余本海
- 作品数：122 被引量：237H指数：8
- 供职机构：信阳师范学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省教育厅自然科学基金河南省科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程金属学及工艺更多>>
- 《电路分析》课程思政分析
- 2020年
- 《电路分析》是电子类和控制类等专业的重要入门课程,需要更好地践行立德树人的社会主义教育观。本文以《电路分析》课程思政教学为例,探讨在教学过程中如何有效开展课程思政教育,思政元素主要包括:社会责任感、哲学思辨、工匠思维、节能环保、科学思维和团队精神等6个方面。
- 陈新武余本海仓玉萍涂友超钟莉娟陈天歌
- 关键词：电路分析立德树人
- 椭圆偏振激光脉冲驱动的氩原子非次序双电离被引量：2
- 2012年
- 利用经典系综模型研究了椭圆偏振激光脉冲驱动的氩原子非次序双电离.计算结果表明,非次序双电离产率随着椭偏率的增大而减小;双电离得到的电子对在激光偏振平面长轴方向的末态关联动量谱呈现正关联,在激光偏振平面短轴方向的末态关联动量谱呈现反关联;Ar^(2+)在激光偏振平面短轴方向的末态动量谱呈现单峰结构,并且随着椭偏率增大而变宽.轨迹分析显示,椭圆偏振激光脉冲驱动下,非次序双电离仍然是通过再碰撞而发生;随着椭偏率的增大,有效碰撞和单电离之间的时间延迟增加,这是因为椭偏率较大时第一个电子需要经过多次往返才能与母核离子发生有效碰撞.
- 余本海李盈傧汤清彬
- 关键词：电子关联
- 加宽连续谱的方法和系统
- 本发明提供了一种加宽连续谱的方法和系统，属于光学领域。所述方法包括：在中红外合光束上叠加指定波长的线偏振的红外激光束，将叠加后的合光束聚焦在稀有气体上，并经过单光子电离产生光电子信号，采集所述光电子信号得到加宽的连续谱。...
- 余本海汤清彬陈东范春凤张东玲雷前涛
- 文献传递
- 碰撞阈值下氩原子非次序双电离被引量：1
- 2011年
- 利用三维经典系综模型研究了碰撞阈值下氩原子的非次序双电离.计算结果表明,关联电子末态纵向动量主要分布在二、四象限,且在原点附近几乎没有分布;Ar2+离子末态纵向动量谱在零动量附近呈单峰结构.上述结果与实验结果[Phys.Rev.Lett.101053001(2008)]定量一致.轨迹分析表明,在碰撞阈值下,氩原子非次序双电离的微观物理机理在不同激光强度下是不相同的.当激光强度I=0.7×1014W/cm2时,一次碰撞主导重碰撞过程.而当I=0.4×1014W/cm2时,多次碰撞占主导.另外,离子与电子之间的库仑引力,在氩原子非次序双电离过程中具有重要的作用,对电子的微观动力学行为有很大的影响,并最终影响关联电子末态动量分布.
- 张东玲汤清彬余本海陈东
- 关键词：电子关联
- 一种制备二硫化三镍杂化三维碳纳米管泡沫复合材料的方法
- 本发明属于新能源材料和电化学领域，具体涉及一种二硫化三镍杂化三维碳纳米管泡沫复合材料的方法。本发明以合成的镍掺杂的三维碳纳米管网为基底，以含硫化合物为硫源，利用水热反应合成二硫化三镍杂化的三维碳纳米管泡沫复合材料，此方法...
- 王春雷韩倩倩赵奕光赫田汤清彬李盈傧余本海
- 文献传递
- 一种物理教学的浮力实验装置
- 本发明公开了一种物理教学的浮力实验装置，属于实验器械领域。该装置包括：箱体，其包括隔板和分离板，箱体具有一上部开口的收纳室，隔板将收纳室分割为用于盛放低浓度溶液的第一收纳室和第二收纳室；连通装置，其包括摇杆、连接杆、连接...
- 陈红梅李盈傧余本海汤清彬许景焜梅伶俐
- 文献传递
- 亚45nm技术节点平面式硅基CMOS电路制作的材料选择被引量：2
- 2007年
- 随着45 nm技术的临近,减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限。传统掺杂多晶硅/二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化。此外,沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升。因此,需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能。本文在介绍这3种新材料优势的同时,分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类,指出了未来电路中新材料的进一步发展方向。
- 陈长春刘江锋余本海涂有超戴启润
- 关键词：高介电常数材料应变硅金属栅极
- 边界扫描测试协议剖析——从1149.1到1149.6被引量：12
- 2005年
- 本文对边界扫描协议IEEEStd 114 9.1- 1990到IEEEStd 114 9.6 - 2 0 0 3的多个协议进行了介绍和剖析 ,着重讨论了各个协议能够解决的问题以及解决问题的方法 ,各个协议的体系结构和指令特色 ,总结了边界扫描技术的最新进展 ,并对以后边界扫描的发展方向给出了预测。
- 陈新武余本海
- 关键词：IEEESTDIEEESTDIEEESTDIEEESTD
- SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究被引量：2
- 2005年
- 如何表征SiGe/Si异质外延薄膜中的应变对提升SiGe器件的性能至关重要。本文详细介绍了卢瑟福背散射/沟道效应(RBS/C)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼(Raman)谱等技术表征SiGe薄膜中应变的原理。通过这些实验技术,研究了SiGe/Si外延薄膜在氧气和惰性气体氛围下高温退火前后应变弛豫及离子注入Si衬底上外延生长的SiGe薄膜应变状态。
- 陈长春余本海刘江峰曹建清朱德彰
- 关键词：硅锗拉曼谱
- AlB_(12)纳米棒的制备与表征被引量：2
- 2010年
- 以铝(Al)粉末和三氯化硼(BCl_3)为前驱体,以H_2和Ar分别作为还原气体和保护气体,在高温水平电炉中采用化学气相沉积方法在Si衬底上原位制备了大量的AlB_(12)纳米棒.利用扫描电镜(SEM),高分辨透射电镜(HRTEM),选区电子衍射(SAED),能谱(EDS)表征了AlB_(12)纳米棒的形貌、晶体结构和成份.SEM结果表明纳米棒的直径在100～350 nm之间,长度从几百个纳米到几个微米,TEM、SAED和EDS结果显示AlB_(12)纳米棒沿着[020]方向生长.最后根据纳米线生长过程探讨了AlB_(12)纳米棒的自催化生长机理.
- 许军旗王艳蕊赵彦明余本海罗永松孙海斌
- 关键词：纳米棒
