崔敏 作品数:8 被引量:44 H指数:5 供职机构: 北京航空航天大学 更多>> 发文基金: 国防科技技术预先研究基金 国防基础科研计划 更多>> 相关领域: 一般工业技术 理学 电子电信 电气工程 更多>>
ITO导电膜红外发射率理论研究 被引量:5 2005年 根据红外辐射理论和薄膜光学原理计算了高品质ITO(indiumtinoxide)导电膜的红外发射率,其理论曲线与实测曲线基本符合.并得出方块电阻小于30Ω时,ITO膜在红外波段8—14μm的平均红外发射率理论值小于0.1.实际制备方块电阻小于10Ω的ITO膜具有优良的红外隐身性能.讨论了高品质ITO膜具有低红外发射率的物理机理,并提出了低红外发射率临界方块电阻值,这有利於理论研究和工艺制备红外隐身ITO膜. 张维佳 王天民 钟立志 吴小文 崔敏关键词:红外发射率 ITO薄膜 方块电阻 有ITO透明导电膜的平面分层介质系统的电磁波性能理论研究 被引量:5 2006年 理论研究了有ITO(indiumtin oxide)透明导电膜的多层平面分层介质系统的电磁性能,给出的理论曲线和实测曲线符合很好.多层平面分层介质系统的电磁性能与ITO膜(方块电阻为8Ω)所在界面位置和平面分层介质系统层数及各层厚度等有关.优化设计了一种含有ITO透明导电膜的厚度仅7·35mm的四层平面分层介质系统,其在8—18GHz频段内电磁波反射性能很好.作为多层平面分层系统中的ITO导电膜,其方块电阻应低于30Ω,并且越小,其反射性能越好. 张维佳 王天民 崔敏 戎霭伦关键词:电磁性能 纳米硅薄膜光学性质的测定与研究 被引量:8 2005年 通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙。计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结果吻合很好。在620 nm波长附近的吸收系数介于吸收系数较小的晶体硅与吸收系数较大的非晶硅之间,光能隙约为1.6 eV,两者都随晶态含量增大而呈减小趋势。 钟立志 张维佳 崔敏 吴小文 李国华 丁琨关键词:纳米硅薄膜 折射率 高电导本征纳米硅膜及其缓冲层太阳能电池 被引量:2 2006年 通过PECVD法制备了纳米硅薄膜(nc-Si:H),采用Raman散射谱,AFM对样品的结构和形貌进行了测试,并测试了样品的室温电导率。结果表明:制备出的纳米硅薄膜,其电导率达到4.9S·cm-1。另外制备了本征nc-Si:H膜作缓冲层,结构为ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Ag的PIN型太阳能电池,其Voc达到534.7mV,Isc达到49.24mA(3cm2),填充因子FF为0.4228。 崔敏 张维佳 钟立志 吴小文 王天民 李国华关键词:无机非金属材料 纳米硅 电导率 PECVD 太阳能电池 纳米ITO粉末制备工艺优化设计 被引量:11 2005年 研究采用均相共沉淀法制备纳米ITO(IndiumTinOxide)粉末的制备工艺参数,从碱式溶度积平衡和酸式溶度积平衡,根据热力学平衡理论并引入化学反应热容参数分别计算了ITO前驱物In(OH)3和Sn(OH)4开始沉淀和沉淀完全的pH值以及其开始溶解和溶解完全的pH值,给出了这些pH值随沉淀温度的变化规律,由此对工艺参数进行了优化设计并提供了一种有效的材料掺杂新工艺。采用高分辨率透射电镜,扫描电镜,X射线衍射对ITO纳米粉末进行了测量。结果表明,ITO粉末的平均晶粒大小为28nm,而且沿(400)面生长。 张维佳 王天民 吴小文 钟立志 崔敏关键词:纳米粉末 ITO 基于理工科特色“专业+外语”模式的公共法语教学改革 被引量:1 2023年 面向大部分理工科学生,以培养具有跨文化交流能力的“专业+外语”的复合型人才为目标,依托北航中法工程师学院的法语教学经验,合理规划公共法语教学的目标和内容,探索适合北航大部分理工科学生的公共法语课程教学改革,开发配套在线教学资源,开展以民族自信和讲好中国故事为主线的课程思政建设,扩展学生的国际视野,培养学生人文素养,为学生进入专业领域学习或工作提供语言学习保障,实现学生语言能力和个人能力的全面提升。 于姗 崔敏关键词:法语教学 一种HIT纳米硅薄膜太阳电池的研制 崔敏关键词:纳米硅薄膜 太阳电池 高密度高导电性ITO靶研制 被引量:12 2006年 采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO(Indium Tin Oxide)靶相对密度达到97%~99%,并且靶电阻率小于3.0×10^-4Ω·cm,其质量损失率小于4.0%.采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上.当烧结温度为1500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率. 张维佳 王天民 崔敏 金飞 丁照崇 阎兰琴关键词:ITO 烧结剂 掺杂