您的位置: 专家智库 > >

吴顺华

作品数:80 被引量:162H指数:6
供职机构:天津大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金天津市自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程电气工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 52篇期刊文章
  • 25篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 29篇化学工程
  • 21篇电气工程
  • 20篇一般工业技术
  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇天文地球

主题

  • 51篇介电
  • 50篇陶瓷
  • 35篇电性能
  • 35篇介电性
  • 35篇介电性能
  • 13篇介电常数
  • 11篇电容
  • 11篇电容器
  • 11篇钛酸
  • 9篇烧结温度
  • 9篇高介电常数
  • 9篇TIO
  • 8篇中温烧结
  • 8篇钛酸钡
  • 8篇介质损耗
  • 8篇ZNO
  • 7篇陶瓷介电
  • 7篇陶瓷介质
  • 7篇介质陶瓷
  • 6篇电子陶瓷

机构

  • 80篇天津大学
  • 4篇湖南大学

作者

  • 80篇吴顺华
  • 28篇王国庆
  • 15篇陈力颖
  • 13篇张志萍
  • 12篇苏皓
  • 10篇赵玉双
  • 10篇石锋
  • 9篇李媛
  • 9篇王爽
  • 7篇赵康健
  • 6篇孙萍
  • 5篇刘丹丹
  • 5篇王伟
  • 5篇刘俊峰
  • 4篇杨浩
  • 4篇钱端芬
  • 4篇毛陆虹
  • 4篇王爽
  • 4篇王小勇
  • 3篇陈晓娟

传媒

  • 11篇硅酸盐通报
  • 8篇压电与声光
  • 6篇电子元件与材...
  • 5篇硅酸盐学报
  • 3篇稀有金属材料...
  • 3篇Journa...
  • 3篇无机材料学报
  • 3篇天津大学学报...
  • 2篇天津大学学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇电子学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇材料导报
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇宇航材料工艺
  • 1篇国际学术动态

年份

  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 6篇2008
  • 8篇2007
  • 8篇2006
  • 11篇2005
  • 5篇2004
  • 14篇2003
  • 3篇2002
  • 4篇2001
  • 3篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 3篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1987
80 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
添加剂对(Zr,Sn)TiO_4系统高频陶瓷介电性能的影响被引量:6
2003年
用一般的电子陶瓷工艺在中温 (115 0℃ )烧结条件下制备了 (Zr ,Sn)TiO4 系统多层陶瓷电容器 (MLCC)用高频陶瓷材料。通过向系统中加入CuO ,ZnO ,BaCO3 ,SrCO3 和G(玻璃 )等添加剂 ,达到了降低烧成温度并提高介电性能的效果。研究了各添加剂对系统介电性能的影响。制得的陶瓷材料具有优异的介电性能 :在 1MHz下 ,ε≈ 38,Q =1/tanδ≥ 10 4 ,ρV≥ 10 11Ω·m ,αC=(0± 30 )× 10 -6·℃ -1。
王国庆吴顺华赵玉双
关键词:添加剂介电性能中温烧结
温度稳定型钛酸钡系统陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种温度稳定型BaTiO<Sub>3</Sub>系统陶瓷,其组分及其原料重量百分比为:BaTiO<Sub>3</Sub>55-85%,P熔块10-45%,Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>...
吴顺华王小勇王爽陈力颖刘俊峰
文献传递
液相包覆法合成Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3超细粉体
2005年
以水合五氧化二钽(Ta2O5·nH2O)纳米胶粒为活性固相基体,柠檬酸镁、柠檬酸钡混合溶液为包覆相,采用液相包覆-界面反应的方法制备Ba(Mg1/3Ta2/3)O3超细粉体.利用热失重-差热分析、X射线衍射及透射电镜等手段对产物的合成过程与结构形态进行了分析表征.研究表明以该方法能够在800℃下合成出成分均一、纯度较高、具有良好烧结活性的BMT超细粉体,产物粒子的形态接近球形,粒径分布窄,大约为20~30nm.
王伟吴顺华孙萍
关键词:湿化学法超细粉体柠檬酸盐
(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4陶瓷预烧和烧结工艺研究被引量:8
2003年
研究了预烧和烧结工艺对(Zr0.8Sn0.2)TiO4系统陶瓷材料介电性能的影响,发现预烧温度对介电常数ε影响不大,但预烧温度过高或过低会使介电损耗tanδ增大;在一定范围内提高烧结温度能使ε增加,但烧结温度过高或过低会使tanδ增大。XRD分析表明,在1100°C预烧,1150°C烧结的该系统主晶相是(Zr0.8Sn0.2)TiO4。该系统具有优良的介电性能(1MHz):ε≈38,tanδ≤10-4,体电阻率ρv≥1013·cm,温度系数αc=0±30×10-6/°C。
王国庆吴顺华颜海洋
关键词:预烧介电性能
低功耗无源超高频射频识别应答器芯片的射频电路设计与实现
2007年
提出了一种符合ISO/IEC18000-6B标准的高性能低功耗无源超高频(UHF)射频识别(RFID)应答器芯片的射频电路。该射频电路除天线外无外接元器件,通过肖特基二极管整流器从射频电磁场接收能量。其构成包括本地振荡器、时钟产生电路、复位电路、匹配网络和反向散射电路、整流器、稳压器以及AM解调器等几个主要模块。该射频电路芯片采用支持肖特基二极管和EEPROM的Chartered 0.35μm 2P4M CMOS工艺进行流片,测试结果表明其读取距离大于3m,在915MHzISM频带下工作时其电流小于8μA,该芯片核心面积为300μm×720μm。
陈力颖毛陆虹吴顺华郑轩李彦明
关键词:低功耗射频电路
制备工艺对BNBT陶瓷介电性能的影响被引量:1
2010年
BNT(BaO-Nd2O3-TiO2)系统陶瓷是一种介电性能优良的陶瓷材料。在BNT中添加一定量的B i2O3,可以得到介电性能更优的BNBT(BaO-Nd2O3-B i2O3-TiO2)陶瓷。该文分别研究了球磨时间、烧结温度和保温时间对BNBT陶瓷介电性能的影响。结果表明:当球磨时间为10h、烧结温度为1160℃、保温时间为9 h时,BNBT陶瓷的介电性能为:介电常数ε=99.8281,介电损耗tanδ=2.65×10-4,介电常数温度系数αε≤±30 ppm℃/。
李世春吴顺华
关键词:介电性能烧结温度保温时间
MgO-TiO_2-ZnO系统多层陶瓷电容器微波瓷料频率特性研究被引量:1
1999年
本文研究了MgOTiO2ZnO系统陶瓷,用其制成多层陶瓷电容器(MLCC),其优点是具有正温度系数(αc=90±20ppm/℃)、高Q(Q10000)、高频谐振频率达690MHz(C=31pF),重点讨论了容量阻抗频谱.
吴顺华吴国桥肖谧张志萍张志萍
关键词:谐振频率温度系数陶瓷电容器
四元系统PbO-BaO-SrO-Nb_2O_5介电性能研究被引量:6
1994年
对四元系统PbO-BaO-SrO-Nb_2O_5的介电性能进行了研究。X射线粉末衍射图谱确证在PbO,BaO,SrO,Nb_2O_5一定配比下,该系统为四方钨青铜铁电陶瓷系统,其主晶相为Pb_xBa_ySr_zNb_(10)O_(30)(1.75≤x≤2,1.25≤y≤2,1≤z≤1.75)。在此基础上,通过加入各种添加剂合理的掺杂改性,成功地研制出一种新型中温烧结高ε的X7R瓷料,此料适合作MLC。这一研究在国内至今为止未见报道,在国外亦属少见。
吴霞宛刘丽红吴顺华王洪儒张志萍
关键词:铁电体铌酸盐介电性能
钛酸钡陶瓷电容器介质及其制备方法
本发明公开了一种钛酸钡陶瓷电容器介质及其制备方法,该陶瓷介质以BaTiO<Sub>3</Sub>为主成分,按其重量为1,添加下述重量百分数的组分合成:1.00~1.50%的Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</S...
吴顺华李媛
文献传递
无压渗透法制备SiC_p/Al复合材料中影响润湿与渗透的因素及分析被引量:4
2003年
分析了无压渗透法制备SiCp/Al复合材料中影响SiCp/Al系统润湿与渗透的因素。指出Mg、Si元素的存在有利于渗透 ;SiO2 膜的存在可改善润湿性 ;当过程时间、过程温度不小于临界时间tm、临界温度Tm 时 。
石锋钱端芬吴顺华
关键词:无压渗透法SICP/AL复合材料润湿临界温度
共8页<12345678>
聚类工具0