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In掺杂ZnO薄膜的制备及其白光发射机理被引量：5: 2011年; 采用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了本征ZnO薄膜和In:(Zn+In)分别为5%,8%,10%的ZnO薄膜,对薄膜的晶相结构和光电性质进行了表征并在CIE-XYZ表色系统中计算了不同样品的色品坐标.结果表明:In掺入后ZnO薄膜的择优生长方向由(002)面变为(101)面且面间距变小,当In掺杂量为5%时,In原子完全替代Zn原子;薄膜的电阻率随In含量的增加出现先抑后扬的趋势;随着In的掺入光谱的紫外发射峰红移,并在670nm左右出现一个新的峰值;In:(Zn+In)为5%样品具有白光发射特性.从第一性原理出发计算了本征及In含量为5%的薄膜的能带结构,从附加能级的角度讨论了样品白光发射的产生机理.; 李世帅张仲黄金昭冯秀鹏刘如喜; 关键词：溶胶-凝胶白光发射

有机多层阱结构中光谱蓝移的研究: 2009年; 为了研究有机多层阱结构中光谱蓝移的原因,制备了以N,N′-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N′-diphenyl]-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)为垒层和以Tris-(8-quinolinolato)aluminum(Alq3)为阱层的有机多层阱结构器件.利用光致发光的方法,对具有不同周期及不同阱层厚度的有机多层阱结构器件进行研究.分析认为有机多层阱结构中的光谱蓝移是由于光谱重叠造成的,而并非量子尺寸效应或激子限制效应.; 黄金昭李世帅冯秀鹏于峰; 关键词：蓝移光致发光激子

衬底温度对Ba_2FeMoO_6薄膜生长的影响及磁性质研究: 2011年; 利用自制的Ba2FeMoO6陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积技术,在钛酸锶SrTiO3(100)衬底上,于衬底温度分别为700℃、800℃、900℃下制备出了厚度为100 nm的双钙钛矿型氧化物Ba2 FeMoO6薄膜。分别采用XRD、AFM和VSM表征了样品的结构、表面形貌和磁性质。结果表明,在衬底温度为900℃时沿c轴择优取向生长效果最佳、成膜质量最好,从生长过程角度解释了原因;样品M-H曲线表明在衬底温度不同时生长出的各样品均具有铁磁性,其磁性随衬底温度的升高而增加,分子饱和磁矩在700℃到800℃时变化显著,在800℃到900℃时变化不是很大。; 张仲冯秀鹏李世帅黄金昭陈康; 关键词：脉冲激光沉积衬底温度磁性质

Zn_(0.8)Na_(0.1)Co_(0.1)O薄膜的制备及衬底温度对其影响: 2011年; 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在温度为400、500和600℃的SiO2衬底上成功制备出Zn0.8Na0.1Co0.1O薄膜。用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、荧光光谱仪、四探针电阻率测试台等对薄膜的结构、表面形貌和光电性质进行了表征,讨论了不同衬底温度对薄膜结构、光学和电学性质的影响。结果表明:掺杂没有改变ZnO的六角纤锌矿结构;表面较平坦;薄膜只有较强的紫外发射且较本征ZnO出现红移;薄膜呈现低电阻率的特性。当衬底温度为600℃时,薄膜的结晶质量最好,紫外发射最强;衬底温度为400℃时,薄膜电阻率最低,达到了7.55×10-1Ω.cm。讨论了上述结果产生的原因。; 张仲李世帅黄金昭冯秀鹏刘春彦陶冶微; 关键词：ZNO薄膜衬底温度光电性质红移

ZnO纳米棒的低温溶液法制备、光电特性研究及其在有机/无机复合电致发光中的应用被引量：14: 2010年; 利用水热法制备了垂直于衬底的定向生长的ZnO纳米棒,利用扫描电子显微镜及光致发光的方法对其形貌及光学特性进行了表征,利用场发射性能测试装置对ZnO纳米棒的场发射性能进行了测试.结果表明:利用水热法在较低的温度(95℃)下生长了具有较好形貌和结构的ZnO纳米棒,并表现出了较好的场发射特性,当电流密度为1μA/cm2时,开启电场是2.8V/μm,当电场为6.4V/μm时,电流密度可以达到0.67mA/cm2,场增强因子为3360.稳定性测试表明,在5h内,4.5V/μm的电场下,其波动不超过25%.将制备的ZnO纳米棒应用到有机/无机电致发光中,其中ZnO纳米棒为电子传输层,m-MTDATA(4,4′,4″-tris{N,(3-methylphenyl)-N-phenylamino}-triphenylamine)为空穴传输层,得到了ZnO的342nm的紫外电致发光,此发光较ZnO纳米棒光致发光的紫外发射有约40nm的蓝移.; 黄金昭李世帅冯秀鹏; 关键词：ZNO纳米棒场发射水热法

Zn_(1-x-y)Na_xCo_yO薄膜的脉冲激光沉积制备及表征被引量：1: 2011年; 采用脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上成功制备出不同含量Na,Co共掺的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜、荧光光谱仪以及四探针电阻率测试台对薄膜的结构、表面形貌和光电性质进行了表征.重点讨论了不同掺杂浓度对薄膜光电性质的影响.结果表明Na,Co共掺没有改变ZnO的六角纤锌矿结构且掺杂导致薄膜仅有的的紫外发光峰出现红移.当Na,Co掺杂浓度分别为10时,峰值最强且红移最明显,发光峰波长为397nm,薄膜的电阻率最低,达到了8.34×10-1Ω.cm.深入讨论了上述结果的产生原因.; 李世帅冯秀鹏黄金昭刘春彦张仲陶冶微; 关键词：脉冲激光沉积光电性质红移

简单水热法制备棒状纳米氧化锌及其表征被引量：14: 2010年; 以Zn(NO3)2和NaOH为原料,在不使用任何添加剂的条件下,采用水热合成法在不同的合成时间和合成温度下制备棒状纳米ZnO颗粒。通过X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、光致发光谱(PL)、电导率测试对样品进行表征。结果表明,所制备的纳米ZnO粉末具有六方红锌矿结构并沿(101)面择优生长;随着合成时间和温度的增加,样品的纯度逐渐增加;合成时间为25h,温度为200℃时,样品的结晶最好,样品基本成棒状,平均直径约为30～40nm,长度约为300～400nm、电阻率最大,且在376nm和500～600nm处有明显发射现象。深入分析了上述结果的形成原因。; 李世帅冯秀鹏黄金昭张仲陶冶微; 关键词：水热合成纳米ZNO 光致发光电阻率

Sr2FeMoO6复合体系的制备和物理性能研究: 双钙钛矿型氧化物Sr2FeMoO6由于表现出室温低场的磁电阻效应而成为材料物理学和凝聚念物理学的主要研究对象之一。在强电子关联体系中发现的颗粒边界效应对多晶材料的电磁输运行为有较高的影响性,多晶颗粒体系的晶界状态和颗粒尺...; 冯秀鹏; 关键词：物理性能磁电阻效应双钙钛矿氧化物溶胶凝胶法

双钙钛矿型氧化物(Sr_(2-3x)La_(2x)Ca_x)FeMoO_6的电输运性质被引量：2: 2010年; 分别用固相烧结法和溶胶-凝胶法制备了A位双掺杂的双钙钛矿型氧化物(Sr2-3xLa2xCax)Fe-MoO6。XRD显示所有样品均为多晶单相,随掺杂量增加,样品空间群在x=0.2处转变,由I4/m群转变为Fm3-m群。四探针法对电输运性质的表征表明,样品电阻率随反位缺陷程度的加剧而增加,随平均晶粒尺寸的增大而减小,定量掺杂以限制化合物相结构、完善制备工艺以优化晶界条件,能有效控制材料的电导性质。; 冯秀鹏李世帅黄金昭孙茂峰张仲陶冶薇; 关键词：双钙钛矿溶胶-凝胶法固相烧结法电输运性质晶粒尺寸

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冯秀鹏