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傅兴华

作品数:125 被引量:146H指数:6
供职机构:贵州大学更多>>
发文基金:贵州省科学技术基金国家自然科学基金贵州省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 67篇期刊文章
  • 44篇专利
  • 3篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 59篇电子电信
  • 8篇一般工业技术
  • 8篇理学
  • 7篇自动化与计算...
  • 5篇电气工程
  • 4篇机械工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇文化科学

主题

  • 21篇电路
  • 18篇超导
  • 16篇超导薄膜
  • 12篇硼化镁
  • 11篇半导体
  • 8篇汽车
  • 7篇热保护
  • 7篇集成电路
  • 7篇过热保护
  • 6篇气相沉积
  • 6篇芯片
  • 6篇功率半导体
  • 6篇保护电路
  • 5篇电压
  • 5篇信号
  • 5篇片层
  • 5篇微电子
  • 5篇温度系数
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积

机构

  • 110篇贵州大学
  • 11篇贵州省微纳电...
  • 5篇东南大学
  • 4篇贵州民族大学
  • 3篇中国科学院微...
  • 2篇南京邮电学院
  • 2篇遵义师范学院
  • 1篇贵州师范大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇贵阳学院
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇长安大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国石油大学...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 115篇傅兴华
  • 54篇杨发顺
  • 44篇马奎
  • 27篇林洁馨
  • 17篇杨健
  • 16篇周章渝
  • 13篇王松
  • 10篇丁召
  • 7篇陈军宁
  • 7篇张正平
  • 6篇王建卫
  • 6篇黄连帅
  • 6篇王义
  • 6篇唐昭焕
  • 5篇王殿生
  • 5篇王星云
  • 4篇陈茜
  • 4篇邓朝勇
  • 4篇梁蓓
  • 4篇肖寒

传媒

  • 11篇微电子学与计...
  • 6篇微电子学
  • 5篇半导体技术
  • 3篇贵州大学学报...
  • 3篇现代电子技术
  • 3篇电子设计应用
  • 2篇物理学报
  • 2篇电子技术应用
  • 2篇遵义师范学院...
  • 2篇电子设计工程
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇电子学报
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料导报
  • 1篇微型机与应用
  • 1篇系统仿真学报
  • 1篇贵州科学
  • 1篇中国稀土学报

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 7篇2016
  • 12篇2015
  • 4篇2014
  • 13篇2013
  • 13篇2012
  • 6篇2011
  • 7篇2010
  • 11篇2009
  • 5篇2008
  • 3篇2007
  • 4篇2006
  • 4篇2005
  • 3篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇2002
125 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于二硼化镁超导材料约瑟夫森结的制备与研究
二硼化镁(MgB2)是迄今发现的临界温度最高的简单、最稳定的金属化合物超导材料,相比其他高温氧化物超导体,MgB2具有结构简单、晶界弱连接效应轻微、相干距离较长等优点,因此在超导电子领域有广阔的应用前景.高质量薄膜和约瑟...
周章渝傅兴华杨健王松杨发顺
关键词:二硼化镁约瑟夫森结
一种轨到轨高速CMOS滞回比较器
2010年
本文介绍了一种预放大-锁存CMOS滞回比较器,在输入级采用轨到轨结构,使用一种新颖的电流求和电路,大大降低了输入级传输时延。器件采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺库,在Cadence Spectre环境下仿真,结果表明:比较器的工作频率达到250MHz以上,静态工作电流为257μA,上升时延为1.94ns,下降时延为1.81ns,低频增益为89dB。
张宗江孙天奇左事君钟智毅傅兴华
关键词:轨到轨传输时延比较器
一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件
本实用新型公开了一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件,它包括衬底材料,所述衬底材料上覆盖有第一外延层;第一外延层上覆盖有第二外延层;体区位于第一外延层和第二外延层之间;体区的上部二侧为源区;本实用新型一方面增加了体区的...
唐昭焕杨发顺马奎林洁馨傅兴华
文献传递
一种制备硼化镁超导薄膜的装置
本实用新型公开了一种制备硼化镁超导薄膜的装置,它包括沉积腔室,鼓泡计通过管道与沉积腔室连通,混气装置通过管道与沉积腔室连通,沉积腔室与废气处理装置连通;本实用新型解决了现有技术在制备多层MgB<Sub>2</Sub>超导...
傅兴华王松周章渝杨发顺马奎杨健王星云
文献传递
一种基于硅直通孔的三维集成系统热解析方法
本发明公开了一种基于硅直通孔的三维集成系统热解析方法,它包括将三维集成系统分解成单个功率元胞,在该功率元胞中,考虑硅通孔横向热阻和纵向热阻的影响,建立分段热阻模型;根据基尔霍夫定律得出包含上下层芯片温度的矩阵方程;根据传...
马奎杨发顺王勇勇林洁馨傅兴华
一种三维功率VDMOS器件及其集成方法
本发明公开了一种三维功率VDMOS器件及其集成方法,它包括功率单元和芯片层,所述芯片层有二个以上,每个芯片层上均匀分布有二个以上的功率单元,每个功率单元外围设置有独立的终端,每个功率单元外围设置有层间导电互连的TSV通孔...
林洁馨傅兴华马奎杨发顺
一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件及其制造方法
本发明公开了一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件及其制造方法,它包括衬底材料,所述衬底材料上覆盖有第一外延层;第一外延层上覆盖有第二外延层;体区位于第一外延层和第二外延层之间;体区的上部二侧为源区;本发明一方面增加了体...
唐昭焕杨发顺马奎林洁馨傅兴华
文献传递
大功率晶体管纵向参数计算与分析被引量:1
2009年
大功率晶体管是功率驱动电路的核心元件,通常工作在极限参数状态下。本文分析了大功率晶体管的纵向结构,并计算了晶体管的纵向结构尺寸等参数。
杨方傅兴华
关键词:大功率晶体管
一种带有软加载功能的软启动电路
本实用新型公开了<B>一</B>种带有软加载功能的软启动电路,它包括频率测量电路与计数器电路通过导线连接,延时电路与占空比检测电路通过导线连接,占空比检测电路与计数器电路通过导线连接,计数器电路与数模转换电路通过导线连接...
傅兴华马奎杨发顺黄连帅王建卫
文献传递
高性能低功耗逻辑电路—MOS电流模逻辑
2012年
本文介绍了一种高速低功耗逻辑电路:MOS电流模逻辑电路(MCML),该电路以其独特的差分结构及恒流源偏置方式,在高频电路及数模混合电路中表现出了低电压低功耗及高抗噪的特性,可作为高频应用中新一代高性能低功耗集成电路芯片。
梁蓓傅兴华
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