屈江涛
- 作品数：15 被引量：3H指数：1
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- 基于多层辅助结构制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法
- 本发明公开了一种基于多层辅助结构制备具有多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly-SiGe/SiO<Sub>2</Sub>/Poly-Si多层结构；将最上层的Poly...
- 张鹤鸣戴显英舒斌宣荣喜胡辉勇宋建军王冠宇徐小波屈江涛
- 文献传递
- 硅基应变CMOS研究与设计
- 从第一个晶体管的发明到超大规模集成电路出现，Si基半导体工艺取得了一系列重大突破。Si材料为主体，以集成密度高、静态功耗低、速度快的CMOS已成为集成电路的主流技术。目前，特征尺寸为45nm的集成电路已经开始批量生产，而...
- 屈江涛
- 关键词：CMOS工艺载流子迁移率阈值电压模型
- 小尺寸应变Si/SiGe PMOSFET阈值电压及其电流电压特性的研究
- 2012年
- 针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低(DIBL)效应、短沟道效应(SCE)和速度过冲效应,获得了强反型时小尺寸P+多晶SiGe栅应变Si pMOSFET的阈值电压模型和I-V特性模型。运用Matlab对模型进行计算,获得阈值电压随多晶SiGe栅Ge组分、栅长、氧化层厚度、弛豫SiGe虚拟衬底Ge组分、掺杂浓度以及漏源偏压的变化规律,I-V特性计算结果表明MOS器件采用Si基应变技术将有更高的输出特性。用器件仿真软件ISETCAD对模型结构进行仿真,所得结果与Matlab计算结果一致,从而证明了该模型的正确性,为小尺寸应变Si MOS器件的分析设计提供了参考。
- 屈江涛张鹤鸣胡辉勇徐小波王晓艳
- 关键词：硅锗合金应变硅阈值电压
- 一种SiN掩蔽技术制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法
- 本发明公开了一种SiN掩蔽技术制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly-SiGe/SiN/Poly-Si多层结构；将上层的Poly-Si刻蚀成一个窗口，再淀积一层...
- 张鹤鸣胡辉勇宣荣喜戴显英舒斌宋建军王冠宇赵丽霞徐小波屈江涛
- 文献传递
- 含有本征SiGe层的SiGe异质结双极晶体管集电结耗尽层宽度模型被引量：1
- 2011年
- 本文分别建立了含有本征SiGe层的SiGeHBT(异质结双极晶体管)集电结耗尽层各区域的电势、电场分布模型,并在此基础上,建立了集电结耗尽层宽度和延迟时间模型,对该模型进行了模拟仿真,定量地分析了SiGeHBT物理、电学参数对集电结耗尽层宽度和延迟时间的影响,随着基区掺杂浓度和集电结反偏电压的提高,集电结耗尽层延迟时间也随之增大,而随着集电区掺杂浓度的提高和基区Ge组分增加,集电结耗尽层延迟时间随之减小.
- 胡辉勇舒钰张鹤鸣宋建军宣荣喜秦珊珊屈江涛
- 关键词：SIGEHBT延迟时间
- 用微米级工艺制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法
- 本发明公开了一种用微米级工艺制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly-SiGe/SiN/Poly-Si多层结构；将最上层的Poly-Si刻蚀成一个窗口，再淀积一层...
- 胡辉勇张鹤鸣舒斌宣荣喜戴显英宋建军赵丽霞屈江涛徐小波
- 文献传递
- 小尺寸应变Si nMOSFET物理模型的研究
- 2011年
- 本文运用高斯定律得出多晶SiGe栅应变SinMOSFET的准二维阈值电压模型,并从电流密度方程出发建立了小尺寸应变SinMOS器件的I-V特性模型.对所得模型进行计算分析,得出沟道Ge组分、多晶Si1-yGey栅Ge组分、栅氧化层厚度、应变Si层厚度、栅长以及掺杂浓度对阈值电压的影响.运用二维器件模拟器对器件表面势和I-V特性进行了仿真,所得结果与模型仿真结果一致,从而证明了模型的正确性.
- 屈江涛张鹤鸣秦珊珊徐小波王晓艳胡辉勇
- 关键词：高斯定理速度过冲
- 基于SiO<Sub>2</Sub>掩蔽技术的多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路制备方法
- 本发明公开了一种基于SiO<Sub>2</Sub>掩蔽技术的多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路制备方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly-SiGe/SiO<Sub>2</Sub>/Poly-Si多层...
- 胡辉勇张鹤鸣宣荣喜戴显英舒斌宋建军赵丽霞屈江涛徐小波
- 文献传递
- 漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管阈值电压的影响
- 2011年
- 结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1-βGeβ中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值.
- 王晓艳张鹤鸣王冠宇宋建军秦珊珊屈江涛
- 关键词：阈值电压模型
- 基于多层辅助结构制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法
- 本发明公开了一种基于多层辅助结构制备具有多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly－SiGe/SiO<Sub>2</Sub>/Poly－Si多层结构；将最上层的Poly...
- 张鹤鸣戴显英舒斌宣荣喜胡辉勇宋建军王冠宇徐小波屈江涛
- 文献传递
