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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇等离子体
  • 2篇四氯化硅
  • 2篇热等离子体
  • 2篇氯化
  • 2篇氯化硅
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇三氯氢硅
  • 1篇能耗
  • 1篇能耗分析
  • 1篇氢化技术
  • 1篇重整
  • 1篇进气
  • 1篇进气方式
  • 1篇甲烷
  • 1篇
  • 1篇CH
  • 1篇CO

机构

  • 3篇四川大学
  • 1篇中国石化集团...

作者

  • 3篇印永祥
  • 3篇吴青友
  • 2篇黄志军
  • 2篇李育亮
  • 2篇戴晓雁
  • 1篇陶旭梅
  • 1篇尚书勇
  • 1篇白玫瑰
  • 1篇覃攀
  • 1篇王跃
  • 1篇王子松

传媒

  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇四川化工

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
不同进气方式对热等离子体应用于CH_4-CO_2重整的影响被引量:5
2009年
采用大功率双阳极热等离子体装置,对CH4-CO2重整制合成气进行实验研究.实验采用两种不同的原料气输入方式:一种是使原料气(CH4和CO2的混合气体)作为等离子体放电气体全部通入第1阳极与第2阳极间的放电区,直接参与放电;另一种是保持前述状态,再附加另一部分原料气通入从等离子体发生器喷出的等离子体射流区.实验表明:第1种方式下,CH4和CO2同时具有很高的单程转化率和反应选择性,但能量转化效率较低;第2种方式下,尽管CH4和CO2单程转化率和选择性有所降低,但由于进料量增加,所得合成气摩尔量较大,因此能量转化效率高于第1种进气方式所得结果.实验还发现,保持放电电流恒定的情况下,等离子体放电电压随通入第1阳极与第2阳极间放电区的原料气流量增加而增加,与通入等离子体射流区的流量无关,同时实验未发现等离子体发生器阴极和阳极被氧化或出现碳沉积现象.
白玫瑰陶旭梅吴青友黄志军李育亮印永祥戴晓雁
关键词:重整甲烷热等离子体
氢热等离子体还原四氯化硅制备三氯氢硅的能耗分析被引量:8
2011年
利用40 kW直流氢热等离子体氢化还原改良西门子(Siemens)法生产多晶硅工艺的副产物SiCl4,制备了SiHCl3(Trichlorosilane,TCS)。在等离子体放电功率和H2体积流量不变的条件下,考察了n(H2):n(SiCl4)摩尔比对SiHCl3单程收率和单位产品能耗的影响。结果表明:当n(H2):n(SiCl4)=3.5时,SiHCl3最高单程收率可达62.1%,但其单位产品能耗较高[3.83(kW·h)/kg(TCS)];当n(H2):n(SiCl4)=2时,SiHCl3单程收率为41.5%,单位产品能耗最低为3.21(kW·h)/kg(TCS)。根据热等离子体相关理论以及实验结果,对热等离子体氢化SiCl4反应机理进行分析,提出可通过改善反应器结构、调控进料比例和优化反应工艺等方式进一步降低单位产品能耗。
黄志军覃攀吴青友李育亮王子松尚书勇戴晓雁印永祥
关键词:四氯化硅热等离子体三氯氢硅多晶硅能耗
四氯化硅的氢化处理技术进展被引量:12
2011年
改良西门子法多晶硅生产工艺会产生大量的四氯化硅有害气体,为了减少对环境污染,降低生产成本,需要对四氯化硅进行合理利用。通过氢化手段将四氯化硅转化为三氯氢硅能使四氯化硅得到合理有效的利用。本文重点介绍了目前主流的热氢化、冷氢化、氯氢化、等离子体氢化、催化氢化等五种四氯化硅氢化处理技术的工艺特点和研究进展,并对各种技术特点进行了评价。
王跃吴青友印永祥
关键词:四氯化硅氢化技术
共1页<1>
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