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党文龙

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:北京科技大学更多>>
相关领域:金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇多层膜
  • 2篇多层膜结构
  • 2篇交换偏置
  • 2篇交换偏置场
  • 2篇半金属
  • 2篇

机构

  • 2篇北京科技大学

作者

  • 2篇张德林
  • 2篇徐晓光
  • 2篇姜勇
  • 2篇李智
  • 2篇党文龙
  • 2篇陈兴武
  • 2篇苗君
  • 2篇张欣
  • 2篇王义虎

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种具有交换偏置效应的多层膜结构及其制作方法
本发明属于磁电互控非易失存储技术领域,提供了一种新型的具有交换偏置效应的半金属/多铁材料多层膜结构,其具有大的交换偏置场,小的矫顽力,高的截止温度和优良的稳定性能。从底层往上第一层为多铁薄膜层,厚度约为20~200纳米;...
姜勇张德林苗君张欣王义虎徐晓光李智党文龙陈兴武
一种具有交换偏置效应的多层膜结构及其制作方法
本发明属于磁电互控非易失存储技术领域,提供了一种新型的具有交换偏置效应的半金属/多铁材料多层膜结构,其具有大的交换偏置场,小的矫顽力,高的截止温度和优良的稳定性能。从底层往上第一层为多铁薄膜层,厚度约为20~200纳米;...
姜勇张德林苗君张欣王义虎徐晓光李智党文龙陈兴武
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共1页<1>
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