅为8.22%。当x分别取5、10、15nm时,Δρ/ρ为随磁场的增大而减小;在相同磁场强度下,x越大,Δρ/ρ越大;当B=110mT,x=15nm,电压为10V时,Δρ/ρ的数值达到最大,为-16.92%。; 姜文龙贾萍汪津丁桂英; 关键词：电流变化率

基于N-BDAVBi的高效率双发光层蓝色OLED: 2013年; 采用蓝色有机荧光染料N-BDAVBi作为客体发光材料,将其分别掺入主体材料ADN和DPVBi中形成双发光层,制备了结构为ITO/m-MTDATA(40nm)/NPB(10nm)/ADN:N-BDAVBi(15nm)/DPVBi:N-BDAVBi(15nm)/TPBi(30nm)/LiF(0.6nm)/Al的高效率蓝色有机荧光器件(OLED)。器件的最大电流效率为8.13cd/A,对应色坐标为(0.178,0.302),电流密度为18.81mA/cm2,分别是ADN:N-BDAVBi和DPVBi:N-BDAVBi作为发光层的单发光层结构器件的2.4和1.8倍。器件性能提高主要源于双发光层结构减弱了载流子在界面处的积累,扩大了激子产生区域以及主体与客体之间有效的能量转移。当驱动电压为14V时,双发光层器件的最大亮度为20 620cd/m2。; 汪津王福军张冰王双常喜丁桂英姜文龙; 关键词：荧光蓝光

双量子阱OLED正负磁电阻的调控: 2012年; 通过改变发光层的厚度,制备了一种双量子阱结构的有机电致发光器件(OLEDs),其结构为ITO/2T-NATA(20nm)/NPBX(50nm)/[Alq3:2%C545(dnm)/Alq3(3nm)]2/Alq3(17nm)/LiF(0.9nm)/Al。在常温下研究了器件的发光层在不同厚度(d=10,15,20和25nm)时的磁电阻(MR,magnetoresistance)特性。实验结果表明,在10V驱动电压的作用下,在相同磁场强度下,器件的厚度越大,电阻率也越大;在驱动电压为10V时,随着磁场强度的增加,10nm厚器件的MR随着磁场的增加而增大,表现正MR特性;而15、20和25nm厚3种器件的MR随着磁场强度的增强先减小后增加并趋于饱和状态,发光层越厚,MR减小的幅度越大,且都表现出负MR特性;获得最大的MR为-10.32%。; 常喜丁桂英姜文龙; 关键词：双量子阱

用高锰酸钾处理ITO玻璃表面改善有机电致白光器件的性能: 实验中将 ITO 玻璃衬底用丙酮、乙醇、去离子水反复擦洗,然后将 ITO 基片置于丙酮中超声清洗,再分别用乙醇、去离子水反复超声清洗多次,并在真空干燥箱中烘干,然后把处理清洗好的 ITO 玻璃基片,浸泡到不同浓度的高锰酸...; 王静姜文龙王广德王红梅赵晓红王立忠汪津丁桂英; 关键词：高锰酸钾溶液开启电压 ITO 玻璃表面

基于rubrene掺杂剂的高亮度白色有机电致发光器件被引量：14: 2008年; 采用CBP主体材料中掺杂rubrene，制备了结构为ITO／2T-NATA（25nm）／NPBX（20nm）／CBP：1％rubrene（10nm）／NPBX（5nm）／DPVBi（30nm）／TPBi（20nm）／Alq（10nm）／LiF（1nm）／Al的白光器件，此结构将器件的发光区控制在了DPVBi层和rubrene掺杂层。利用rubrene染料本身的载流子俘获空穴特性与CBP母体转移来的能量发射荧光特性，以及插入的5nm NPBX的电子阻挡特性获得了高亮度的白光器件。此器件在驱动电压为16V时最大亮度达到25110cd／m^2，对应的色坐标为（0．30，0．34），在驱动电压为10V时最大电流效率为5．32cd／A，外量子效率为1．65％。而且，驱动电压在10～16V时，即达到最大亮度和最大效率时，其色坐标都在白光等能点（0．33，0．33）附近。; 丁桂英汪津王广德常喜姜文龙; 关键词：白色有机电致发光器件掺杂亮度

基于遗传算法的Web信息自动标引研究被引量：6: 2006年; W eb信息自动标引系统或搜索引擎的索引库的建立大多采用加权词频统计法,但引源的权值较难确定。为得出科学的加权方案,从标引词应反映文档主题内容这一原则出发,对标引源的权值设置提出了一种改进方案,基于遗传算法对W eb信息自动标引。此方案可以使标引源的权值设置根据标引内容动态调整,有效地提高标引源权值设置的合理性、准确性,自动标引结果的人机相符率可达到87.9%,具有较强的实用性。; 田苗苗许建潮汪津丁桂英; 关键词：自动标引权值遗传算法

不同空穴阻挡材料对白色OLED性能的影响被引量：1: 2008年; 采用Alq3、TPBi和BCP分别作为电子传输材料和空穴阻挡材料,制备了三种器件,研究了用不同的空穴阻挡材料对器件性能的影响。实验结果表明:只采用30nm Alq3作电子传输层的器件的电流效率最大值为7.84cd/A(9V),而采用10nm Alq3作电子传输层,插入20nm的BCP和TPBi作空穴阻挡层的器件获得的电流效率最大值分别为9.72cd/A和12.21cd/A(9V)。这些结果说明空穴阻挡材料能改善器件的性能,TPBi比以BCP作为空穴阻挡层的器件性能有了很大的改善,制备的白色OLED的最大亮度和电流效率分别为22400cd/m2(17V)和12.21cd/A(9V)。; 丁桂英姜文龙汪津王立忠常喜王广德; 关键词：白色有机电致发光器件

一种通过CdS薄层增强电子注入的有机电致发光器件: 2017年; 制备结构为ITO/Mo O3(7nm)/NPB(40nm)/MCP:Fir6(30nm:8%)/MCP:Ir(piq)acac(3nm:1%)/Bphen(40nm)/Cd S(x nm)/Li F(0.5nm)/Al(100nm)的有机电致发光器件。在常温下研究了Cd S薄层对器件发光性能的影响。相同电压下,具有Cd S薄层结构的器件电流密度明显提高,最大电流效率为14.81 cd/A(6V),最大亮度为8947 cd/m2,对应器件效率为3.93 cd/A。; 常喜丁桂英姜文龙; 关键词：OLEDS 电子注入 CD

以CzHQZn为主体的有机发光器件的发光效率被引量：2: 2009年; 采用真空热蒸镀技术,分别制备了结构为ITO/2T-NATA(25nm)/CzHQZn(10～25nm)/TPBi(35nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm)/CBP:6%Ir(ppy)3:x%CzHQZn(20nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(30nm)/CBP:6%Ir(ppy)3:10%CzHQZn(xnm)/Alq3((70-x)nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED)。器件中,CzHQZn既有空穴传输特性,又是黄光发射的主体。为了提高其发光效率,利用磷光敏化技术,研究了掺杂层中不同掺杂浓度和掺杂层不同厚度时器件的发光效率。结果表明,器件的效率随着掺杂发光层的厚度和掺杂浓度的变化而改变,当发光层的厚度为18nm时,CzHQZn掺杂浓度为10%的器件性能较好;在10V电压下,器件的最大电流效率达到3.26cd/A,色坐标为(0.4238,0.5064),最大亮度达到17560cd/m2。; 姜文龙丁桂英张刚丛林孟昭晖欧阳新华曾和平

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