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常香荣

作品数:35 被引量:72H指数:5
供职机构:北京科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 33篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 19篇理学
  • 12篇一般工业技术
  • 7篇化学工程
  • 6篇金属学及工艺
  • 2篇冶金工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇正电子
  • 7篇FE
  • 6篇溅射
  • 6篇磁控
  • 6篇磁控溅射
  • 5篇正电子湮没
  • 5篇气相沉积
  • 5篇磁性
  • 5篇N
  • 4篇多层膜
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇饱和磁化强度
  • 4篇
  • 4篇FE-N薄膜
  • 4篇MPCVD
  • 4篇纯铁
  • 4篇磁化
  • 4篇磁化强度
  • 3篇氮化碳

机构

  • 33篇北京科技大学
  • 16篇中国科学院
  • 2篇北京联合大学
  • 2篇南京大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇山西师范大学
  • 1篇国家自然科学...
  • 1篇中国科学院金...

作者

  • 35篇常香荣
  • 33篇田中卓
  • 21篇顾有松
  • 12篇肖纪美
  • 10篇张永平
  • 9篇吴奕初
  • 8篇周剑平
  • 6篇张秀芳
  • 6篇时东霞
  • 5篇王振军
  • 5篇李丹
  • 5篇袁磊
  • 4篇方光旦
  • 4篇闻立时
  • 4篇宋庆山
  • 4篇袁磊
  • 3篇李福燊
  • 3篇李华飚
  • 3篇赵敏学
  • 3篇乔利杰

传媒

  • 5篇真空科学与技...
  • 3篇金属学报
  • 3篇金属功能材料
  • 2篇科学通报
  • 2篇物理学报
  • 2篇物理
  • 2篇中国科学(A...
  • 2篇核技术
  • 2篇材料研究学报
  • 2篇第四届全国正...
  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇功能材料
  • 1篇自然科学进展
  • 1篇真空
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇河北科技大学...
  • 1篇磁性材料及器...
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 1篇2003
  • 4篇2002
  • 1篇2001
  • 8篇2000
  • 4篇1999
  • 4篇1997
  • 2篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1992
  • 2篇1991
  • 3篇1990
35 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
离子注入法制备β-C_3N_4的研究被引量:3
1997年
<正>超硬材料的研究是材料科学领域的一大重要课题.Cohen等在研究物质的硬度时,得出了一个半经验公式,从而预言了一种碳氮化合物p一qN;可能具有比金刚石还高的硬度~[1-3]
顾有松潘礼庆赵敏学常香荣王振军田中卓肖纪美胡仁元
关键词:离子注入超硬材料
正电子湮灭技术研究多晶形变镍中氢和缺陷的互作用
吴奕初田中卓常香荣
关键词:氢脆湮灭纯金属
超硬薄膜β-C_3N_4的制备和表征被引量:5
2000年
本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)法 ,用高纯氮气 (99.999% )和甲烷 (99.9% )作反应气体 ,在单晶硅和多晶铂基片上沉积 β -C3N4薄膜。X射线能谱 (EDX)分析了这种晶态C -N膜的化学成分 ,对不同样品的分析结果表明 ,N/C原子比在 1.1~ 2 .0范围内。X射线衍射结构分析结果与计算的α -和 β -C3N4单相X射线的峰位和强度相比较 ,说明它是α -和 β -C3N4的混合物。FT -IR和Raman谱支持C -N共价键的存在。薄膜的体弹性模量达到 349GPa。
张永平顾有松常香荣田中卓时东霞张秀芳袁磊
关键词:超硬薄膜MPCVD
纳米晶软磁薄膜Fe-Ti-N的结构、磁学性能和热稳定性研究被引量:1
2003年
在高溅射功率900 W 下用RF磁控溅射方法制备了厚为630-780nm的Fe-Ti-N薄膜,结果表明:当膜成分(原了分数, %.下同)在Fe-3.9Ti-8.8N和Fe-3.3Ti-13.5N范围内,薄膜由α’和Ti2N沉淀组成,磁化强度4πMs超过纯铁,最商可达2.38T:而矫顽力Hc下降为89 A/m.可以满足针对1.55 Gb/cm2高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.N原子进入α-Fe使α’具有高饱和磁化强度;Ti的加入,阻止α’→α’+γ’的分解,稳定了强铁磁性相α’.是Fe-Ti-N具有高饱和磁化强度的原因.由于由晶粒度引起的对Hc的影响程度HcD与晶粒度D有以下关系:HcD∝D6,晶粒度控制非常重要.N原了进入α+Fe点阵的八面体间隙,引起极大的畸变,使晶粒碎化.提高溅射功率也使晶粒度下降.两者共同作用,能使晶粒度下降到约14nm,使Hc下降,晶界是择优沉淀地点,在α’晶界上沉淀Ti2N能起钉扎作用,阻止晶界迁移,使纳米晶α’不能长大。
李丹顾有松常香荣李福燊乔利杰田中卓方光旦宋庆山
关键词:磁学性能热稳定性磁场热处理
高纯铝中不同应变速率拉伸的正电子湮没研究
1990年
一、引言 一般地讲,金属发生变形时,随着形变量的增加,正电子参数增加,小形变量时,参数增加显著;形变量达到一定程度;参数将趋于饱和。Park等在研究高纯铁单晶的变形时发现,正电子寿命与形变量的变化规律随形变方式(拉伸、弯曲、冷轧)而变。
吴奕初王明华常香荣田中卓肖纪美何永枢
关键词:高纯铝应变速率正电子湮没
Fe-N软磁薄膜的性能及其磁场热处理后的各向异性模型被引量:6
2002年
本文报道了采用RF磁控溅射制备出了高性能的Fe-N薄膜 ,膜厚约 2 0 0nm ,磁场热处理后薄膜中含有α′和少量γ′ ,具有优质的软磁性能 ,饱和磁化强度 2 4T ,高于纯铁的 ,矫顽力小于 80A/m ,2~ 10MHz下的磁导率为15 0 0。然后提出一个模型 ,合理的解释了磁场热处理后薄膜表面的各向异性现象 ,包括不同方向的磁滞回线 ,剩磁比 。
李洪明周剑平顾有松常香荣赵春生徐秀英田中卓
关键词:FE-N薄膜磁学性能各向异性模型软磁材料
MPCVD 合成 β-C_3N_4 晶态薄膜被引量:3
1999年
采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),以N2、CH4作为反应气体合成碳氮膜。通过控制反应温度、气体流量、微波功率、反应气压等工艺条件,在Si和Pt基片上,进行β-C3N4晶态薄膜的合成研究。扫描电镜(SEM)下观察到生长在Si基底上的薄膜具有六角晶棒的密排结构。扫描隧道显微镜(STM)下观察到在Pt基底上生长的碳氮薄膜由针状晶粒组成。EDX分析表明,随沉积条件的不同,Si基底上的氮碳薄膜中N/C在1.0到2.0之间;Pt基底上生长的碳氮薄膜N/C在0.8~1.3之间。X射线衍射分析(XRD)发现薄膜中含有β-C3N4和α-C3N4。
时东霞马立平张秀芳袁磊顾有松张永平段振军常香荣田中卓
关键词:MPCVD晶态
磁控溅射Fe-N薄膜的结构和性能被引量:3
2000年
研究了氮流量对磁控溅射Fe-N薄膜的磁性和结构的影响.加氮薄膜的软磁性能明显优于纯铁的.当氮的流量为1.0mL·min^(-1)时,矫顽力 H_c达到最小值205A/m.当氮流量为0.8mL·min_(-1)时,饱和磁化强度达到M_s=2.36T.在 Fe-N薄膜中未发现γ’-Fe4N和 α”-Fe16N2.
周剑平李华飚乔祎顾有松李丹常香荣赵春生田中卓
关键词:磁控溅射饱和磁化强度FE-N薄膜
高纯Fe中氢损伤规律的研究被引量:1
1992年
本文采用正电子湮没技术研究了高纯Fe中的氢损伤规律,实验结果表明,在0.5mol/L H_2SO_4溶液中不加毒化剂电解充氢时,产生氢损伤的临界电流密度为20 mA/cm^2;而在0.5mol/L H_2SO_4溶液中加少量As_2O_3作为毒化剂电解充氢时,即使很小的电流密度也会产生氢损伤,配合慢拉伸试验,还发现试样内部产生氢损伤以后。
吴奕初常香荣田中卓肖纪美
关键词:氢损伤临界电流密度纯铁
Fe-N软磁薄膜的结构和性能被引量:1
2002年
用RF溅射制备厚度为200nm的Fe-N薄膜在250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在5%~7%(原子百分数)范围内形成a′+a″相时,4πMs可达2.4T,Hc<80A/m,2~10MHz下高频相对导磁率μr=1500,可满足针对10Gb/in2存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.Fe-N系薄膜中a′相的形成机理和点阵常数与块状试样按Bain机理形成的a′相有明显的差别,得到了薄膜中a′相的a,c与C_N^a′之间的线性关系式.
周剑平李丹顾有松赵春生常香荣李福燊乔利杰田中卓方光旦宋庆山
关键词:磁性薄膜软磁薄膜硬盘磁头材料
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