岳兰
- 作品数：8 被引量：6H指数：1
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- 高迁移率Al-In-Zn-O氧化物薄膜晶体管的研究
- 透明非晶氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)由于具有场效应迁移率高、均匀性好、对可见光区透明、可低温制备以及环境稳定性良好等优点,成为最有希望的下一代薄膜晶体管之一。近年来,为了降低工业化成本,溶液法制备TAOS-...
- 岳兰张群
- 文献传递
- CdO薄膜的电化学沉积及表征
- 2010年
- 采用阴极电沉积的方法,用CdCl2的二甲基亚砜溶液做电解液在导电玻璃上制备了CdO薄膜.研究了沉积电流与电解液浓度对薄膜结构特性和电学性质的影响.XRD分析表明CdO薄膜为具有强的(200)晶面择优取向生长的立方结构,且随电流与沉积液浓度的变化,薄膜的(200)晶面择优取向程度发生了明显的变化.霍尔测试表明随着电解液浓度的升高,薄膜的面电阻增大.在较低的电解液浓度下薄膜的面电阻值最小为2.1×102Ω/sq..SEM显示CdO晶粒为球状颗粒,电解液浓度对CdO晶粒大小及膜的致密性有一定影响.
- 岳兰孟繁新许志军
- 关键词：电沉积CDO电学性质
- 沉积电流对ZnO薄膜的结构和光学性质的影响被引量：5
- 2007年
- 采用阴极电沉积的方法在导电玻璃上制备了ZnO薄膜。研究了沉积电流对薄膜结构特性和光学特性的影响。XRD分析表明ZnO薄膜为纤锌矿结构,晶粒尺寸随电流的增大而增大,择优取向随电流的变化发生了转变。光学测试表明样品的透射率最大值可达84%,禁带宽度随电流变化不大,接近于3.3 eV。
- 岳兰郑毓峰孙言飞
- 关键词：电沉积ZNO光学性质
- 沉积温度对纳米ZnO薄膜的结构和光电性能的影响被引量：1
- 2010年
- 采用阴极电沉积的方法,用ZnCl2的二甲基亚砜溶液做电解液,在导电玻璃上制备了纳米ZnO薄膜。研究了沉积温度对薄膜结构特性和光电性能的影响。XRD分析表明,ZnO薄膜为纤锌矿结构,电解液温度的升高能促进纳米ZnO薄膜的(002)面(c轴)择优取向的程度。随着电解液温度的升高,薄膜的禁带宽度和面电阻减小。光学测试表明样品的透射率可高达80%以上,电学测试表明样品的面电阻值最小可达7.57×104Ω/□。AFM显示电解液温度对ZnO晶粒形貌及晶粒大小的影响很大。
- 岳兰孟繁新
- 关键词：电沉积ZNO光学性质电学性质
- 电沉积ZnO纳米薄膜的制备与性能研究
- ZnO薄膜是一种具有纤锌矿结构的半导体材料，作为一种具有宽带隙、低介电常数、高化学稳定性及优异的光电、压电特性的功能材料在许多领域尤其是光电器件领域有着重要应用。近年来，对其研究和开发在国内外科学界及工业部门引起了极大的...
- 岳兰
- 关键词：光学性质电学性质
- 文献传递
- 用光学吸收方法测定Rb基态原子密度
- 2010年
- 在气体样品池条件下,用调频半导体激光器激发Rb原子至Rb(5Pj)态,通过测量样品池前后光强比,得到不同温度下样品的吸收系数.对于Rb(5S1/2→5Pj)的跃迁,可获得g2/g1值和5Pj的寿命值(我们取j=1/2,即用D1线794nm计算),从而得出不同温度下样品的基态原子密度.实验结果表明:基态原子的密度N随着温度的升高而增大.通过与其它实验结果进行比较,得出在低温下的数据比较准确,可见利用光学吸收方法测量低激发态原子密度较为理想.
- 孟繁新岳兰
- 关键词：RB
- 溶液法制备具有PMMA介质层的LZTO氧化物薄膜晶体管
- 岳兰浦海峰张群
- 高迁移率Al-In-Zn-O氧化物薄膜晶体管的研究
- 透明非晶氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)由于具有场效应迁移率高、均匀性好、对可见光区透明、可低温制备以及环境稳定性良好等优点，成为最有希望的下一代薄膜晶体管之一。近年来，为了降低工业化成本，溶液法制备TAOS-...
- 岳兰张群
