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姚冬敏

作品数：12 被引量：45H指数：5
供职机构：南昌大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 7篇理学

主题

  • 7篇氮化镓
  • 7篇GAN
  • 5篇MOCVD
  • 5篇MOCVD生...
  • 4篇发光
  • 3篇光电
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇补偿度
  • 2篇衍射
  • 2篇双晶衍射
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能
  • 2篇X射线双晶衍...
  • 1篇单晶
  • 1篇单品
  • 1篇氧化镓
  • 1篇湿法
  • 1篇湿法化学刻蚀
  • 1篇受主

机构

  • 12篇南昌大学

作者

  • 12篇姚冬敏
  • 11篇江风益
  • 10篇熊传兵
  • 10篇王立
  • 10篇彭学新
  • 7篇李述体
  • 6篇辛勇
  • 3篇李鹏
  • 3篇莫春兰
  • 1篇刘念华
  • 1篇范广涵
  • 1篇胡恺生

传媒

  • 4篇发光学报
  • 3篇Journa...
  • 1篇南昌大学学报...
  • 1篇光学学报
  • 1篇南昌大学学报...
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 7篇2000
  • 1篇1997
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究被引量：12
2000年
对实验室用 MOCVD方法生长的未掺杂 Ga N单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明 :在室温时未掺杂 Ga N单晶出现的能量为 2 .9e V左右蓝带发光与补偿度有较强的依赖关系。高补偿 Ga N的蓝带发射强 ,低补偿 Ga N的蓝带发射弱。对蓝带发光机理进行了探讨 ,认为蓝带为导带电子跃迁至受主能级的发光 ( e A发光 )。观察到降低 Ga N补偿度能提高 Ga N带边发射强度。
李述体王立辛勇彭学新熊传兵姚冬敏江风益
关键词：MOCVD光致发光补偿度
GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱被引量：5
2000年
采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的 MOVPE生长的 Ga N样品进行综合测试 .它们在表征 Ga
姚冬敏辛勇王立李述体熊传兵彭学新刘念华江风益
关键词：双晶衍射光致发光氮化镓
MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究被引量：7
2000年
使用 MOCVD技术在 Al2 O3衬底上生长了 Ga N∶ Mg薄膜 .通过对退火后样品的光电性能综合分析 ,研究了掺 Mg量对生长 P型 Ga N的影响 .结果表明 :要获得高空穴载流子浓度的 P型 Ga N,Mg的掺杂量必须控制好 .掺 Mg量较小时 ,Ga N∶ Mg单晶膜呈现 N型导电 ,得不到 P型层 ;掺 Mg量过大时 ,会形成与 Mg有关的深施主 ,由于深施主的补偿作用 ,得不到高空穴浓度的 P型 Ga N.生长 P型 Ga N的最佳 Cp2 Mg/TMGa之比在 1 /660— 1
李述体王立彭学新熊传兵姚冬敏辛勇江风益
关键词：MOCVD氮化镓镁掺杂
MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究被引量：1
2000年
对本实验室用 MOCVD方法生长的未故意掺杂的 Ga N单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究。结果表明 ,室温时 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系。高补偿的 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽较宽 ,低补偿的 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽较窄。
辛勇熊传兵彭学新王立姚冬敏李述体江风益
关键词：补偿度X射线双晶衍射MOCVD氮化镓
新型紫外光源研制成功被引量：8
2001年
以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 GaN半导体材料与器件的研究已历时30多年。前20年进展缓慢,未能研制出实用化的器件。近十年来。
江风益熊传兵彭学新王立李述体姚冬敏莫春兰李鹏周毛兴周力吴蔚登刘和初
关键词：发光二极管紫外光源
MOCVD生长的GaN 的结晶品质及光电性能研究
姚冬敏
GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究被引量：4
2000年
用ＲＢＳ／沟道技术对ＭＯＣＶＤ生长的未故意掺杂的ＧａＮ的结构性能进行了测试，同时用霍耳方法测试了样品的电学性能。结果表明：ＧａＮ薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比Ｘｍｉｎ和其补偿度存在一定的依赖关系。补偿度小的样品，其Ｘｍｉｎ小；随着样品补偿度的增大，Ｘｍｉｎ也逐渐增大；但它们之间的关系变化是非线性的。对这些结果给予了一定的解释。
姚冬敏王立熊传兵彭学新江风益
关键词：补偿度
MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究被引量：9
2000年
获得高质量的ｎ型ＧａＮ单晶膜是制作ＧａＮ基光电子器件的关键之一。采用立式ＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜，通过优化生长工艺，获得了电子载流于浓度高达２ ×１０１９ｃｍ－３，迁移率达１２０ｃｍ２／Ｖ·ｓ的ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜；并有效地抑制了ＧａＮ中由深能级引起的黄带发射，大大提高带边发光强度。研究结果还表明：随着Ｓ掺杂量的增大，ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的电子载流于浓度增加，迁移率下降，Ｘ光双晶衍射峰半高宽增大。首次报道了随掺Ｓ量增大，ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的生长速率显著下降的现象。
江风益李述体王立熊传兵彭学新辛勇姚冬敏
关键词：MOCVD氮化镓
GaN单晶薄膜的湿法化学刻蚀研究被引量：2
1997年
ＭＯＣＶＤ用高压汞灯对ｎ－ＧａＮ处延层进行了辐照湿法化学刻蚀研究，这种外延层是在Ａ１２Ｏ３衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的。结果表明：在紫外光照下，ｎ－ＧａＮ层在２５％的ＫＯＨ水溶液中腐蚀较有效。这种腐蚀很可能是通过紫外光增强氧化和还原反应而产生的。
姚冬敏胡恺生江风益范广涵
关键词：UV刻蚀氧化镓单晶湿法
化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响被引量：1
2001年
用 X射线光电子能谱对 MOCVD生长的未故意掺杂 Ga N单晶薄膜进行 N、 Ga组份测试 ,同时用 RBS/Channeling、 Hall测量和光致发光技术对样品进行结晶品质及光电性能研究 .结果表明 N含量相对低的 Ga N薄膜 ,其背景载流子浓度较高 ,离子束背散射沟道最小产额比 χmin较小 ,带边辐射复合跃迁较强 .在 N含量相对低的 Ga N薄膜中易形成 N空位 ,N空位是导致未故意掺杂的 Ga N单晶薄膜呈现 n型电导的主要原因 ;N空位本身对离子束沟道产额没有贡献 ,但它能弛豫 Ga N与 Al2 O3之间的晶格失配 ,改善生长的 Ga
江风益姚冬敏莫春兰王立李鹏熊传兵彭学新
关键词：氮化镓化学计量光电性能
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