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屈新萍

作品数：99 被引量：69H指数：5
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金上海市教育发展基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 54篇专利
  • 31篇期刊文章
  • 13篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 42篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇农业科学

主题

  • 17篇纳米
  • 15篇微电子
  • 15篇硅化物
  • 13篇固相
  • 13篇固相反应
  • 12篇阻挡层
  • 12篇金属
  • 10篇退火
  • 10篇纳米压印
  • 10篇扩散阻挡层
  • 10篇互连
  • 10篇NISI
  • 10篇衬底
  • 9篇淀积
  • 9篇纳米压印技术
  • 9篇刻蚀
  • 8篇铜互连
  • 8篇SI
  • 7篇电路
  • 7篇抛光

机构

  • 94篇复旦大学
  • 5篇中国科学院
  • 5篇香港城市大学
  • 3篇香港中文大学
  • 2篇上海大学
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇天津工程师范...

作者

  • 99篇屈新萍
  • 61篇茹国平
  • 58篇李炳宗
  • 29篇蒋玉龙
  • 11篇张卫
  • 10篇于浩
  • 9篇谢琦
  • 9篇万景
  • 9篇蒋玉龙
  • 6篇陈韬
  • 5篇刘冉
  • 5篇陆冰睿
  • 5篇陈宜方
  • 4篇徐蓓蕾
  • 4篇邓少任
  • 4篇鲁海生
  • 4篇高晨
  • 4篇刘书一
  • 4篇段鹏
  • 4篇王敬轩

传媒

  • 18篇Journa...
  • 4篇固体电子学研...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇第十四届全国...
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇复旦学报（自...
  • 1篇世界科学
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇微电子学
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 15篇2012
  • 13篇2011
  • 5篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 10篇2007
  • 4篇2006
  • 5篇2005
  • 4篇2004
  • 7篇2003
  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 3篇2000
共 99 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于不同扩散阻挡层的籽晶铜上电镀孪晶铜初步研究
本文采用电镀方法制备具有一定孪晶密度的纯铜样品,并对不同的电镀参数和不同电镀衬底的实验结果进行了初步比较。发现不同的衬底结构对孪晶的产生和密度有很大影响。同时发现 W 基扩散阻挡层的电镀铜有很强的（111）择优晶向。
赵莹谢琦屈新萍
关键词：电镀孪晶
文献传递
Co/a-GeSi/Ti/Si多层薄膜固相反应外延生长CoSi_2薄膜
2003年
研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结构多层薄膜 ,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应。采用四探针电阻仪、AES、XRD、RBS等方法进行测试。实验表明 ,利用 Co/Ge Si/Ti/Si固相反应形成的 Co Si2 薄膜具有良好的外延特性和电学特性 ,Ti中间层和非晶 Ge Si中间层具有促进和改善 Co Si2 外延质量 ,减少衬底耗硅量的作用。Ge原子的存在能够改善外延 Co Si2
徐蓓蕾屈新萍韩永召茹国平李炳宗W.Y.CheungS.P.WongPaul K.Chu
关键词：金属硅化物固相外延扩散阻挡层晶格失配
一种工艺优化的金半接触结构的制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种工艺优化的金半接触结构的制备方法。本发明利用聚苯乙烯（PS）微球作为掩膜，采用高、低两种不同功函数金属淀积金半接触结构。由于PS微球结构稳定，单层膜易于制备，通过单层密布的PS微球作为...
蒋玉龙于浩茹国平屈新萍李炳宗张卫
文献传递
镍钬合金全硅化物金属栅的制备和表征
研究了Ni-Ho合金法制备全硅化物金属栅工艺以及Ho合金对栅电极薄层电阻和功函数的影响。随Ho浓度从0%加到10％和30％,形成的全硅化物金属栅的薄层电阻从1.4Ω/□分别增加到1.8Ω/□和3.1Ω/□,平带电压从-0...
王保民茹国平蒋玉龙屈新萍李炳宗
关键词：性能表征
超薄外延CoSi_2/n-Si的肖特基势垒接触特性被引量：7
2000年
研究了超薄 (～ 1 0 nm) Co Si2 /Si的肖特基势垒接触特性 .Co( 3— 4nm) /Ti( 1 nm)双层金属通过快速热退火在 Si( 1 0 0 )衬底上形成超薄 Co Si2 薄膜 .X射线衍射测试表明该薄膜具有较好的外延特性 .用 I- V、C- V方法在 82— 332 K温度范围内测试了 Co Si2 /Si的肖特基势垒特性 .用弹道电子发射显微术直接测量了微区肖特基势垒高度 .测试表明 ,用 Co/Ti/Si方法形成的超薄Co Si2 /Si接触在室温时具有优良的肖特基势垒特性 ,I- V方法测得的势垒高度为 0 .59e V,其理想因子为 1 .0 1 ;在低温时 ,I- V方法测得的势垒高度随温度降低而降低 ,理想因子则升高 .采用肖特基势垒不均匀性理论 ,并假设势垒高度呈高斯分布 。
屈新萍茹国平徐蓓蕾李炳宗
关键词：肖特基势垒固相外延超薄
Ta/TaN作为Cu和NiSi接触的阻挡层研究
研究了以Ta/TaN作为阻挡层的Cu在Nisi衬底上的接触的热学及电学稳定性。用四探针方法(FPP)、X射线衍射谱(XRM)、扫描电子显微镜(SEM)、深度俄歇电子能谱(AES)、电流-电压测试(I-V)及肖特基势垒高度...
周觅赵莹黄巍王保民茹国平蒋玉龙李炳宗屈新萍
关键词：互联技术阻挡层性能评价
具有尖峰状底电极的有机阻变存储器及其制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RR...
于浩王井舟蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
一种压力可控的键合夹具及其使用方法
本发明涉及一种压力可控的键合夹具，包含基板，其两端分别设有第一端盖、第二端盖；夹持组件，设置于第一端盖和第二端盖之间，用于夹持键合物，包含第一压头部、第二压头部，第一压头部与第二压头部相对的表面均可以固定键合物；以及设置...
屈新萍王鹏胡春凤
一种复制纳米压印模板的方法
本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印模板的方法。其步骤包括：在衬底上旋涂并前烘双层胶，衬底是硅、二氧化硅或者玻璃等，上层为SU8胶，下层为LOR胶，经过压印或者是压印结合曝光处理，原始模板上的图形转移到SU...
万景屈新萍谢申奇陆冰睿疏珍刘冉陈宜方
文献传递
LPCVD-SiGe薄膜的物理及电学特性被引量：4
2007年
采用低压化学气相沉积法(LPCVD),分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱(AES)测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物相由X射线衍射(XRD)确定。其薄层电阻、载流子迁移率及浓度分别由四探针法和霍尔效应法测定。基于XRD图谱,根据Scherer公式,估算出平均晶粒大小。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近似的线性关系,从而得出LPCVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。
王光伟屈新萍茹国平郑宏兴李炳宗
关键词：LPCVD热扩散热退火
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