尚林涛
- 作品数：21 被引量：44H指数：5
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”贵州省优秀科技教育人才省长资金项目更多>>
- 相关领域：电子电信自然科学总论理学更多>>
- 高Al组分In_(1-x)Al_x Sb/InSb的MBE生长研究被引量：1
- 2016年
- 高Al（10%~15%）组分的In_（1-x）Al_xSb层可作为势垒层以抑制隧穿暗电流、提高器件工作温度而显得很重要。采用分子束外延的方法对InSb（100）衬底高Al组分的In_（1-x）Al_xSb/InSb外延生长进行了实验探索,确定出了Al组分（约12.5%）并讨论了Al组分梯度递变的In_（1-x）Al_xSb缓冲层和生长温度对外延薄膜质量的影响。
- 尚林涛刘铭周朋邢伟荣沈宝玉
- 关键词：高铝薄膜生长
- 电学性能不反常的本征GaAs基InSb异质外延研究
- 2020年
- 采用三步工艺进行了GaAs基InSb的异质外延生长并结合实验数据和文献资料研究了生长温度和速率、InSb层的厚度、低温缓冲层质量和双In源工艺对材料Hall电学性能等的影响。发现温度和生长速率对室温载流子迁移率和本征载流子浓度影响不太大;晶体XRD FWHM随膜厚的增加而逐渐地减小;低温缓冲层的界面质量和厚度对表面形貌具有一定的影响,低温缓冲层的界面厚度不应小于30 nm,ALE低温缓冲层的方法可以降低局部表面粗糙度;实验发现在优化的工艺参数基础上采用双In源生长工艺可以生长出电学性能不发生反常的理想本征InSb异质外延薄膜材料。获得2μm厚GaAs基InSb层在300 K和77 K的Hall迁移率分别为3.6546×104 cm^2 V^-1 s^-1和7.9453×104 cm^2 V^-1 s^-1,本征载流子迁移率和电子浓度随温度的变化符合理论公式的预期。
- 尚林涛韩岗刘铭申晨晋舜国李达
- 关键词：INSBGAASMBE本征
- 高质量InSb材料的MBE同质和异质外延生长
- InSb材料是波长在3-5μm中波红外波段具有重要研究意义的材料之一.本文以本单位内部生产的InSb(100）衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧机制、生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比,获得了高质量的InSb同质外延样...
- 尚林涛周朋刘铭
- 关键词：锑化铟异质外延生长电子迁移率
- Ⅱ类超晶格红外探测器技术概述(二)被引量：2
- 2021年
- 简要归纳总结了Ⅱ类超晶格材料的生长、器件制备方法以及最近新型Ⅱ类超晶格材料体系的演化。Ⅱ类超晶格理论和工艺技术不断取得进步和完善并呈现出材料体系多样化和更高的性能。虽然目前及今后较长时间内HgCdTe技术仍然是市场主流,但是Ⅱ类超晶格技术在整体系统性能和成本上可以挑战HgCdTe,Ⅱ类超晶格技术将在红外应用领域全方位替代HgCdTe技术的优势已经越来越清晰。
- 尚林涛王静邢伟荣刘铭申晨周朋赵建忠
- 关键词：SLS
- 分子束外延InSb薄膜缺陷分析被引量：1
- 2014年
- 实现高温工作已经成为了第三代红外探测器的重要发展方向。为了达到这个目标,首先要降低探测器材料的各种缺陷。本文主要研究了不同生长条件对InSb分子束外延薄膜的晶体质量的影响,并采用金相显微镜、X射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜及X射线能谱仪等检测手段对外延膜缺陷进行了研究,综合分析了各缺陷的特征、起因、消除方法等。通过优化外延条件,外延膜宏观生长缺陷最低值达到483 cm-2。
- 周朋刘铭邢伟荣尚林涛巩锋
- 关键词：INSBMBE
- 分子束外延InAlSb/InSb晶体的质量研究被引量：5
- 2014年
- InAlSb/InSb薄膜材料的晶体质量会直接影响器件的性能。提高薄膜材料的晶体质量可以有效降低器件的暗电流,提高探测率和均匀性等。主要报道了掺铝锑化铟分子束外延技术的初步研究结果。通过采用多种测试方法对InAlSb分子束外延膜的晶体质量进行了分析,找出了影响晶体质量的因素,提高了InAlSb分子束外延的技术水平。实验结果表明,通过优化生长温度、束流比、升降温速率以及退火工艺等生长条件,可以获得高质量的InAlSb分子束外延膜。
- 刘铭周朋尚林涛邢伟荣周立庆
- 关键词：分子束外延表面形貌
- MBE外延InSb基CdTe工艺研究
- 碲镉汞(HgCdTe)薄膜材料作为优秀的红外焦平面探测器优选材料,一直是国内外学者研究的重点.研究Si基替代衬底外延是MBE外延技术的主流,但是由于Si与HgCdTe材料存在晶格大失配(19.3％),造成较大的位错密度(...
- 王丛刘铭王经纬尚林涛周立庆
- 低Al组分In_(1-x)Al_xSb薄膜的MBE生长和优化被引量：4
- 2014年
- 采用分子束外延的方法进行了低Al组分In1-xAlxSb薄膜的生长和优化。通过在InSb(100)衬底上外延生长一系列不同条件的In1-xAlxSb薄膜,分析总结了衬底的热脱氧特征以及InAlSb薄膜低Al组分(2%左右)的控制,探讨了退火和InSb缓冲层的优化等参数对In1-xAlxSb外延薄膜表面形貌和质量的影响。测试结果表明薄膜质量得到极大改进。
- 尚林涛刘铭邢伟荣周朋沈宝玉
- 关键词：薄膜生长
- 高质量InSb薄膜的MBE同质和异质外延生长被引量：2
- 2018年
- InSb是3~5μm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(100)衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧、生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3 nm(10μm×10μm),FWHM≈7 arcsec;采用相同的生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比并采用原子层外延缓冲层的方法在GaAs(100)衬底上异质外延生长本征InSb层,获得了较高质量的异质外延InSb样品,1.5μm样品的室温电子迁移率高达6.06×10~4cm^2V^(-1)s^(-1),3μm的样品最好的FWHM低至126 arcsec。InSb材料的同质和异质外延优化生长可为高温工作掺Al的InSb器件结构的优化生长提供重要参考依据。
- 尚林涛周翠沈宝玉周朋刘铭强宇王彬
- 关键词：INSB分子束外延
- InAs(001)表面金属化的转变
- 2012年
- 论述了利用分子束外延方法在InAs(001)基片上生长InAs时,样品表面由富As的(2×4)向富In的(4×2)转变的现象。通过控制生长参数生长出了较好的富As(2×4)表面。在As压不足的情况下,轻微的提升样品衬底温度,样品表面逐渐转向富In表面的(4×2)结构,呈现出(3×1)混合相。通过实验分析及软件模拟确定表面(4×2)结构区域已覆盖多达90%,表明样品表面大部分已金属化。
- 尚林涛周勋罗子江张毕禅郭祥丁召
- 关键词：RHEEDMBESTM
