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刘金彪

作品数：121 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 117篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 34篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇文化科学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇矿业工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 47篇半导体
  • 29篇半导体器件
  • 23篇沟道
  • 21篇退火
  • 21篇光刻
  • 20篇刻蚀
  • 17篇掺杂
  • 15篇衬底
  • 13篇平坦化
  • 13篇光刻胶
  • 12篇叠层
  • 11篇离子注入
  • 11篇介质层
  • 10篇电子束曝光
  • 10篇激光
  • 9篇电子设备
  • 9篇电子束
  • 9篇热退火
  • 9篇显影
  • 8篇研磨液

机构

  • 121篇中国科学院微...
  • 3篇北方工业大学
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 121篇刘金彪
  • 106篇李俊峰
  • 54篇杨涛
  • 48篇贺晓彬
  • 37篇罗军
  • 29篇王桂磊
  • 26篇殷华湘
  • 21篇赵超
  • 18篇王垚
  • 16篇唐波
  • 15篇张青竹
  • 13篇李俊杰
  • 9篇刘青
  • 6篇高建峰
  • 5篇张琦辉
  • 5篇张浩
  • 4篇叶甜春
  • 4篇丁明正
  • 4篇宋希明
  • 4篇刘战峰

传媒

  • 2篇电子世界
  • 1篇智能电网（汉...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 13篇2024
  • 18篇2023
  • 14篇2022
  • 17篇2021
  • 15篇2020
  • 5篇2019
  • 6篇2018
  • 5篇2017
  • 8篇2016
  • 10篇2015
  • 2篇2014
  • 7篇2012
  • 1篇2009
共 121 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种离子注入装置
本申请公开了一种离子注入装置，属于半导体处理技术和设备领域，解决了现有技术中束线离子注入技术保型性差以及等离子掺杂技术易引入杂质、掺杂源受限的问题。本申请的离子注入装置，沿离子的运动方向，包括依次设置的起弧室和离子注入单...
刘金彪王桂磊王佳刘青李俊峰
文献传递
一种金属硅化物的形成方法
本发明提供了一种金属硅化物的形成方法，首先提供衬底，所述衬底上形成有鳍，所述鳍上形成有栅极；然后沉积Ti金属层；接着进行所述Ti金属层的硅化，并去除未反应的所述Ti金属层。Ti原子具有较好的稳定性，在热退火的过程中，主要...
张青竹赵利川杨雄锟殷华湘闫江李俊峰杨涛刘金彪
文献传递
一种半导体器件及其制造方法
本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上可以形成介质层，在介质层中形成第一堆叠层和第二堆叠层，第一堆叠层和第二堆叠层的材料不完全相同，第一堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第一通孔中，包括第一掺杂材料层、第一沟道...
王桂磊亨利·H·阿达姆松孔真真李俊杰刘金彪李俊峰殷华湘
一种锗的化学机械抛光方法
本发明提供了一种锗的化学机械抛光方法，该方法包括以下步骤：a.提供待抛光的晶圆，该晶圆具有生长完成的锗沟槽，锗沟槽之间为测量隔离区；b.确认锗沟槽与测量隔离区齐平的最低图形密度ρ；c.在晶圆上图形密度小于等于ρ的锗沟槽上...
杨涛刘金彪贺晓彬李俊峰赵超
文献传递
一种掺杂缺陷去除方法
本申请提供一种掺杂缺陷去除方法，提供半导体结构，半导经过离子注入和退火处理，半导体结构具有尖角，且尖角处存在缺陷，之后，可以对半导体结构进行低温氧化，以氧化尖角处的缺陷，由于缺陷处存在更多的悬挂键，活性较高，因此比较容易...
刘金彪罗军李俊峰
文献传递
一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备
本发明公开一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备，涉及半导体纳米加工技术领域。所述用于形成倒T形结构的电子束曝光方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层中的第一版图进行电子束曝光；在所述第...
贺晓彬李亭亭刘金彪唐波杨涛李俊峰
一种半导体器件及其制造方法
本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上形成位于第一层间介质层中的第一器件，在第一层间介质层上形成第二器件，第二器件包括源极、漏极、源极和漏极之间的沟道和与沟道连接的栅极，其中第二器件的源漏为金属锗硅化物，沟道为...
毛淑娟刘战峰殷华湘刘金彪王桂磊李永亮罗军
文献传递
一种半导体器件的制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成栅介质层以及其上的金属栅极层；在金属栅极层表面上形成第一钨层，并进行N离子注入，以形成氮化钨的阻挡层；采用ALD工艺进行钨填充。该阻挡层避...
王桂磊李俊峰刘金彪赵超
文献传递
光刻胶的涂胶方法
本发明涉及半导体制造工艺技术领域，具体涉及一种光刻胶的涂胶方法，包括以下步骤：硅片保持静止，控制喷胶装置移动至硅片的第一位置；控制所述硅片旋转，所述喷胶装置向所述硅片喷射光刻胶，加速所述硅片的旋转，所述硅片至少在预设时间...
贺晓彬张青竹殷华湘李俊峰李亭亭刘金彪
全Si型太阳电池中Si量子点超晶格结构制备及其特性研究
基于Si量子点超晶格结构的第三代全Si型太阳能电池，由于其无毒、原材料丰富、高效率、低成本而引起了广泛的研究兴趣。我们利用双电子束蒸发源，率先快速高效地制备出大面积、低成本的多层Si量子点超晶格结构，成功地将Si量子点嵌...
贾锐李维龙陈晨李昊峰叶甜春刘新宇刘金彪刘明
关键词：硅量子点超晶格结构量子限制效应光致发光光谱
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