您的位置： 专家智库 > >

孔令沂

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 6篇单晶
  • 6篇单晶薄膜
  • 6篇有机金属
  • 6篇有机金属化学
  • 6篇金属
  • 5篇光电
  • 4篇单晶结构
  • 3篇氧化锡
  • 2篇电子器件
  • 2篇淀积
  • 2篇氧化铟
  • 2篇氧化镓
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子迁移率
  • 2篇气相淀积
  • 2篇迁移率
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能
  • 2篇光电子
  • 2篇光电子器件

机构

  • 9篇山东大学

作者

  • 9篇孔令沂
  • 8篇栾彩娜
  • 8篇马瑾
  • 2篇朱振
  • 1篇杨帆

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
共 9 条 记 录，以下是 1-9
全选 清除 导出
排序方式：
一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法
本发明涉及一种立方结构氧化铟单晶外延薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相淀积工艺，以三甲基铟作为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用有机金属化学气相淀积设备在真空条件下在钇掺杂氧化锆衬底上外延生长氧化铟单晶...
马瑾孔令沂栾彩娜
文献传递
衬底温度对MOCVD生长ZnO/GaN/Al2O3外延薄膜的性能影响
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在epi—GaN/Al2O3(0001)衬底上制备外延ZnO薄膜。研究了衬底温度在500～650℃范围内对ZnO薄膜的结构和光电特性的影响。制备的样品是纤锌矿结构的纯ZnO外延...
喻巧群栾彩娜孔令沂朱振弭伟马瑾
关键词：ZNO薄膜MOCVD方法衬底温度结构特性
一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法
本发明涉及一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法，采用有机金属化学气相淀积工艺，以三甲基镓作为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用有机金属化学气相淀积设备在真空条件下在立方结构氧化镁衬底上外延生...
马瑾孔令沂栾彩娜
镓铟氧化物薄膜和氧化锡薄膜的制备与性质研究
随着当今透明光电子器件的不断发展，要求透明导电薄膜的透明区域向紫外波段扩展，而且目前光电子学研究的一个重要领域是寻找短波长发光半导体材料。为满足紫外透明光电子器件和紫外半导体发光器件的发展需求，研究新型紫外透明宽带隙半导...
孔令沂
关键词：气相沉积
金属有机物化学气相沉积法生长Ga_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的结构及光电性能研究
2009年
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-x)In2xO3(x=0.1—0.9)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明:当In组分x=0.2时,样品为单斜β-Ga2O3结构;x=0.5的样品,薄膜呈现非晶结构,退火处理后薄膜结构得到明显的改善,由非晶结构转变为具有(222)单一取向的立方In2O3结构;对于x=0.8,薄膜为立方In2O3结构,退火后薄膜的晶体质量得到提高.在可见光区薄膜本身的透过率均达到了85%以上,带隙宽度随样品中Ga含量的改变在3.76—4.43eV之间变化,且经退火处理后带隙宽度明显增大.
杨帆马瑾孔令沂栾彩娜朱振
关键词：金属有机物化学气相沉积蓝宝石衬底退火
一种正交结构氧化锡单晶薄膜的制备方法
本发明涉及一种正交结构氧化锡单晶薄膜的制备方法，属于半导体光电子材料技术领域。一种正交结构的氧化锡单晶薄膜的外延制备方法，采用有机金属化学气相淀积(MOCVD)工艺，以四乙基锡[Sn(C<Sub>2</Sub>H<Sub...
马瑾孔令沂栾彩娜
文献传递
一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法
本发明涉及一种立方结构氧化铟单晶外延薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相淀积工艺，以三甲基铟作为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用有机金属化学气相淀积设备在真空条件下在钇掺杂氧化锆衬底上外延生长氧化铟单晶...
马瑾孔令沂栾彩娜
一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法
本发明涉及一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法，采用有机金属化学气相淀积工艺，以三甲基镓作为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用有机金属化学气相淀积设备在真空条件下在立方结构氧化镁衬底上外延生...
马瑾孔令沂栾彩娜
文献传递
一种正交结构氧化锡单晶薄膜的制备方法
本发明涉及一种正交结构氧化锡单晶薄膜的制备方法，属于半导体光电子材料技术领域。一种正交结构的氧化锡单晶薄膜的外延制备方法，采用有机金属化学气相淀积(MOCVD)工艺，以四乙基锡[Sn(C<Sub>2</Sub>H<Sub...
马瑾孔令沂栾彩娜
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0