任树洋
- 作品数：12 被引量：9H指数：2
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目长江学者和创新团队发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 应用强磁场控制Zn薄膜取向研究被引量：3
- 2010年
- 在不同磁场下,用真空蒸发法制备了不同方向放置的Zn薄膜。对样品进行X射线衍射分析表明,在大于3T的磁场环境下,垂直于磁场放置的基片上制备的Zn薄膜最强衍射峰为(002),而平行于磁场方向放置的基片上制备的试样最强衍射峰为(101)。Zn的磁各向异性引起了晶体在磁场环境下的择优生长,磁能较低的c轴方向是Zn薄膜的优先生长方向。利用磁场诱导晶体取向这一特性,提出了一种控制薄膜取向的新方法,通过调整基片与磁场方向的放置角度即可对制备薄膜的取向进行调整。
- 任树洋任忠鸣任维丽
- 关键词：强磁场磁取向
- Zn取向对氧化法制备ZnO薄膜光致发光性能的影响研究被引量：2
- 2010年
- 先利用电阻加热真空蒸发法制备(101)和(002)优先取向的金属Zn薄膜,而后氧化处理制备ZnO薄膜。并对制备的ZnO薄膜进行了XRD,SEM,紫外-可见光吸收谱和光致发光(PL)分析。XRD结果显示制备的ZnO薄膜中有未完全氧化的金属Zn。吸收谱结果发现未完全氧化的ZnO薄膜具有强烈的紫外吸收。PL谱结果显示该法制备的ZnO薄膜具有很高的PL强度,而且(101)前驱金属膜制备的ZnO比(002)前驱金属膜制备的试样具有更高的PL强度。未完全氧化的Zn所形成的缺陷是PL强度较高的原因,SEM结果显示的ZnO薄膜表面粗糙度较大引起强烈的紫外吸收也是激发光强度高的原因之一。
- 任树洋任忠鸣任维丽
- 关键词：ZNO薄膜光致发光性能
- 在真空蒸发制膜过程中控制薄膜取向的方法
- 本发明涉及一种在真空蒸发制膜过程中控制薄膜取向的方法，属真空蒸发沉积薄膜工艺技术领域。本发明的特点是在传统普通常用的真空蒸发沉积装置的基础上，在其外侧加置一强磁场发生装置，其磁场强度要求大于4T(特斯拉)，由于磁场对金属...
- 任忠鸣任树洋任维丽操光辉邓康钟云波雷作胜
- 文献传递
- 一种控制纳米粉体粒径的方法
- 本发明提供一种控制纳米粉体粒径的方法，该法不需要改动制备装置，只需要在以电阻、高频感应、等离子体、电子束、激光等为加热源的蒸发冷凝法制备纳米粉体过程中，在蒸发冷凝处施加0.1～14T的超导强磁场。由于磁场改变蒸发原子的临...
- 任忠鸣任树洋任维丽操光辉邓康钟云波雷作胜
- 文献传递
- 强磁场对真空蒸镀制取Te薄膜的影响被引量：1
- 2009年
- 采用强磁场下物理气相沉积方法,在单晶硅、玻璃板和聚乙烯(PET)基片上真空蒸发制取Te膜.结果显示在三种不同的基片上生长Te膜时,4T强磁场能够加快Te膜的形核长大,增大Te膜的颗粒尺度,使晶粒〈011〉方向取向性增强.
- 赵安昆任忠鸣任树洋操光辉任维丽
- 关键词：真空蒸镀强磁场
- 一种测量磁化率各向异性的方法
- 本发明涉及一种测量磁化率各向异性的方法，属物质磁性之磁化率测量技术领域。本发明特点是利用薄膜在强磁场中发生取向的原理，通过XRD确定发生取向的磁场强度，通过SEM确定该磁场下薄膜的晶粒体积而计算出磁化率各向异性。易磁化轴...
- 任忠鸣任树洋任维丽操光辉邓康钟云波雷作胜
- 文献传递
- 强磁场下真空蒸发Zn薄膜晶粒细化研究被引量：2
- 2009年
- 分别在1T,2T和3T强磁场下采用真空蒸发沉积制备了三种相同厚度的Zn薄膜,并和无磁场下制备的薄膜进行了对比研究。SEM对薄膜表面形貌研究发现,施加磁场制备的Zn薄膜表面晶粒要比无磁场条件下制备的薄膜有明显的细化作用。对磁场下Zn原子团形成进行了热力学分析,推导了磁场作用下的临界形核半径r*M和临界形核自由能ΔGM*,引入了磁场对临界形核自由能作用因子fM。对磁场导致晶粒形核能的变化以及形核浓度的影响作了深入分析,r*M和ΔG*M减小从而增加临界形核浓度和形核速率是Zn晶粒细化的原因。另外,磁场对扩散的抑制作用也对晶粒细化起到了作用。
- 任树洋任忠鸣任维丽操光辉
- 关键词：强磁场晶粒细化真空蒸发沉积
- 提高MgB_2超导体临界电流密度的研究进展
- 2006年
- 临界电流是超导体载流能力大小的重要表征,论述了制备工艺、元素掺杂和物理场对MgB2超导体临界电流密度的影响。使用非晶态高纯硼粉制备致密的MgB2试样有利于样品临界电流密度的提高,添加SiC或者Ti也能起到提高临界电流密度的作用,质子照射使MgB2试样在高磁场条件下的临界电流密度增加,强磁场下烧结则有利于提高MgB2样品临界的传输电流密度。
- 任树洋任忠鸣任维丽张金仓池长昀
- 关键词：MGB2强磁场
- 强磁场对真空蒸发薄膜生长的影响研究
- 当前,薄膜技术已成为新材料研制必备的、不可缺少的重要手段之一。薄膜生成过程中的沉积、结构和外延决定着薄膜的物理化学性能。磁场可以诱导磁各向异性材料沿着磁能较小的方向生长,达到控制晶体生长的目的。在薄膜制备过程中施加强磁场...
- 任树洋
- 关键词：磁取向强磁场晶粒细化形核磁化率各向异性ZNO薄膜
- 文献传递
- 晶粒尺寸对气相沉积薄膜磁取向生长的影响研究
- 2011年
- 为了研究强磁场下薄膜取向生长规律,采用真空蒸发气相沉积法分别制备了不同磁场方向生长的Zn和Bi薄膜.XRD结果发现磁化率差异较小的Zn薄膜在4T时产生了明显的取向生长,而磁化率差异较大的Bi薄膜在5T磁场强度还没有发生取向生长.SEM结果显示Zn薄膜和Bi薄膜晶粒尺寸上有明显的差别,利用Zn薄膜在4T磁场下的取向建立晶粒尺寸和取向生长的对应关系,提出薄膜发生取向时晶粒的磁化能须大于热能kT的420倍.薄膜是否发生取向生长取决于三个因素:薄膜单个晶粒的大小V,材料不同晶向的磁化率差异Δχ,施加磁场的大小B.
- 任树洋任忠鸣任维丽
- 关键词：强磁场磁取向薄膜生长
