孙顺平
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 供职机构：广西大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区科学研究与技术开发计划广西大学科学技术研究重点基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术核科学技术更多>>
- 微量元素对Ni-Cr-Co高温合金微观缺陷和d电子的影响
- 本文根据正电子湮没的特点，研制了双高纯锗探头-二维多道符合技术正电子湮没辐射多普勒展宽装置，大幅度地降低了正电子湮没辐射多普勒展宽谱的本底。利用该装置并结合正电子寿命谱仪，研究了常见元素及部分第四周期元素的电子动量分布;...
- 孙顺平
- 关键词：正电子湮没高温合金微量元素
- 文献传递
- 含V和Cu的TiAl基合金中缺陷和3d电子行为的正电子湮没研究被引量：1
- 2008年
- 通过测量过渡金属元素(Ti,V,Cu)以及TiAl基合金(Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Cu2)的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得了这些金属及合金中3d电子和缺陷的信息.结果表明,过渡金属元素Ti,V,Cu原子中3d轨道的电子数目越多,正电子湮没辐射Doppler展宽谱的3d信号越强.二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入V或Cu,合金中的3d电子信号增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cu2合金的多普勒展宽谱的3d电子信号高于Ti50Al48V2合金.
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- 关键词：TIAL合金正电子湮没
- 用正电子湮没技术研究Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响被引量：2
- 2009年
- 测量Al,Si,Ti,Cr,Nb等纯元素以及Ti50Al50,Ti50Al48Cr2,Ti50Al48Nb2合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得金属及合金中d电子和缺陷的信息。结果表明,二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大。在TiAl合金中加入Cr或Nb,合金中的d-d电子作用增强,基体和晶界处的电子密度均增加。Ti50Al48Cr2合金的多普勒展宽谱的d电子信号高于Ti50Al48Nb2合金。讨论了Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响。
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- 关键词：TIAL合金正电子湮没技术
- 低本底符合正电子湮没辐射多普勒展宽装置的研制被引量：7
- 2008年
- 根据正电子湮没的特点，研制了双高纯锗探头-多参数分析器符合正电子湮没辐射多普勒展宽装置，通过采用符合技术，大幅度地降低了正电子湮没辐射多普勒展宽谱的本底，谱线的峰高与本底之比高于10^5。该装置可用于研究原子的电子动量分布。
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- 关键词：本底
