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张一心
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中国科学院半导体研究所
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电子电信
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合作作者
李朝勇
中国科学院半导体研究所
何秀坤
机电部
李光平
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1992
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CZNTD Si中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响
1992年
本文研究了CZNTD Si中氧碳和缺陷-杂质复合体的热处理行为.分析了辐照和退火中的氧碳沉淀、缺陷-杂质复合体的形成、演变与施主的关系.确定了辐照施主是很少的,而主要是退火中形成的新施主,并且碳对这种施主起着强烈的促进作用.
张一心
李朝勇
李光平
何秀坤
卢存刚
李祖华
关键词:
辐照
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氧
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