吴雅苹
- 作品数：50 被引量：10H指数：2
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金福建省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
- 形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统
- 形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统，涉及扫描隧道显微镜。包括腐蚀平台、工作电路和控制软件，可制备用于STM测试需要的各种针尖。其中腐蚀平台包括装有腐蚀液体的电解池、用于固定和调节金属丝位置的探针定位机构以及可实时观察腐蚀...
- 孔丽晶吴志明许飞雅陈婷吴雅苹康俊勇
- 一种具有电场可调极化率的二维旋光器件
- 本实用新型公开一种具有电场可调极化率的二维旋光器件，包括基片、层叠设置在基片上表面的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极；该器件在激光入射下可产生旋...
- 吴雅苹柯聪明周江鹏康俊勇吴志明张纯淼
- 文献传递
- 一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构与方法
- 本发明提供了一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构，包括：由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III‑VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。采用激光入射至上...
- 吴雅苹柯聪明周江鹏康俊勇吴志明张纯淼
- 氮化物半导体自旋调控及其器件应用
- 氮化物半导体具有较宽的能隙和较强的自旋轨道耦合效应（SOC）,为其在室温自旋电子器件中的应用提供了优势。如何实现高效的自旋注入和自旋输运是一个重要的核心问题。传统半导体中的自旋注入通常以铁磁金属作为注入源,通过隧穿效应将...
- 吴雅苹吴雪峰吴启鹏李煦吴志明康俊勇
- 关键词：氮化物半导体电致发光
- GaN基底上单层WS<sub>2</sub>调控生长及其光学性质研究
- 2020年
- 本文采用化学气相沉积法在GaN上调控生长了单层WS2,并研究了基底耦合效应对其光学性质的影响。研究结果显示,生长温度为850℃,可以生长出质量较好的单层三角形WS2;当温度大于900℃时,GaN基底表面开始发生分解,不利于材料生长。通过载气H2流量调节,可在基底上生长出满覆盖的WS2。GaN基底上生长的三角形WS2呈现良好的60?旋转对称性,通过GaN纳米柱上WS2的生长与第一性原理模拟计算,推测出了WS2/GaN样品的稳定结构。通过拉曼表征发现,GaN基底会对WS2产生一定的张应力作用,使E2g1拉曼峰和激子峰出现红移,并且由于WS2与GaN基底形成Ⅱ型异质结能带结构,WS2/GaN样品出现发光淬灭现象。本文为开发新型二维光电子器件提供了一定的实验依据。
- 曾昊孙保帆陈嘉俊吴志明吴雅苹李煦李金钗康俊勇
- 关键词：化学气相沉积氮化镓异质结
- 一种基于自旋注入的电控自旋发光二极管器件
- 本实用新型公开一种基于自旋注入的电控自旋发光二极管器件，包括导电基片、设置于导电基片上表面的p型氮化物、电子阻挡层、量子阱有源区、n型氮化物，氮化硼电子隧穿层、自旋注入层、盖层；所述自旋注入层的磁矩取向可通过电场调控，通...
- 吴雅苹周江鹏陈嘉俊宋安柯张纯淼吴志明康俊勇
- 一种全电学调控的自旋发光探测一体器件及其制备方法
- 本发明提供了一种全电学调控的自旋发光探测一体器件，所述n型或p型III族氮化物设置于基底的上表面，第一导电电极和磁性MnPX<Sub>3</Sub>二维晶体分别位于所述n型或p型III族氮化物的上表面；所述第二导电电极和...
- 吴雅苹周江鹏张纯淼吴志明康俊勇
- 文献传递
- 一种无线能量采集系统、自旋二极管及其制备方法
- 一种无线能量采集系统、自旋二极管及其制备方法,包括依次相连的微波天线、阻抗匹配电路、微波整流器和储能单元；该微波整流器采用基于纳米磁性隧道结的自旋二极管。本发明的系统，采用自旋二极管，具有高工作带宽、宽动态范围的特性，且...
- 李煦吴雅苹吴志明康俊勇
- 文献传递
- 形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统
- 形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统，涉及扫描隧道显微镜。包括腐蚀平台、工作电路和控制软件，可制备用于STM测试需要的各种针尖。其中腐蚀平台包括装有腐蚀液体的电解池、用于固定和调节金属丝位置的探针定位机构以及可实时观察腐蚀...
- 孔丽晶吴志明许飞雅陈婷吴雅苹康俊勇
- 文献传递
- 一种透明电极膜的制备方法、透明电极膜及其应用
- 本发明公开了一种透明电极膜的制备方法、透明电极膜及其应用，涉及导电薄膜领域，以此堆叠的基片、透明晶体薄层和若干间隔设置的金属薄层；通过金属薄层施加电压，使透明晶体金属薄层击穿，形成细线状导电通道；通过退火处理，使金属薄层...
- 姜伟吴雅苹尹君康闻宇康俊勇
