您的位置: 专家智库 > >

冯婷婷

作品数:14 被引量:4H指数:1
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 12篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 8篇动态随机存储...
  • 8篇随机存储器
  • 8篇铁电
  • 8篇衬底
  • 8篇存储器
  • 6篇合金
  • 6篇合金化
  • 6篇合金化处理
  • 5篇金属
  • 4篇介质
  • 4篇介质薄膜
  • 4篇隔离层
  • 3篇电池
  • 3篇制备金属
  • 3篇气相沉积
  • 2篇导体
  • 2篇电极
  • 2篇淀积
  • 2篇氧化物
  • 2篇异质结

机构

  • 14篇清华大学

作者

  • 14篇冯婷婷
  • 12篇任天令
  • 12篇谢丹
  • 8篇刘理天
  • 8篇韩学光
  • 8篇罗亚烽
  • 4篇李虓
  • 4篇朱宏伟
  • 3篇宋睿
  • 3篇吴德海
  • 3篇田禾
  • 1篇武潇
  • 1篇陈昱
  • 1篇臧永圆

年份

  • 2篇2014
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 5篇2010
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于原子层沉积隔离层的铁电动态随机存储器及制备方法
本发明涉及基于原子层沉积隔离层的铁电动态随机存储器及其制备方法,属于微电子新材料与器件技术领域,该器件的区别特征为隔离层介质为:HfO<Sub>2</Sub>、Hf-Al-O、TiO<Sub>2</Sub>、Al<Sub...
谢丹罗亚烽冯婷婷韩学光任天令刘理天
文献传递
基于锆钛酸铅存储介质的铁电动态随机存储器及制备方法
本发明涉及基于锆钛酸铅存储介质的铁电动态随机存储器制备方法属于微电子新材料与器件技术领域,包括:硅衬底,源区、漏区,隔离层介质膜,铁电薄膜层,栅电极,源极,漏极,以及用于测试该存储器的衬底接触区和衬底接触电极;其中,隔离...
谢丹罗亚烽冯婷婷韩学光任天令刘理天
文献传递
一种石墨烯/硅柱阵列肖特基结光伏电池及其制造方法
基于石墨烯/硅柱阵列肖特基光伏电池及其制造方法,在单晶半导体衬底上热氧化生成氧化硅(SiO<Sub>2</Sub>)作为隔离层,腐蚀SiO<Sub>2</Sub>隔离层形成窗口并在窗口内采用光刻和干法刻蚀的方法制备出硅柱...
谢丹冯婷婷任天令宋睿田禾李虓吴德海朱宏伟
文献传递
基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法
本发明涉及基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法,属于微电子新材料与器件技术领域,该器件的区别特征为隔离层介质为:ZrO<Sub>2</Sub>或TiO<Sub>2</Sub>;铁电薄膜层为BXT或BXFY中的...
谢丹罗亚烽冯婷婷韩学光任天令刘理天
文献传递
基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器及制备方法
本发明涉及基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器,包括:硅衬底,源区、漏区,隔离层介质膜,铁电薄膜层,栅电极,源极,漏极,以及用于器件测量的衬底接触区和衬底接触电极;所述隔离层介质为:ZrO<Sub>2</Sub>、T...
谢丹罗亚烽冯婷婷韩学光任天令刘理天
文献传递
基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法
基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法,在单晶半导体衬底上淀积氧化硅(SiO<Sub>2</Sub>)或氮化硅(Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>)作为隔离层,在单晶半导体衬底表制备出仿生蛾眼...
谢丹冯婷婷任天令宋睿田禾李虓吴德海朱宏伟
文献传递
基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法
基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法,在单晶半导体衬底上淀积氧化硅(SiO<Sub>2</Sub>)或氮化硅(Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>)作为隔离层,在单晶半导体衬底表制备出仿生蛾眼...
谢丹冯婷婷任天令宋睿田禾李虓吴德海朱宏伟
基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法
本发明涉及基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法,属于微电子新材料与器件技术领域,该器件的区别特征为隔离层介质为:ZrO<Sub>2</Sub>或TiO<Sub>2</Sub>;铁电薄膜层为BXT或BXFY中的...
谢丹罗亚烽冯婷婷韩学光任天令刘理天
基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器及制备方法
本发明涉及基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器,包括:硅衬底,源区、漏区,隔离层介质膜,铁电薄膜层,栅电极,源极,漏极,以及用于器件测量的衬底接触区和衬底接触电极;所述隔离层介质为:ZrO<Sub>2</Sub>、T...
谢丹罗亚烽冯婷婷韩学光任天令刘理天
基于原子层沉积隔离层的铁电动态随机存储器及制备方法
本发明涉及基于原子层沉积隔离层的铁电动态随机存储器及其制备方法,属于微电子新材料与器件技术领域,该器件的区别特征为隔离层介质为:HfO<Sub>2</Sub>、Hf-Al-O、TiO<Sub>2</Sub>、Al<Sub...
谢丹罗亚烽冯婷婷韩学光任天令刘理天
共2页<12>
聚类工具0