信恩龙
- 作品数：10 被引量：20H指数：3
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 溶液法制备多元氧化物High-k薄膜晶体管
- 近几年来，由于透明氧化物半导体作为有源沟道层的薄膜晶体管具有高光学透过率、高电子迁移率、均匀，以及能够兼容低温柔性基板等优点，成为取代非晶硅及多晶硅薄膜晶体管的潜在趋势，能够广泛用于平板有源显示领域特别是有源有机发光二极...
- 信恩龙
- 关键词：薄膜晶体管溶液法高介电常数
- 文献传递
- 溶胶凝胶法制备透明IZO薄膜晶体管被引量：5
- 2013年
- 采用溶胶凝胶法制备了非晶铟锌氧化物(a-IZO)薄膜,并作为薄膜晶体管(TFT)的有源层制备了a-IZO TFT。研究了IZO薄膜中铟锌比对薄膜性质及a-IZO TFT器件性能的影响。结果表明:溶胶凝胶法制备的IZO薄膜经低温(300℃)退火后为非晶结构,薄膜表面均匀平整、致密,颗粒大小为20 nm左右,并具有高透过率(>85%)。IZO薄膜中的铟锌比对薄膜的电学性能和TFT器件特性影响显著,增加In含量有利于提高薄膜和器件的迁移率。当铟锌比为3∶2时,所获得的薄膜适合于作为薄膜晶体管的有源层,制备的IZO-TFT经过相对低温(300℃)退火处理具有较好的器件性能,阈值电压为1.3 V,载流子饱和迁移率为0.24 cm2·V-1·s-1,开关比(Ion∶Ioff)为105。
- 信恩龙李喜峰张建华
- 关键词：溶胶凝胶法薄膜晶体管
- 射频磁控溅射低温制备非晶铟镓锌氧薄膜晶体管被引量：5
- 2012年
- 利用射频磁控溅射技术室温制备了铟镓锌氧(IGZO)薄膜,采用X射线衍射(XRD)表征薄膜的晶体结构,原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌,分光光度计测量其透光率。结果表明:室温制备的IGZO薄膜为非晶态且薄膜表面均匀平整,可见光透射率大于80%。将室温制备的IGZO薄膜作为有源层,在低温(<200℃)条件下成功地制备了铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT),获得的a-IGZO-TFT器件的场效应迁移率大于6.0 cm2.V-1.s-1,开关比约为107,阈值电压为1.2 V,亚阈值摆幅(S)约为0.9 V/dec,偏压应力测试a-IGZO TFT阈值电压随时间向右漂移。
- 信恩龙李喜峰陈龙龙石继锋李春亚张建华
- 关键词：薄膜晶体管
- 一种溶胶凝胶法制备铪铟锌氧薄膜的方法
- 本发明公开了一种溶胶凝胶法制备铪铟锌氧（HfInZnO）薄膜的方法，属于半导体薄膜与器件领域。包括以下步骤：a,制备前驱体溶液和溶胶；b，采用旋涂法在洁净的基片上镀膜；c，预烘烤；d，高温退火；采用溶胶凝胶法制备的铪铟锌...
- 信恩龙李喜峰张建华
- 文献传递
- 一种接触式曝光掩膜版
- 本实用新型涉及一种接触式曝光掩膜版。包括一块苏打玻璃或石英玻璃基板，其特征在于：所述玻璃基板的上面镀有金属铬薄膜，光刻工艺得到铬薄膜图案，铬薄膜图案上覆一层导电膜。当接触式曝光时，避免掩膜版与涂有光刻胶的基片接触摩擦产生...
- 信恩龙李喜峰张建华
- 文献传递
- 铪铟锌氧化物靶材的制作方法
- 本发明公开了一种铪铟锌氧化物靶材的制作方法，包括氧化铪、氧化铟和氧化锌三种金属氧化物纳米粉体的制备步骤、氧化铟粉末制作步骤、烧结步骤以及整型步骤，将氧化铪、氧化铟、氧化锌的纳米粉末均匀混合，压制成坯，再以高温烧结合成为铪...
- 信恩龙李喜峰张建华
- 文献传递
- 溶胶-凝胶法制备透明氧化物薄膜晶体管的研究进展被引量：1
- 2014年
- 透明非晶氧化物薄膜晶体管(TAOS-TFT)相对于硅基TFT具有均一性好、迁移率高、兼容低温柔性基板等优点,能够广泛用于平板有源显示领域特别是有源矩阵有机发光二极管显示(AMOLED)的驱动背板。溶胶-凝胶法制备薄膜晶体管不需要高真空的环境,成本低、工艺简单,化合物成分易于控制,能够均匀定量地实现分子水平的掺杂,满足新技术研发的需求,近年来引起了广泛关注,研究主要集中在寻找合适有源层和绝缘层材料、研究薄膜成分、制备工艺对器件性能的影响,并获得与传统真空工艺可比拟的器件性能。针对柔性显示器件成为未来显示发展的主流技术之一,全溶液法制备以及基于柔性基板制备TFT也取得了较好的进展,为未来显示行业提供了可靠的低成本发展方向。但所制备的TFT器件仍然存在制备温度相对较高,偏压稳定性相对较差的问题。总结了该领域内目前研究热点及取得的进展。
- 信恩龙李喜峰张建华
- 关键词：溶胶-凝胶法
- 一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法
- 本发明公开一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括在绝缘衬底上生长第一导电层，通过光刻刻蚀获得栅电极；在所述的栅电极上生长绝缘层；随后涂布有源层，通过光刻刻蚀技术获得有源岛。最后，沉积第二导电层，通过光刻刻蚀技术获得源、...
- 李倩李喜峰信恩龙张建华
- 文献传递
- 低温透明非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性被引量：9
- 2013年
- 采用室温射频磁控溅射非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO),在相对低的温度(<200℃)下成功制备底栅a-IGZO薄膜晶体管器件,其场效应迁移率10cm-2·V-1·s-1,开关比大于107,亚阈值摆幅SS为0.4V/dec,阈值电压为3.6V.栅电压正向和负向扫描未发现电滞现象.白光发光二极管光照对器件的输出特性基本没有影响,表明制备的器件可用于透明显示器件.研究了器件的光照稳定性,光照10000s后器件阈值电压负向偏移约0.8V,这种漂移是由于界面电荷束缚所致.
- 李喜峰信恩龙石继锋陈龙龙李春亚张建华
- 关键词：薄膜晶体管
- 一种氧化物薄膜晶体管制备方法
- 本发明公开一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其过程包括：玻璃基板上依次制备源漏电极、氧化物有源层、沉积氧化铝、氧化硅绝缘层、栅电极。本发明在制备绝缘层之前生长一有源层保护层，以避免等离子体增强型化学气相沉积对有源层的损伤，...
- 信恩龙李喜峰张建华
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