吕建伟
- 作品数：15 被引量：36H指数：2
- 供职机构：重庆大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>
- 电解液栅型碳纳米管场效应晶体管的实验研究
- 2005年
- 由于碳纳米管具有独特的结构和性能,因而一直受到人们的关注。对于包括碳纳米管场效应管在内的分子元件的研究方面尤其令人注目。笔者研究了具有电解液栅的碳纳米管场效应晶体管,研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法 (CVD)合成的。衬底材料是平面玻璃,Fe/Ni混合物用作催化剂。对具有Ag电极的多壁碳纳米管晶体管作了优化设计制造,并利用KCl溶液作为栅极。实验结果表明,电解液栅型碳纳米管晶体管(FET)呈现出良好的电流-电压特性曲线。在栅压 2V时,其跨导约为 0. 5mA/V。并对获得的研究结果进行了讨论。
- 吕建伟王万录廖克俊王永田万步勇孔纪兰
- 关键词：碳纳米管场效应晶体管I-V特性跨导
- 碳纳米管压阻效应及其应用研究
- 利用了三点弯曲法研究了碳纳米管膜压阻效应.研究中所用的碳纳米管是用化学气相沉积法合成的.实验结果表明,碘掺杂和未掺杂的碳纳米管膜的压阻因子在500微形变和室温下分别为350和65,超过了单晶硅和多晶硅的压阻因子.同时还发...
- 王万录廖克俊吕建伟万步勇张毅
- 关键词：压阻效应碳纳米管
- 文献传递
- 纳米碳管分子整流器件的研究进展被引量：1
- 2004年
- 介绍了利用碳纳米管代替传统的硅材料研制分子整流器这一重要的电子元器件的进展状况。着重分析了现阶段利用碳纳米管大量研制分子元器件及纳米电路所面临的困难,并对碳纳米管整流器件的应用前景作了展望。
- 吕建伟王万录王永田万步勇孔纪兰
- 关键词：纳米碳管纳米电路分子电子学
- 碳纳米管场效应晶体管的研究进展被引量：1
- 2004年
- 介绍了利用纳米材料和技术代替传统的硅(Si)材料，研制电子功能元器件的重要性和急迫性。着重介绍了用纳米碳管研制场效应晶体管(FET)这一重要的电子元件的进展情况及几种常见的碳纳米管FET。分析了现有的碳纳米管FET实用化的困难和存在的问题，并展望了碳纳米管FET的应用前景。
- 吕建伟王万录张毅万步勇曹春兰孔纪兰
- 关键词：场效应晶体管碳纳米管FET电子元件纳米碳管实用化
- 单壁纳米碳管制备的新进展
- 2004年
- 综述了成熟的且能大量合成纯度较好的单壁纳米碳管(SWCNTS)的制备方法,分析不同的制备方法的特点以及关键的工艺参数,并在同一制备方法中讨论工艺条件的改变对合成SWCNTS产物的影响。催化剂及碳源种类以及它们的配比在制备SWCNTS中起决定重要作用。此外,电弧电流及电压、惰性气体种类及压力、电极的冷却速度等因素是电弧法制备SWCNTS的重要参数。激光束的强度、环境温度、惰性气体的种类及流速、脉冲的频率及间隔时间等工艺参数决定激光蒸发法制备SWCNTS的产物。而碳源的流量,催化剂粒度大小、反应温度,气体压强以及基体材料等在有机气体催化热解法合成SWCNTS中发挥重要作用。
- 孔纪兰周上祺左汝林吕建伟
- 关键词：单壁纳米碳管电弧法激光蒸发法
- 形变引发碳纳米管膜电阻变化的研究
- 研究了碳纳米管膜形变诱导电阻的变化.所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法合成的.实验表明碳纳米管膜具有显著的形变诱导电阻变化的特性.室温下碳纳米管膜电阻的增减与施加形变的方向有关,其电阻相对变化量的大小与形变量之间呈近...
- 吕建伟王万录廖克俊万步勇张毅
- 关键词：碳纳米管电阻传感器
- 文献传递
- 形变引发碳纳米管膜电阻变化的研究
- 研究了碳纳米管膜形变诱导电阻的变化.所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法合成的.实验表明碳纳米管膜具有显著的形变诱导电阻变化的特性.室温下碳纳米管膜具有显著的形变诱导电阻变化的特性.室温下碳纳米管膜电阻的增减与施加形变...
- 吕建伟王万录廖克俊万步勇张毅
- 关键词：碳纳米管电阻传感器
- 文献传递
- 形变引发碳纳米管膜电阻变化的研究
- 2004年
- 研究了碳纳米管膜形变诱导电阻的变化.所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法合成的.实验表明碳纳米管膜具有显著的形变诱导电阻变化的特性.室温下碳纳米管膜电阻的增减与施加形变的方向有关,其电阻相对变化量的大小与形变量之间呈近似线性关系.同多壁管膜相比,单壁管膜的电阻变化强于多壁管膜,化学处理对该效应有明显的增强作用.电阻随形变变化的原因可能是能隙变化和管之间接触电阻变化所致.
- 吕建伟王万录廖克俊万步勇张毅
- 关键词：碳纳米管电阻传感器
- 碳纳米管压阻效应及其应用研究被引量：1
- 2004年
- 利用了三点弯曲法研究了碳纳米管膜压阻效应.研究中所用的碳纳米管是用化学气相沉积法合成的.实验结果表明,碘掺杂和未掺杂的碳纳米管膜的压阻因子在500微形变和室温下分别为350和65,超过了单晶硅和多晶硅的压阻因子.同时还发现化学处理还能进一步增强碳纳米管膜的压阻效应.碘掺杂碳纳米管膜的压阻效应也许是由于在形变时带隙变化所致,而未掺杂碳纳米管压阻效应主要是由管之间接触电阻变化引起的.碳纳米管压阻效应可用于旋转速度的测量.
- 王万录廖克俊吕建伟万步勇张毅
- 关键词：压阻效应碳纳米管
- Si和Si尖上纳米金刚石场电子发射性质的研究被引量：1
- 2003年
- 研究了 Si和 Si尖上纳米金刚石场电子发射性质。纳米金刚石是利用热灯丝 CVD法合成的 ,反应气体是 CH4、N2 和 H2 的混合物。实验结果表明 Si衬底上的纳米金刚石特别是 Si尖上的金刚石与多晶金刚石相比 ,前者极大地改善了场发射性质。场发射电场阈值和电流与金刚石晶粒度密切相关。文中对其结果进行了讨论。
- 廖克俊王万录吕建伟孙晓楠王蜀霞
- 关键词：纳米金刚石场电子发射
